发光装置、电子设备和有机金属化合物制造方法及图纸

本申请中提供了包括由式1表示的有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。式1式1的详细描述与本说明书中描述的相同。与本说明书中描述的相同。与本说明书中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、电子设备和有机金属化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0011787号的优先权和权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。


[0003]一个或多个实施方式涉及包括有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。

技术介绍

[0004]在发光装置中，自发射装置具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面优异或适当的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]根据本公开的一个或多个实施方式的方面涉及包括有机金属化合物的发光装置、包括发光装置的电子设备和有机金属化合物。
[0007]另外的方面将部分地在随后的描述中陈述，并且部分地将从描述中为显而易见的，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。
[0008]根据一个或多个实施方式，发光装置包括：
[0009]第一电极，
[0010]面向第一电极的第二电极，
[0011]在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，以及
[0012]由式1表示的有机金属化合物：
[0013]式1
[0014][0015]其中，在式1中，
[0016]M可为铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)，
[0017]环CY1、环CY
21
和环CY
23
可各自独立地为C3‑
C
30
碳环基或C1‑
C
30
杂环基，
[0018]环CY
22
可为C1‑
C
30
杂环基，
[0019]X1和X
21
至X
23
可各自独立地为C或N，
[0020]L1至L3可各自独立地为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，
[0021]T1可为单键、*
‑
C(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'、*
‑
C(R
2a
)＝*'、*＝C(R
2a
)
‑
*'、*
‑
C(R
2a
)＝C(R
2b
)
‑
*'、
[0022]*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
2a
)
‑
*'、*
‑
N(R
2a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
2a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'，
[0023]T2可为单键、*
‑
C(R
3a
)(R
3b
)
‑
*'、*
‑
C(R
3a
)＝*'、*＝C(R
3a
)
‑
*'、*
‑
C(R
3a
)＝C(R
3b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
3a
)
‑
*'、*
‑
N(R
3a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P
(R
3a
)(R
3b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
3a
)(R
3b
)...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极，面向所述第一电极的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，以及由式1表示的有机金属化合物：式1其中，在式1中，M为铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，环CY1、环CY
21
和环CY
23
各自独立地为C3‑
C
30
碳环基或C1‑
C
30
杂环基，环CY
22
为C1‑
C
30
杂环基，X1和X
21
至X
23
各自独立地为C或N，L1至L3各自独立地为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
1a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'，T1为单键、*
‑
C(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'、*
‑
C(R
2a
)＝*'、*＝C(R
2a
)
‑
*'、*
‑
C(R
2a
)＝C(R
2b
)
‑
*'、
*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
2a
)
‑
*'、*
‑
N(R
2a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
2a
)(R
2b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
2a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
2a
)(R
2b
)
‑
*',T2为单键、*
‑
C(R
3a
)(R
3b
)
‑
*'、*
‑
C(R
3a
)＝*'、*＝C(R
3a
)
‑
*'、*
‑
C(R
3a
)＝C(R
3b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
3a
)
‑
*'、*
‑
N(R
3a
)
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
P(R
3a
)(R
3b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
3a
)(R
3b
)
‑
*'、*
‑
P(＝O)(R
3a
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'或*
‑
Ge(R
3a
)(R
3b
)
‑
*'，*和*'各自指示与相邻原子的键合位点，n1至n3各自独立地为选自1至5的整数，m1为选自0至2的整数，其中，当m1为0时，T1不存在，并且因此环CY1和环CY
23
彼此不结合，m2为1或2，Y1为C(Z1)或N，Y2为C(Z2)或N，Y3为C(Z3)或N，Y4为C(Z4)或N，Y5为C(Z5)或N，Y6为C(Z6)或N，Y7为C(Z7)或N，Y8为C(Z8)或N，R1、R
21
、R
23
、Z1至Z8、R
1a
、R
1b
、R
2a
、R
2b
、R
3a
和R
3b
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷硫基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，a1、a21和a23各自独立地为选自0至10的整数，式1中的表示单键或双键，Z1和Z2任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，Z3和Z4任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，Z5和Z6任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，Z7和Z8任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R
2a
和R
2b
任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，
R
3a
和R
3b
任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，选自R
2a
和R
2b
中的一个和数量为a1的R1中的一个任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，选自R
2a
和R
2b
中的一个和数量为a23的R
23
中的一个任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，选自R
3a
和R
3b
中的一个和数量为a21的R
21
中的一个任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，选自R
3a
和R
3b
中的一个和数量为a23的R
23
中的一个任选地彼此结合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基，各自未取代的或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合，各自未取代的或被下述取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合，或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
O(Q
31
)、
‑
S(Q
31
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或C1‑
C
60
烷氧基；或者各自未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述夹层包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子控制层或其任何组合。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中
所述夹层包括：i)第一化合物，所述第一化合物为所述由式1表示的有机金属化合物；和ii)包括至少一个缺π电子的含氮C1‑
C
60
环状基团的第二化合物、包括富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基的第三化合物、能够发射延迟荧光的第四化合物或其任何组合，其中所述第一化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同，并且所述第三化合物不为化合物CBP或化合物mCBP：4.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述第二化合物由式2表示：式2其中，在式2中，L
61
至L
63
各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，b61至b63各自独立地为选自1至5的整数，X
64
为N或C(R
64
)，X
65
为N或B(R
65
)，X
66
为N或C(R
66
)，并且X
64
至X
66
中的至少一个为N，R
61
至R
66
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，并且R
10a
和Q1至Q3与参照式1描述的相同。5.根据权利要求3所述的发光装置，其中
所述第三化合物包括由式3表示的基团：式3其中，在式3中，环CY
71
和环CY
72
各自独立地为富π电子的C3‑
C
60
环状基团或吡啶基，式3中的X
71
为单键或包含O、S、N、B、C、Si或其任何组合的连接基团，并且式3中的*指示与所述第三化合物中的相邻原子的键合位点。6.根据权利要求3所述的发光装置，其中所述第四化合物包括至少一个包括硼和氮两者作为成环原子的环状基团。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射具有410nm至500nm的最大发射波长的光。8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的有机金属化合物具有10％或更大的三重态金属
‑
配体电荷转移态值。9.一种电子设备，包括根据权利要求1至8中任一项所述的发光装置。10.根据权利要求9所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极。11.一种由式1表示的有机金属化合物：式1
其中在式1中，M为铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，环CY1、环CY
21
和环CY
23
各自独立地为C3‑
C
30
碳环基或C1‑
C
30
杂环基，环CY
22
为C1‑
C
30
杂环基，X1和X
21
至X
23
各自独立地为C或N，L1至L3各自独立地为单键、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝*'、*＝C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)＝C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
N(R
1a
)
‑
*'、*
...

【专利技术属性】
技术研发人员：全美那，高秀秉，安恩秀，李在晟，李炫汀，韩定勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：