一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式制造技术

本发明专利技术提供了应用于半导体器件领域的一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，包括生瓷带，生瓷带的表面设有凹陷，生瓷带的内侧布置有保形板，且保形板与凹陷滑动嵌合连接，保形板的侧表面与生瓷带表面的凹陷接触，保形板的顶部连接有缓冲垫，保形板的强度接近于生瓷带内腔中陶瓷的强度，且能够与缓冲垫配合，将生瓷带中的凹陷予以填充，使得陶瓷内腔保持完整，进而避免直接层压导致的层压过程中发生变形，同时，缓冲垫的设置，还能够在保形板和陶瓷压料之间形成一层缓冲隔离，保护保形板的同时，还能够避免陶瓷压料直接与保形板的表面发生接触，降低陶瓷压料发生底层打滑事故。降低陶瓷压料发生底层打滑事故。降低陶瓷压料发生底层打滑事故。

【技术实现步骤摘要】
一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式


[0001]本申请涉及半导体器件领域，特别涉及一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式。

技术介绍

[0002]相较于LTCC陶瓷基板，因烧成温度高，HTCC不能采用金、银、铜等低熔点金属材料，必须采用钨、钼、锰等难熔金属材料，因此使得HTCC基板具有结构强度高、热导率高、化学稳定性好和布线密度高等优点，被广泛用于高可靠性微电子集成电路、大功率微组装电路、车载大功率电路等领域，然而HTCC陶瓷基板和LTCC陶瓷基板在生产过程中，均需要经过生瓷带流延、裁片、冲孔、填孔印刷、叠片层压、烧制等过程中，区别仅在于烧结温度的不同。
[0003]在现有的HTCC陶瓷基板层压过程中，普遍采用直接层压或修改悬空结构大小的方式来进行相应的操作，不利于陶瓷基板的产品设计，此外在实际操作过程中，直接层压或修改悬空结构的方式均会使得生瓷带内腔存在空隙，进而影响陶瓷基板层压成型，影响层压质量。
[0004]为此我们提出一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，通过在生瓷带内腔放入有接近陶瓷抗压强度的材料，即本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，包括生瓷带（1），其特征在于，所述生瓷带（1）的表面设有凹陷，所述生瓷带（1）的内侧布置有保形板（2），且保形板（2）与凹陷滑动嵌合连接，所述保形板（2）的侧表面与生瓷带（1）表面的凹陷接触，所述保形板（2）的顶部连接有缓冲垫（3），所述缓冲垫（3）内部居中的位置埋设有充气垫板（33），所述缓冲垫（3）的内部镶嵌安装有关于充气垫板（33）对称布置的充气套（31），所述充气套（31）的表面贯穿密封连接有通气软管（32），所述通气软管（32）的尾端与充气垫板（33）的表面贯穿密封连接。2.根据权利要求1所述的一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，其特征在于，所述生瓷带（1）表面凹陷的截面长度不小于充气套（31）的截面长度，且充气套（31）位于生瓷带（1）表面凹陷的端部下方。3.根据权利要求1所述的一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，其特征在于，所述缓冲垫（3）为耐磨橡胶材料制成，且保形板（2）为耐压材料制成。4.根据权利要求1所述的一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，其特征在于，所述充气套（31）与缓冲垫（3）顶部表面之间的距离小于缓冲垫（3）自身厚度的二分之一。5.根据权利要求1所述的一种解决HTCC陶瓷压合过程的层压保形方式，其特征在于，所述生瓷带（1）表面凹陷的高度值不小于缓冲垫（3）与保形板（2...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫不穷，王钢，阚云辉，方宇生，
申请(专利权)人：合肥先进封装陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：