一种分立式直流电机驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种分立式直流电机驱动电路，所述驱动电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4，4个MOS管组成全桥结构；本发明专利技术可以使用分立的MOS管以及驱动电路，很轻松的实现几百W的直流电机驱动，并且带有非接触式的过流保护功能。并且带有非接触式的过流保护功能。并且带有非接触式的过流保护功能。

【技术实现步骤摘要】
一种分立式直流电机驱动电路


[0001]本技术涉及电机驱动
，特别涉及一种分立式直流电机驱动电路。

技术介绍

[0002]直流电机，自诞生以来，就一直应用于各种场合，噪音低，体积小，免维护，基本在工业，家用等各个领域都有广泛的使用，目前的直流电机驱动种类繁多，而且也有很多的专业直流电机控制芯片，但是随着不断的发展，对于大电流的电机驱动要求越来越多。
[0003]但是对于集成的电机驱动芯片(特别是对于内置MOS管的类型)都受制于一定功率的限制，无法在一个很小的集成封装里面做出大功率密度的芯片，所以就需要想办法去组建更加有效和灵活的电机驱动电路。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术的目的是提供一种分立式直流电机驱动电路。主要用于解决集成电机驱动芯片的功率过小的问题。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0006]该技术的一种分立式直流电机驱动电路，所述驱动电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4，4个MOS管组成全桥结构；所述第一MOS管Q1和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分立式直流电机驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)和第四MOS管(Q4)，4个MOS管组成全桥结构；所述第一MOS管(Q1)和第三MOS管(Q3)的漏极作为输出端所提供的+24V与所述第二MOS管(Q2)和第四MOS管(Q4)的源极所联接的GND端共同提供给负载直流电机提供所需要的能量；所述第一MOS管(Q1)的源极与第二MOS管(Q2)的漏极电联接，所述第一MOS管(Q1)的漏极和源极之间设置有第二保护二极管(D2)，所述第二MOS管(Q2)的漏极和源极之间设置有第四保护二极管(D4)，所述第一MOS管(Q1)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G3的输入端，所述第二MOS管(Q2)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；所述第三MOS管(Q3)的源极与第四MOS管(Q4)的漏极电联接，所述第三MOS管(Q3)的漏极和源极之间设置有第一保护二极管(D1)，所述第四MOS管(Q4)的漏极和源极之间设置有第三保护二极管(D3)，所述第三MOS管(Q3)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G1的输入端，所述第二MOS管(Q2)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；所述H_BRIGE_G1、H_BRIGE_G2是一组互补信号，所述H_BRIGE_G...

【专利技术属性】
技术研发人员：余传宝，崔岺，
申请(专利权)人：苏州矩度电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：