固化性树脂膜、复合片、半导体芯片、以及半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种固化性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，其中，上述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂伸长率为85％以下。70℃下的断裂伸长率为85％以下。

【技术实现步骤摘要】
固化性树脂膜、复合片、半导体芯片、以及半导体芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及固化性树脂膜、复合片、半导体芯片、以及半导体芯片的制造方法。更详细而言，本专利技术涉及固化性树脂膜及具备该固化性树脂膜的复合片、以及通过利用它们将固化树脂膜设置为保护膜的半导体芯片、以及制造该半导体芯片的方法。

技术介绍

[0002]近年来，已使用被称为倒装方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，通过将在电路面具备凸块的半导体芯片和该半导体芯片搭载用的基板以该半导体芯片的电路面与该基板相对的方式进行层叠，从而将该半导体芯片搭载于该基板。
[0003]需要说明的是，该半导体芯片通常是将在电路面具备凸块的半导体晶片进行单片化而得到的。
[0004]对于具备凸块的半导体晶片，有时出于保护凸块与半导体晶片的接合部分(以下也称为“凸块颈部”)的目的而设置保护膜。
[0005]例如，在专利文献1及专利文献2中，在将由支撑基材、粘合剂层及热固性树脂层依次层叠而成的层叠体以热固性树脂层为贴合面按压并粘贴于具备凸块的半导体晶片的凸块形成面之后，将该热固性树脂层加热并使其固化，由此形成了保护膜。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2015
‑
092594号公报
[0009]专利文献2：日本特开2012
‑
169484号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的课题
[0011]在上述专利文献1及专利文献2所记载的方法中，通过在带有凸块的晶片上形成了保护膜后，将带有凸块的晶片连同保护膜一起进行切割，由此得到单片化后的半导体芯片。像这样地，在将带有凸块的晶片连同保护膜一起进行切割的情况下，由切割刀形成的保护膜的切断面的加工品质良好。
[0012]然而，本专利技术人经过深入研究后发现，在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成保护膜的情况下，存在由切割刀形成的保护膜的切断面的加工品质降低的问题。
[0013]本专利技术是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供可用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜、且磨削及单片化后的加工品质优异的固化性树脂膜、具备该固化性树脂膜的复合片、半导体芯片、以及该半导体芯片的制造方法。
[0014]解决课题的方法
[0015]本专利技术人为了解决上述课题而进行了深入研究，结果发现，在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成保护膜的情况下，由于利用切割刀不切断晶片、而是仅切断晶片保护膜，因此，由切割刀形成的保护膜的切断面的加工品质降低。本专利技术人为了消除该问题，着眼于用于形成保护膜的固化性树脂膜的物性而进行了更加深入的研究。其结果发现，通过将固化后于70℃下的断裂伸长率为特定值以下的固化性树脂膜用于半导体芯片的保护膜形成，可以解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0016]即，本专利技术涉及以下方式。
[0017][1]一种固化性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，
[0018]其中，上述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂伸长率为85％以下。
[0019][2]根据上述[1]所述的固化性树脂膜，其中，上述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂伸长率及断裂能的乘积为1000以下。
[0020][3]根据上述[1]或[2]所述的固化性树脂膜，其厚度为30μm以上。
[0021][4]一种复合片，其具有使上述[1]～[3]中任一项所述的固化性树脂膜和剥离片层叠而成的层叠结构。
[0022][5]根据上述[4]所述的复合片，其中，上述剥离片具有基材和剥离层，上述剥离层与上述固化性树脂膜相面对。
[0023][6]根据上述[5]所述的复合片，其在上述基材与上述剥离层之间进一步具有中间层。
[0024][7]根据上述[5]或[6]所述的复合片，其中，上述剥离层是由包含乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物的组合物形成的层。
[0025][8]一种半导体芯片的制造方法，该方法依次包括下述工序(S1)～(S4)，
[0026]工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶片的工序，所述半导体芯片制作用晶片在具有具备凸块的凸块形成面的半导体晶片的上述凸块形成面以不到达背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；
[0027]工序(S2)：将上述[1]～[3]中任一项所述的固化性树脂膜按压并粘贴于上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面，用上述固化性树脂膜包覆上述半导体芯片制作用晶片的上述凸块形成面，并且将上述固化性树脂膜埋入形成于上述半导体芯片制作用晶片的上述槽部的工序；
[0028]工序(S3)：使上述固化性树脂膜固化而得到带有固化树脂膜的半导体芯片制作用晶片的工序；
[0029]工序(S4)：将上述带有固化树脂膜的半导体芯片制作用晶片沿上述分割预定线进行单片化，得到至少上述凸块形成面及侧面被上述固化树脂膜包覆着的半导体芯片的工序；
[0030]并且，在上述工序(S2)之后且上述工序(S3)之前、在上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前、或在上述工序(S4)中，包括下述工序(S
‑
BG)，
[0031]工序(S
‑
BG)：对上述半导体芯片制作用晶片的上述背面进行磨削的工序。
[0032][9]一种半导体芯片，其在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者具有上述[1]～[3]中任一项所述的固化性树脂膜固化而成的固化树
脂膜。
[0033]专利技术的效果
[0034]根据本专利技术，可以提供可用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜、且磨削及单片化后的加工品质优异的固化性树脂膜、具备该固化性树脂膜的复合片、半导体芯片、以及该半导体芯片的制造方法。
附图说明
[0035]图1是示出本专利技术的一个实施方式的复合片的构成的剖面示意图。
[0036]图2是示出本专利技术的另一个实施方式的复合片的构成的剖面示意图。
[0037]图3是示出在工序(S1)中准备的半导体芯片制作用晶片的一例的剖面示意图。
[0038]图4是示出工序(S2)的概要的图。
[0039]图5是示出工序(S3)的概要的图。
[0040]图6是示出工序(S4)的概要的图。
[0041]图7是示出工序(S
‑
BG)的概要的图。
[0042]符号说明
[0043]10、20
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复合片
[0044]30
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半导体芯片制作用晶片
[0045]40
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种固化性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，其中，所述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂伸长率为85％以下。2.根据权利要求1所述的固化性树脂膜，其中，所述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂伸长率及断裂能的乘积为1000以下。3.根据权利要求1或2所述的固化性树脂膜，其厚度为30μm以上。4.一种复合片，其具有使权利要求1～3中任一项所述的固化性树脂膜和剥离片层叠而成的层叠结构。5.根据权利要求4所述的复合片，其中，所述剥离片具有基材和剥离层，所述剥离层与所述固化性树脂膜相面对。6.根据权利要求5所述的复合片，其在所述基材与所述剥离层之间进一步具有中间层。7.根据权利要求5或6所述的复合片，其中，所述剥离层是由包含乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物的组合物形成的层。8.一种半导体芯片的制造方法，该方法依次包括下述工序(S1)～(S4)，工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶片的工序，所述半导体芯片制作用晶片在具有具备凸块的凸块形成面的半导体晶片的所述凸块形成面以不...

【专利技术属性】
技术研发人员：贝沼玲菜，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：