一种硅部件的双面研磨方法技术

本申请提供一种硅部件的双面研磨方法，属于半导体材料制造领域。硅部件的双面研磨方法包括以下步骤：将硅部件和辅助工件放置到双面研磨设备内的多个游星轮内，并使得每个游星轮内均放置有承压的硅部件和/或辅助工件，且使得硅部件的单位承压为200~800 N/cm2；以及通入研磨液并驱动双面研磨设备将硅部件研磨至目标厚度，通过该双面研磨方法，能够在兼顾加工少量和/或小尺寸硅部件的情况下改善硅部件容易出现表面不良的问题。容易出现表面不良的问题。容易出现表面不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种硅部件的双面研磨方法


[0001]本申请涉及半导体材料制造领域，具体而言，涉及一种硅部件的双面研磨方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，大型双面研磨设备凭借其高效、稳定以及高精度等优异性能，已经成为硅部件制备的主流方式，但是，由于现有的大型双面研磨设备对硅部件的数量以及截面尺寸等均有一定的要求，使得在面对少量硅部件和/或小尺寸硅部件时，容易出现表面不良（例如表面平整度较低以及划痕较多）甚至无法加工的问题；并且，由于现有双面研磨工艺中针对的通常是数量和尺寸满足加工要求的硅部件，在面对少量硅部件和/或小尺寸硅部件时（尤其是大面积镂空的硅部件，例如硅环），现有研磨工艺中的众多参数（例如研磨液的密度等）存在难以适配的问题，会导致硅部件加工后出现表面不良的问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种硅部件的双面研磨方法，以全部或部分解决上述问题。
[0004]本申请的实施例是这样实现的：本申请实施例提供一种硅部件的双面研磨方法，包括以下步骤：将硅部件和辅助工件放置到双面研磨设备内的多个游星轮内，并使得每个游星本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种硅部件的双面研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅部件和辅助工件放置到双面研磨设备内的多个游星轮内，并使得每个所述游星轮内均放置有承压的所述硅部件和/或所述辅助工件，且使得所述硅部件的单位承压为200~800 N/cm2；以及通入研磨液并驱动所述双面研磨设备将所述硅部件研磨至目标厚度。2.根据权利要求1所述的双面研磨方法，其特征在于，所述辅助工件中，硅的质量分数不低于60%。3.根据权利要求1所述的双面研磨方法，其特征在于，所述辅助工件在垂直于厚度方向上的截面形状为圆形、三角形、矩形或椭圆形。4. 根据权利要求1所述的双面研磨方法，其特征在于，所述硅部件在垂直于厚度方向上的截面形状为环形，在驱动所述双面研磨设备对所述硅部件进行研磨的步骤中，研磨液的密度为1.3~1.5 g/cm3。5.根据权利要求4所述的双面研磨方法，其特征在于，所述研磨液包括水、砂料和悬浮剂；其中，所述砂料和所述水的质量比为1：（1.6~2.2），所述砂料和所述悬浮剂的质量比为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏秋良，顾锋，金文明，丁帅，
申请(专利权)人：新美光苏州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：