一种分立式直流电机驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种分立式直流电机驱动电路，所述驱动电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4，4个MOS管组成全桥结构；本发明专利技术可以使用分立的MOS管以及驱动电路，很轻松的实现几百W的直流电机驱动，并且带有非接触式的过流保护功能。并且带有非接触式的过流保护功能。并且带有非接触式的过流保护功能。

【技术实现步骤摘要】
一种分立式直流电机驱动电路


[0001]本技术涉及电机驱动
，特别涉及一种分立式直流电机驱动电路。

技术介绍

[0002]直流电机，自诞生以来，就一直应用于各种场合，噪音低，体积小，免维护，基本在工业，家用等各个领域都有广泛的使用，目前的直流电机驱动种类繁多，而且也有很多的专业直流电机控制芯片，但是随着不断的发展，对于大电流的电机驱动要求越来越多。
[0003]但是对于集成的电机驱动芯片(特别是对于内置MOS管的类型)都受制于一定功率的限制，无法在一个很小的集成封装里面做出大功率密度的芯片，所以就需要想办法去组建更加有效和灵活的电机驱动电路。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术的目的是提供一种分立式直流电机驱动电路。主要用于解决集成电机驱动芯片的功率过小的问题。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0006]该技术的一种分立式直流电机驱动电路，所述驱动电路包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4，4个MOS管组成全桥结构；所述第一MOS管Q1和第三MOS管Q3的漏极作为输出端所提供的+24V与所述第二MOS管Q2和第四MOS管Q4的源极所联接的GND端共同提供给负载直流电机提供所需要的能量；
[0007]所述第一MOS管Q1的源极与第二MOS管Q2的漏极电联接，所述第一MOS管Q1的漏极和源极之间设置有第二保护二极管D2，所述第二MOS管Q2的漏极和源极之间设置有第四保护二极管D4，所述第一MOS管Q1的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G3的输入端，所述第二MOS管Q2的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；
[0008]所述第三MOS管Q3的源极与第四MOS管Q4的漏极电联接，所述第三MOS管Q3的漏极和源极之间设置有第一保护二极管D1，所述第四MOS管Q4的漏极和源极之间设置有第三保护二极管D3，所述第三MOS管Q3的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G1的输入端，所述第二MOS管Q2的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；
[0009]所述H_BRIGE_G1、H_BRIGE_G2是一组互补信号，所述H_BRIGE_G3、H_BRIGE_G4也为一互补信号，通过MCU对这两组信号进行控制，利用调整占空比，实现速度调节。
[0010]进一步，所述第一MOS管Q1的源极与第二MOS管Q2的漏极之间设置有电流检测脚IP
‑
，所述第三MOS管Q3的源极与第四MOS管Q4的漏极之间设置有电流检测脚IP+，所述电流检测脚IP
‑
和电流检测脚IP+用于与霍尔电流检测芯片的信号输入端电联接，实时监测电机的电流，用于过流保护。
[0011]进一步，所述第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4均为PMOS管。
[0012]进一步，所述驱动信号H_BRIGE_G3经第三电阻R3输入第一MOS管Q1的栅极，所述驱
动信号H_BRIGE_G4经第四电阻R4输入第二MOS管Q2的栅极。
[0013]进一步，所述驱动信号H_BRIGE_G1经第一电阻R1输入第三MOS管Q3的栅极，所述驱动信号H_BRIGE_G2经第二电阻R2输入第四MOS管Q4的栅极。
[0014]本技术的有益效果是：
[0015]本技术通过采用元件分立，组成全桥电路，通过使用分立的MOS管以及驱动电路，很轻松的实现几百W的直流电机驱动，既能提升驱动功率，又能有效的解决过热问题；进一步的，本技术还加入了过流保护电路结构，通过采用硬件的非接触式的过流保护方式，能够更有效地实现过流保护，提升了硬件使用的安全性。
[0016]本技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本技术的实践中得到教导。本技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
[0017]为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步的详细描述，其中：
