一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法技术

技术编号:38390260 阅读:13 留言:0更新日期:2023-08-05 17:43
本发明专利技术涉及一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法,属于半导体激光器叠阵技术领域。步骤为,(1)激光器内部各组件分别放置Au80Sn20焊料片和SnAg焊料片,然后通过激光器封装夹具进行激光器封装;(2)封装热沉与激光器之间放置Au10Sn90焊料片,然后通过热沉封装夹具进行封装;(3)通过在封装热沉与环状通水热沉之间放置一层SAC305焊料片进行环状通水热沉封装;(4)封装好的环状通水热沉叠加固定,组成半导体激光器叠阵结构。本发明专利技术采用集成式封装环形半导体激光器叠阵的操作,有效提升封装效率、峰值功率、产品可靠性以及可维护性,解决了泵源功率低以及光束分布不均匀的问题。决了泵源功率低以及光束分布不均匀的问题。决了泵源功率低以及光束分布不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法


[0001]本专利技术涉及一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法,属于半导体激光器叠阵


技术介绍

[0002]半导体激光器叠阵可应用于Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Tm:YAG等常见固体激光器的泵浦领域,Nd:YAG、Nd:YVO4等晶体在808nm达到吸收峰值,Yb:YAG晶体在940nm达到吸收峰值,Tm:YAG晶体在783nm达到吸收峰值;YAG晶体、YVO4晶体作为增益介质,产生1030nm

1064nm的激光,广泛应用于医疗、材料加工、军事等领域,通常晶体的尺寸较小,吸收带宽较窄,约为3nm,对泵源的波长要求、体积要求及可靠性要求较高,若泵源分布不均匀,会导致泵浦效率降低。半导体激光器叠阵作为常用的固体激光器的泵浦,目前商业化推广的泵浦用半导体激光器主要为厘米bar封装的叠阵激光器,该结构的激光器具有体积小、效率高、可靠性高等优点,已经广泛地应用到固体激光器的泵浦领域。
[0003]环形半导体激光器叠阵结构如图3

6所示,包括激光器、封装热沉和环状通水热沉,激光器均布封装在封装热沉上,封装热沉环绕封装于环状通水热沉内部,封装热沉上设置有连接激光器的叠阵电极,封装热沉叠加组装成环形半导体激光器叠阵结构,其中,激光器包括巴条、钨铜热沉、底座热沉、电极片、陶瓷绝缘片、电极绝缘片和连接电极,底座热沉上端设置陶瓷绝缘片,陶瓷绝缘片两侧分别设置电极片,电极片之间的陶瓷绝缘片上设置钨铜热沉,钨铜热沉之间设置有巴条,电极片下侧与底座热沉之间设置有电极绝缘片,电极片之间通过连接电极进行连接。
[0004]现有环形半导体激光器叠阵结构中,已经实现环形叠阵的封装,叠阵的功率量级方面在千瓦级封装量级,在焊料选择上含有部分In焊料或者低温焊料,未完全实现高温焊料封装,在封装形式上基本都是一体化结构,封装效率、峰值功率、产品可靠性以及可维护性较低

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法,采用集成式模块化封装环形半导体激光器叠阵,有效提升封装效率、峰值功率、产品可靠性以及可维护性,解决了泵源功率低以及光束分布不均匀的问题。
[0006]术语解释:
[0007]晶体:常见的用于固体激光器的Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Tm:YAG晶体,通常为圆柱状,每种晶体对应一个或多个吸收峰值;
[0008]泵浦源:通常与晶体配合使用,获得理想的输出状态,本专利技术中指的是半导体激光器,波长处于晶体的吸收波段内;
[0009]巴条:用于封装半导体激光器泵源的激光芯片。
[0010]本专利技术的技术方案如下:
[0011]一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法,步骤如下:
[0012](1)激光器封装,将巴条按照正负极顺序依次摆放,巴条与巴条之间放置钨铜热沉,钨铜热沉与巴条之间放置Au80Sn20焊料片,通过高温焊接形成巴条阵列,在巴条阵列与陶瓷绝缘片之间、陶瓷绝缘片与底座热沉之间、电极片与电极绝缘片、电极绝缘片与底座热沉之间均放置SnAg焊料片,巴条底部通过ALN绝缘材料进行绝缘,然后通过激光器封装夹具进行固定,将激光器封装夹具放入回流炉烧结,封装成激光器;
[0013](2)封装热沉封装,封装热沉上均布放置Au10Sn90焊料片,在Au10Sn90焊料片表面放置封装后的激光器,相邻激光器的电极片上放置连接电极,连接电极与电极片之间放置Au10Sn90焊料片,Au10Sn90焊料片尺寸与连接电极保持一致,通过热沉封装夹具固定连接电极、Au10Sn90焊料片、激光器和封装热沉的相对位置,通过回流炉烧结固定;
[0014](3)环状通水热沉封装,封装热沉与环状通水热沉之间放置一层SAC305焊料片,然后将封装热沉与环状通水热沉通过固定通孔用螺丝固定到一起,在相邻的封装热沉之间放置连接电极,连接电极底部放置SAC305焊料片,通过回流炉烧结固定,然后焊接叠阵电极;
[0015](4)将封装好的环状通水热沉叠加固定,相邻叠阵电极进行连接,组成半导体激光器叠阵结构。
[0016]优选的,步骤(1)中,Au80Sn20焊料片长度和宽度与巴条长度和宽度相同。
[0017]优选的,步骤(1)中,激光器封装夹具包括主体A和压块A,主体A为长方体,主体A内设置有放置槽A,放置槽A内放置有激光器,通过在主体A一侧旋转插入固定螺钉对激光器进行固定,激光器上侧设置有压块A,压块A下侧凹槽与激光器上侧凸起匹配,通过压块A固定激光器上侧的组件。
[0018]优选的,步骤(1)中,激光器封装的巴条数量为1

