一种硬质膜及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硬质膜及其制作方法，属于镀膜领域，制作方法包括以下步骤：将基材进行等离子清洗；通过磁控溅射在基材表面依次沉积第一层SiO2/Si、碳基硬质层，所述碳基硬质层包括CSiN层和C/C3N4层，其中，所述C/C3N4层叠设在CSiN层上方或下方，方法还包括通过磁控溅射在碳基硬质层表面沉积第二层SiO2/Si，方法还包括在第二层SiO2/Si表面蒸发AF药丸，形成AF层。硬质膜包括：基材，以及叠设在所述基材表面的第一层SiO2/Si；其中，所述第一层SiO2/Si表面叠设碳基硬质层，所述第一层SiO2/Si、碳基硬质层、第二层SiO2/Si、AF层的总厚度为10

【技术实现步骤摘要】
一种硬质膜及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种硬质膜，具体是一种硬质膜及其制作方法。

技术介绍

[0002]显示屏在使用过程中容易产生划痕，例如手机盖板，车载盖板、电视盖板，与尖锐物品摩擦，导致CG盖板产生划痕,影响外观。为此，人们在显示屏表面镀膜形成AF膜层，但随着显示屏(手机盖板，车载盖板、电视盖板等)与物品(口袋、手指)的频繁摩擦，最后容易导致CG盖板上的AF膜层脱落。
[0003]为避免AF膜层脱落，人们使用SiO2打底，或SiO2+Al2O3打底，与AF防水药丸结合，产生较好的防水、防划伤效果。但是，这种镀膜方式没有硬质材料，显示屏易产生划痕，且膜层结合不牢固，AF膜层易脱落。
[0004]因此，本领域技术人员提供了一种硬质膜及其制作方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种硬质膜及其制作方法，通过使用超硬材料堆叠，更好的与防水AF药丸结合，抗划伤、耐碱汗、耐摩擦，且膜层结合牢固，AF膜层不易脱落，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种硬质膜的制作方法，包括以下步骤：
[0008]将基材进行等离子清洗；
[0009]通过磁控溅射在基材表面依次沉积第一层SiO2/Si、碳基硬质层。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：所述碳基硬质层包括CSiN层和C/C3N4层，其中，所述C/C3N4层叠设在CSiN层上方或下方。
[0011]作为本专利技术再进一步的方案：所述碳基硬质层的具体磁控溅射过程为：磁控溅射碳硅靶并充氮气，碳硅靶混合沉积形成CSiN层；磁控溅射碳靶，充氮气则形成C3N4层，不充氮气则形成C层。
[0012]作为本专利技术再进一步的方案：所述CSiN层的厚度为2
‑
50nm。
[0013]作为本专利技术再进一步的方案：所述C/C3N4层的厚度为2
‑
50nm。
[0014]作为本专利技术再进一步的方案：还包括通过磁控溅射在碳基硬质层表面沉积第二层SiO2/Si。
[0015]作为本专利技术再进一步的方案：所述第一层SiO2/Si与第二层SiO2/Si的具体磁控溅射过程为：磁控溅射硅靶，充氧气则形成SiO2层，不充氧气则形成Si层。
[0016]作为本专利技术再进一步的方案：所述第二层SiO2/Si的厚度为2
‑
50nm。
[0017]作为本专利技术再进一步的方案：还包括在第二层SiO2/Si表面蒸发AF药丸，形成AF层。
[0018]作为本专利技术再进一步的方案：所述AF层的厚度为2
‑
50nm。
[0019]作为本专利技术再进一步的方案：所述第一层SiO2/Si、碳基硬质层、第二层SiO2/Si、AF层的总厚度为10
‑
230nm。
[0020]作为本专利技术再进一步的方案：所述磁控溅射在抽真空至高真空≤5.0E
‑
3Pa条件下进行。
[0021]作为本专利技术再进一步的方案：所述第一层SiO2/Si的厚度为2
‑
30nm。
[0022]本申请还公开了一种硬质膜，包括：基材，以及叠设在所述基材表面的第一层SiO2/Si；其中，所述第一层SiO2/Si表面叠设碳基硬质层。
[0023]作为本专利技术再进一步的方案：所述碳基硬质层包括CSiN层和C/C3N4层，其中，所述C/C3N4层叠设在CSiN层上方或下方。
[0024]作为本专利技术再进一步的方案：还包括第二层SiO2/Si，所述第二层SiO2/Si叠设在碳基硬质层表面。
[0025]作为本专利技术再进一步的方案：还包括AF层，所述AF层叠设在第二层SiO2/Si表面。
[0026]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0027]1、本专利技术通过磁控溅射工艺，生成具有高硬度的碳硅氮、碳化氮、碳，从而使膜体具有较高的硬度特点。
[0028]2、本专利技术的膜层硬度较高，使用莫氏硬度仪测量，镀完该硬质AF膜层后，莫氏硬度≥6。
[0029]3、本专利技术能够保持原有光学基准，雾度≤0.18％、B值≤1(CM3600)、透过率550nm≥90.5％。
[0030]4、本专利技术具有较好的橡皮摩擦效果，镀完该硬质AF膜后测试，橡皮摩擦≥5000次(荷重1kg，)水滴角≥110
°
，耐碱汗24H≥110
°
。
[0031]5、该专利技术适用手机盖板，车载盖板、电视盖板等CG面板，适用性较广。
附图说明
[0032]图1为一种硬质膜的制作方法的流程图；
[0033]图2为一种硬质膜的结构示意图；
[0034]图3为本申请现有技术中AF膜镀膜结构。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]在本专利技术中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本专利技术及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
[0037]并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其
他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本专利技术中的具体含义。
[0038]此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0039]此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。
[0040]正如本申请的
技术介绍
中提及的，专利技术人经研究发现，如图3所示，现有AF膜层的镀膜方式为使用SiO2打底，或SiO2+Al2O3打底，与AF防水药丸结合，这种镀膜方式虽然产生较好的防水、防划伤效果，但没有硬质材料，显示屏易产生划痕，且膜层结合不牢固，AF膜层易脱落。
[0041]为了解决上述缺陷，本申请公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硬质膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：将基材进行等离子清洗；通过磁控溅射在基材表面依次沉积第一层SiO2/Si、碳基硬质层。2.根据权利要求1所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，所述碳基硬质层包括CSiN层和C/C3N4层，其中，所述C/C3N4层叠设在CSiN层上方或下方。3.根据权利要求2所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，所述碳基硬质层的具体磁控溅射过程为：磁控溅射碳硅靶并充氮气，碳硅靶混合沉积形成CSiN层；磁控溅射碳靶，充氮气则形成C3N4层，不充氮气则形成C层。4.根据权利要求2或3所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，所述CSiN层的厚度为2
‑
50nm。5.根据权利要求2或3所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，所述C/C3N4层的厚度为2
‑
50nm。6.根据权利要求1所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，还包括通过磁控溅射在碳基硬质层表面沉积第二层SiO2/Si。7.根据权利要求6所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，所述第一层SiO2/Si与第二层SiO2/Si的具体磁控溅射过程为：磁控溅射硅靶，充氧气则形成SiO2层，不充氧气则形成Si层。8.根据权利要求6或7所述的一种硬质膜的制作方法，其特征在于，所述第二层SiO2/Si的厚度为2
‑
50nm。9.根据权利要求6或7...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁高伟，杨江涛，严海军，
申请(专利权)人：安徽精卓光显技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：