[0018]图1为本技术的分立式驱动电路示意图；
[0019]图2为本技术的过流保护电路接线示意图；
[0020]图3为电压的输出与感应电流之间的线性关系示意图；
[0021]图4为由硬件切断全桥的PWM输出的电路示意图。
具体实施方式
[0022]以下将参照附图，对本技术的优选实施例进行详细的描述。应当理解，优选实施例仅为了说明本技术，而不是为了限制本技术的保护范围。
[0023]如图1所示，本实施例的一种分立式直流电机驱动电路，包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4，4个MOS管组成全桥结构；第一MOS管Q1和第三MOS管Q3的漏极作为输出端所提供的+24V与所述第二MOS管Q2和第四MOS管Q4的源极所联接的GND端共同提供给负载直流电机提供所需要的能量；本实施例中，第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4均采用PMOS管。本实施例中，第一MOS管Q1、第二MOS管Q2采用的型号为SUD19P06，第三MOS管Q3和第四MOS管Q4采用的型号为SI7172DP。
[0024]其中，第一MOS管Q1的源极与第二MOS管Q2的漏极电联接，第一MOS管Q1的漏极和源极之间设置有第二保护二极管D2，第二MOS管Q2的漏极和源极之间设置有第四保护二极管D4，所述第一MOS管Q1的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G3的输入端，第二MOS管Q2的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；驱动信号H_BRIGE_G3经第三电阻R3输入第一MOS管Q1的栅极，所述驱动信号H_BRIGE_G4经第四电阻R4输入第二MOS管Q2的栅极。
[0025]第三MOS管Q3的源极与第四MOS管Q4的漏极电联接，所述第三MOS管Q3的漏极和源极之间设置有第一保护二极管D1，所述第四MOS管Q4的漏极和源极之间设置有第三保护二极管D3，所述第三MOS管Q3的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G1的输入端，所述第二MOS管Q2的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；驱动信号H_BRIGE_G1经第一电阻R1输入第三MOS
管Q3的栅极，所述驱动信号H_BRIGE_G2经第二电阻R2输入第四MOS管Q4的栅极。
[0026]本实施例中，H_BRIGE_G1、H_BRIGE_G2是一组互补信号，所述H_BRIGE_G3、H_BRIGE_G4也为一互补信号，通过MCU对这两组信号进行控制，利用调整占空比，实现速度调节。
[0027]如图2所示，第一MOS管Q1的源极与第二MOS管Q2的漏极之间设置有电流检测脚IP
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，所述第三MOS管Q3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分立式直流电机驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)和第四MOS管(Q4)，4个MOS管组成全桥结构；所述第一MOS管(Q1)和第三MOS管(Q3)的漏极作为输出端所提供的+24V与所述第二MOS管(Q2)和第四MOS管(Q4)的源极所联接的GND端共同提供给负载直流电机提供所需要的能量；所述第一MOS管(Q1)的源极与第二MOS管(Q2)的漏极电联接，所述第一MOS管(Q1)的漏极和源极之间设置有第二保护二极管(D2)，所述第二MOS管(Q2)的漏极和源极之间设置有第四保护二极管(D4)，所述第一MOS管(Q1)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G3的输入端，所述第二MOS管(Q2)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；所述第三MOS管(Q3)的源极与第四MOS管(Q4)的漏极电联接，所述第三MOS管(Q3)的漏极和源极之间设置有第一保护二极管(D1)，所述第四MOS管(Q4)的漏极和源极之间设置有第三保护二极管(D3)，所述第三MOS管(Q3)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G1的输入端，所述第二MOS管(Q2)的栅极作为驱动信号H_BRIGE_G4的输入端；所述H_BRIGE_G1、H_BRIGE_G2是一组互补信号，所述H_BRIGE_G...

【专利技术属性】
技术研发人员：余传宝，崔岺，
申请(专利权)人：苏州矩度电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：