5。
[0019]优选的,步骤(2)中,热沉封装夹具包括主体B和压块B,主体B为长方体,主体B内设置有放置槽B,放置槽B内放置有封装热沉,通过在主体B一侧旋转插入固定螺钉对连接电极进行固定,封装热沉上侧设置有压块B,压块B下侧凸起与封装热沉上侧的激光器凸起弧度相匹配,压块B通过固定螺钉设置于主体B两侧,通过压块B固定激光器与封装热沉的相对位置。
[0020]进一步优选的,放置槽B的宽度和长度与封装热沉横截面的长度和宽度相同,封装热沉底部设置有螺丝孔,封装热沉通过底部的螺丝孔与主体B进行固定。
[0021]优选的,步骤(3)中,叠阵电极为L型电极,方便叠加后进行连接。
[0022]优选的,步骤(4)中,环状通水热沉内侧设置有密封槽,保证后端应用过程中密封性。
[0023]本专利技术的有益效果在于:
[0024]1、本专利技术采用集成式封装环形半导体激光器叠阵的操作,有效提升封装效率、峰值功率、产品可靠性以及可维护性,解决了泵源功率低以及光束分布不均匀的问题。
[0025]2、本专利技术通过设计相应的封装夹具完成对各个零部件的封装,再通过环状通水热沉集成组合封装实现高功率环形叠阵泵浦,完成高功率巴条高可靠性封装。
[0026]3、本专利技术采用熔点递减的高温焊料Au80Sn20、SnAg、Au10Sn90和SAC305,保证各封装步骤之间不会相互影响,避免后续封装步骤中的高温焊接影响之前的封装效果,使形成的二元/三元合金具有强度高,稳定性高等优点,避免了In焊料及其他低温焊料带来的迁移
失效的风险。
附图说明
[0027]图1为激光器封装夹具使用状态结构示意图;
[0028]图2为热沉封装夹具使用状态结构示意图;
[0029]图3为环状通水热沉封装后的结构示意图;
[0030]图4为环状通水热沉结构示意图;
[0031]图5为激光器结构示意图;
[0032]图6为封装热沉结构示意图;
[0033]其中,1、巴条,2、钨铜热沉,3、底座热沉,4、电极片,5、陶瓷绝缘片,6、电极绝缘片,7、封装热沉,8、连接电极,9、环状通水热沉,10、通水口,11、密封槽,12、固定孔,13、固定通孔,1本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环形半导体激光器叠阵结构的封装方法,其特征在于,步骤如下:(1)激光器封装,将巴条按照正负极顺序依次摆放,巴条与巴条之间放置钨铜热沉,钨铜热沉与巴条之间放置Au80Sn20焊料片,通过高温焊接形成巴条阵列,在巴条阵列与陶瓷绝缘片之间、陶瓷绝缘片与底座热沉之间、电极片与电极绝缘片、电极绝缘片与底座热沉之间均放置SnAg焊料片,巴条底部通过ALN绝缘材料进行绝缘,然后通过激光器封装夹具进行固定,将激光器封装夹具放入回流炉烧结,封装成激光器;(2)封装热沉封装,封装热沉上均布放置Au10Sn90焊料片,在Au10Sn90焊料片表面放置封装后的激光器,相邻激光器的电极片上放置连接电极,连接电极与电极片之间放置Au10Sn90焊料片,通过热沉封装夹具固定连接电极、Au10Sn90焊料片、激光器和封装热沉的相对位置,通过回流炉烧结固定;(3)环状通水热沉封装,封装热沉与环状通水热沉之间放置一层SAC305焊料片,然后将封装热沉与环状通水热沉固定到一起,在相邻的封装热沉之间放置连接电极,连接电极底部放置SAC305焊料片,通过回流炉烧结固定,然后焊接叠阵电极;(4)将封装好的环状通水热沉叠加固定,相邻叠阵电极进行连接,组成半导体激光器叠阵结构。2.如权利要求1所述的环形半导体激光器叠阵结构的封装方法,其特征在于,步骤(1)中,Au80Sn20焊料片长度和宽度与巴条长度和宽度相同。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员:付传尚刘琦孙素娟位晓凤李韦清
申请(专利权)人:山东华光光电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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