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本发明涉及半导体领域，公开了一种纳米级图形转移的工艺方法及其应用，该方法包括：(1)采用防粘试剂I对硅模板进行防粘处理I，得到模板I；(2)将PET膜覆盖在结构面含有快速模板胶稀释剂的所述模板I上，得到中间材料，然后采用压印设备对所述中间材...
该专利属于东旭科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东旭科技集团有限公司授权不得商用。

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