一种电流精度仿真测试方法、装置、设备和存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种电流精度仿真测试方法、装置、设备和存储介质，涉及计算机技术领域。所述方法包括：响应于检测到服务器主板上电，与待测芯片建立互联；对所述待测芯片进行电流精度测试，生成电流精度测试数据；响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述电流精度曲线均能满足所述目标标准。本申请能够快速调试出最优的固件版本来尽可能满足多个回板阶段的Imon测试。Imon测试。Imon测试。

【技术实现步骤摘要】
一种电流精度仿真测试方法、装置、设备和存储介质


[0001]本申请涉及计算机
，特别是涉及一种电流精度仿真测试方法、装置、设备和存储介质。

技术介绍

[0002]随着互联网企业迅速成长和发展，服务器性能要求越来越高，对服务器系统运行下的稳定性也提出了越来越高的要求。主板上的硬件电源供电设计是保证主板稳定工作的关键点。这些供电设计所选方案的集成度越来越高。对电流的精度要求也越来越高，厂商对CPU(CentralProcessing Unit，中央处理器)和Memory(内存)的供电VR(VoltageRegulation，电压)都有Imon(Ioutmonitor，电流精度侦测)的测试需求，并对应有电流精度侦测相应的Spec(Specification，规格、标准)。所谓Imon验证，就是将VR负载端的实际电流和VR芯片侦测到的电流值做对比，看两者的差距是否满足对应的Spec。Imon曲线的偏高或者偏低，会影响CPU的性能。
[0003]目前对服务器主板上各组VR进行Imon测试时，查看测试结果是否能满足对应的Spec。一个项目存在多个回板阶段，对于同一个项目，若只是测试一张板卡，当芯片本身精度较差时，无法保证此时的固件版本最优，会出现相同VR相同固件版本，测试多张板卡时有的板卡Imon测试通过，有的测试失败的情况。例如，由于芯片本身基准电流误差，可能会出现上一版本测试Imon测试通过的对应VR固件版本，放在下一版板卡上出现失败的情况，则需要重新进行调试并测试，至最终得到两版均能测试通过的VR固件版本。这就会导致在多个回板阶段中出现需要重新调试固件版本并重新验证的情况。这样会导致费时费力，大量重复验证浪费成本。因此，如何快速调试出最优的固件版本来尽可能满足多个回板阶段的Imon测试是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述
技术介绍
中提到的至少一个问题，本申请提供了一种电流精度仿真测试方法、装置、设备和存储介质，能够快速调试出最优的固件版本来尽可能满足多个回板阶段的Imon测试。
[0005]本申请实施例提供的具体技术方案如下：
[0006]第一方面，提供一种电流精度仿真测试方法，应用于测试端，方法包括：
[0007]响应于检测到服务器主板上电，与待测芯片建立互联；
[0008]对所述待测芯片进行电流精度测试，生成电流精度测试数据；
[0009]响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述电流精度曲线均能满足所述目标标准。
[0010]进一步的，所述方法还包括：
[0011]响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率不在目标标准范围内，调整所述
待测芯片的电流增益直至调整后的曲线斜率满足在目标标准范围内。
[0012]进一步的，所述响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述电流精度曲线均能满足所述目标标准，包括：
[0013]响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片在归零电流精度侦测曲线模型下的第一电流精度曲线；
[0014]响应于检测到所述第一电流精度曲线满足所述目标标准，在所述归零电流精度侦测曲线模型的基础上仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的第二电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述第二电流精度曲线均能满足所述目标标准；
[0015]其中，所述归零电流精度侦测曲线模型用于仿真出所述待测芯片将零安培电流负载情况时的电流偏差调整至归零的电流精度曲线。
[0016]进一步的，所述响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片在归零电流精度侦测曲线模型下的第一电流精度曲线，包括：
[0017]响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，调整所述待测芯片的电流补偿值并运行电流精度侦测测试直至测试的电流精度曲线整体满足所述目标标准；
[0018]输入所述待测芯片的精度规格，记录当前所述待测芯片在零安培电流负载情况下的电流偏差；
[0019]仿真出所述待测芯片将零安培电流负载情况时的电流偏差调整至归零的电流精度曲线，作为所述待测芯片在归零电流精度侦测曲线模型下的第一电流精度曲线。
[0020]进一步的，所述方法还包括：
[0021]响应于检测到所述第一电流精度曲线不满足所述目标标准，根据电流精度仿真偏差情况调整所述待测芯片的代码直至所述第一电流精度曲线满足所述目标标准。
[0022]进一步的，所述调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述第二电流精度曲线均能满足所述目标标准，还包括：
[0023]调整所述待测芯片的电流补偿值并重新运行电流精度侦测测试直至测试的电流精度曲线整体满足所述目标标准并且同时仿真出的所述第二电流精度曲线均能满足所述目标标准。
[0024]进一步的，所述响应于检测到服务器主板上电，与待测芯片建立互联，包括：
[0025]响应于检测到服务器主板上电，通过芯片寻址匹配待测芯片；
[0026]通过python与所述待测芯片建立互联。
[0027]第二方面，提供一种电流精度仿真测试装置，所述装置包括：
[0028]通信模块，用于响应于检测到服务器主板上电，与待测芯片建立互联；
[0029]测试模块，用于对所述待测芯片进行电流精度测试，生成电流精度测试数据；
[0030]仿真模块，用于响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述电流精度曲线均能满足所述目标标准。
[0031]第三方面，提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理
器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现所述电流精度仿真测试方法。
[0032]第四方面，提供一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行所述电流精度仿真测试方法。
[0033]本申请实施例具有如下有益效果：
[0034]本申请实施例提供的一种电流精度仿真测试方法、装置、设备和存储介质，能够仿真出待测芯片正负精度偏差最大值的情况，即最差场景的Imon，在第一次测试就能调试出待测芯片的最优的VRFW，同时保证接下来的回板板卡均能通过Imon测试，避免了大量的重复验证，节约人力物力，同时节省时间成本。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流精度仿真测试方法，应用于测试端，其特征在于，包括：响应于检测到服务器主板上电，与待测芯片建立互联；对所述待测芯片进行电流精度测试，生成电流精度测试数据；响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述电流精度曲线均能满足所述目标标准。2.根据权利要求1所述的电流精度仿真测试方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率不在目标标准范围内，调整所述待测芯片的电流增益直至调整后的曲线斜率满足在目标标准范围内。3.根据权利要求1所述的电流精度仿真测试方法，其特征在于，所述响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述电流精度曲线均能满足所述目标标准，包括：响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片在归零电流精度侦测曲线模型下的第一电流精度曲线；响应于检测到所述第一电流精度曲线满足所述目标标准，在所述归零电流精度侦测曲线模型的基础上仿真出所述待测芯片正负精度偏差最大值情况下的第二电流精度曲线，调整所述待测芯片的电流补偿值直至仿真出的所述第二电流精度曲线均能满足所述目标标准；其中，所述归零电流精度侦测曲线模型用于仿真出所述待测芯片将零安培电流负载情况时的电流偏差调整至归零的电流精度曲线。4.根据权利要求3所述的电流精度仿真测试方法，其特征在于，所述响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，仿真出所述待测芯片在归零电流精度侦测曲线模型下的第一电流精度曲线，包括：响应于检测到所述电流精度测试数据中曲线斜率在目标标准范围内，调整所述待测芯片的电流补偿值并运行电流精度侦测测试直至测试的电流精度曲线整体满足所述目标标准；输入所述待测芯片的精度规格...

【专利技术属性】
技术研发人员：施秋云，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：