多层陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术涉及一种多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器具有第一端和第二端，该第二端与该第一端在纵向方向上分隔开，该纵向方向垂直于横向方向，其中，该横向方向和该纵向方向均垂直于Z方向。该多层陶瓷电容器包括单片主体，该单片本体包括多个介电层和多个电极层，该多个介电层和该多个电极层关于该横向方向而平行。至少一个电极层包括第一电极，该第一电极包括连接部分和中央部分，该中央部分从该连接部分在纵向方向上延伸，其中，该中央部分包括Z方向边缘，该连接部分包括在纵向方向和Z方向上延伸的边缘，其中，该中央部分的Z方向边缘与该连接部分的边缘形成从大于90

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层陶瓷电容器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求递交日为2020年11月30日的第63/119,184号美国临时专利申请的递交权益，该申请通过引用全部并入本文。

技术介绍

[0003]现代技术应用的多样性产生了对在这些应用中所使用的高效电子部件和集成电路的需求。电容器是用于这种现代应用的滤波、耦合、旁路和其他方面的基础部件，这些现代应用可以包括无线通信、警报系统、雷达系统、电路交换、匹配网络和许多其他应用。集成电路在速度和封装密度上的显著增长尤其需要耦合电容器技术的改进。在高电容耦合电容器经受当前许多应用的高频率时，性能特性变得越来越重要。由于电容器是如此广泛的应用的基础，因此电容器的精度和效率是极其重要的。因此，电容器设计的许多特定方面一直是改进其性能特性的焦点。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的一个实施例，公开了一种多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器具有第一端和第二端，该第二端与该第一端在纵向方向上分隔开，该纵向方向垂直于横向方向，其中，该横向方向和该纵向方向均垂直于Z方向。该多层陶瓷电容器包括单片主体，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器具有第一端和第二端，所述第二端与所述第一端在纵向方向分隔开，所述纵向方向垂直于横向方向，所述横向方向和所述纵向方向均垂直于Z方向，所述多层陶瓷电容器包括：叠置体，所述叠置体包括多个介电层和多个电极层，所述多个介电层和所述多个电极层关于所述横向方向而平行；其中，至少一个电极层包括第一电极，所述第一电极包括连接部分和中央部分，所述中央部分从所述连接部分在所述纵向方向上延伸，其中，所述中央部分包括Z方向边缘，所述连接部分包括在所述纵向方向和所述Z方向上延伸的边缘，其中，所述中央部分的所述Z方向边缘与所述连接部分的所述边缘形成从大于90
°
至小于180
°
的第一角度；第一外部端子和第二外部端子，所述第一外部端子沿着所述第一端设置，所述第二外部端子沿着所述第二端设置。2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一角度是从100
°
至160
°
。3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述连接部分的所述边缘是直线形边缘。4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述连接部分的所述边缘是弯曲边缘。5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极还包括基底部分，所述基底部分与所述第一外部端子电连接，其中，所述连接部分从所述基底部分在纵向方向上延伸。6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一电极的所述基底部分具有在所述Z方向延伸上的纵向边缘和在所述纵向方向上延伸的长度，其中，所述第一外部端子具有在所述横向方向上延伸的第一纵向边缘，其中，基于所述基底部分的长度，所述第一外部端子的所述第一纵向边缘在所述基底部分的所述纵向边缘的5％内。7.根据权利要求5所述的多层陶瓷电容器，其中，所述基底部分包括纵向边缘，其中，所述基底部分的所述纵向边缘与所述连接部分的所述边缘形成从大于90
°
至小于180
°
的第二角度。8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第二角度是从100
°
至160
°
。9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述叠置体在所述纵向方向上在所述多层陶瓷电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽安，
申请(专利权)人：京瓷AVX元器件公司，
类型：发明
国别省市：