一种高分辨阵列光电器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光电器件领域，特别涉及一种高分辨阵列光电器件及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成横向排列的条状的底电极和绝缘层；在所述底电极的像素点区域表面形成下层载流子层；在所述下层载流子层表面形成活性层；在所述活性层和绝缘层表面形成上层载流子材料层、顶电极材料层、保护材料层；图案化刻蚀所述保护材料层、顶电极材料层、上层载流子材料层，直到暴露出所述绝缘层。本发明专利技术通过行列电极交叉的垂直结构，提高了空间利用率；在整面沉积上层载流子层和顶电极后封装保护层，再对上层载流子层和顶电极进行刻蚀，能制备像素尺寸更小、分辨率更高的溶剂敏感型光电器件。感型光电器件。感型光电器件。

【技术实现步骤摘要】
一种高分辨阵列光电器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电器件领域，特别涉及一种高分辨阵列光电器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电子器件是构建光通信系统与网络的基础，高速光传输设备、长距离光传输设备和最受市场关注的智能光网络的发展、升级以及推广应用，都取决于光电子器件技术进步和产品更新换代的支持。因此，人们对光电子器件不断进行更新与升级。
[0003]目前的有机阵列光电器件和钙钛矿阵列光电器件，多采用水平排列方式，使得电极布线区域占整体器件面积的比例很高，导致目前这类器件的分辨率普遍低于100ppi。无论是LED还是光电探测器，这些光电器件如果需要实现寻址的功能以及较高的分辨率，最理想的方案是采用行列电极交叉的垂直结构，但是由于其中不少活性层的材料与商业光刻技术的不兼容，因此都是利用金属掩膜或3D打印技术制备图案化顶电极而这些技术还存在难以对准、难以小型化、制备时间长等的缺点，导致采用这种方法制备的光电器件像素尺寸较大而分辨率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术为了克服现有技术的不足，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高分辨阵列光电器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成横向排列的条状的底电极，所述底电极包括像素点区域和非像素点区域；在暴露出的衬底表面和底电极的非像素点区域表面形成绝缘层，并暴露出底电极的像素点区域；在所述底电极的像素点区域表面形成下层载流子层，所述下层载流子层的厚度小于所述绝缘层的厚度；在所述下层载流子层表面形成活性层；在所述活性层和绝缘层表面形成上层载流子材料层；在所述上层载流子材料层表面形成顶电极材料层；在所述顶电极材料层表面形成保护材料层；图案化刻蚀所述保护材料层、顶电极材料层、上层载流子材料层，直到暴露出所述绝缘层，形成纵向排列的条状的上层载流子层、顶电极和保护层，且所述纵向排列的顶电极和横向排列的底电极的相交区域位于底电极的像素点区域。2.根据权利要求1所述的一种高分辨阵列光电器件的制备方法，其特征在于，在所述下层载流子层表面形成活性层的具体步骤包括：对所述绝缘层表面进行疏水处理；通过旋涂工艺在下层载流子层表面沉积活性材料层，其中亲水的下层载流子层和疏水的绝缘层通过表面能的不同实现活性材料层在亲水区域沉积，在疏水区域不沉积，实现图案化的活性层制备。3.根据权利要求2所述的一种高分辨阵列光电器件的制备方法，其特征在于，对所述绝缘层表面进行疏水处理具体包括：在所述下层载流子层表面形成光刻胶层；在所述绝缘层表面形成氧化物薄膜，并利用自组装硅烷在暴露出的所述氧化物薄膜表面进行疏水处理，得到疏水层，然后去除光刻胶层；或者当所述绝缘层为氧化物绝缘层，利用自组装硅烷在暴露出的所述绝缘层表面进行疏水处理，得到疏水层。4.根据权利要求1所述的一种高分辨阵列光电器件的制备方法，其特征在于，所述活性层的材料为钙钛矿材料、有机活性材料其中的一种，其中钙钛矿材料为MAPbI3、MAPbBr3其中的一种，有机活性材料为Alq3、TBADN其中的一种。5.根据权利要求1所述的一种高分辨阵列光电器件的制备方法，其特征在于，所述保护层为Parylene薄膜、PMMA薄膜、PI薄膜、Al2O3层、Hf...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩勋，潘曹峰，梁业港，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：