荧光体及其制造方法技术

本发明专利技术的课题在于，提供能够显示出更高的发光强度的氮化物系荧光体。其解决方法是一种荧光体，其包含：含有La、Ce、Si及N的氮化物荧光体、和存在于上述氮化物荧光体的表面的第1磷化合物。第1磷化合物包含选自磷酸镧、磷酸氢镧及它们的水合物中的至少一种。荧光体中所含的磷原子的含有率为0.07质量％以上且0.8质量％以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
荧光体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及荧光体及其制造方法。

技术介绍

[0002]作为发光装置，例如有将蓝色LED(Light Emitting Diode)芯片或蓝色LD(Laser Diode)与黄色荧光体组合而成的发光装置。作为黄色荧光体，例如已知有专利文献1中记载的具有La3Si6N
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:Ce表示的组成的氮化物系荧光体。专利文献1中提出了在含氟物质的存在下对氮化物系荧光体进行热处理的制造方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
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112589号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]本专利技术的一个方式的目的在于，提供能够显示出更高的发光强度的氮化物系荧光体及其制造方法。
[0008]解决问题的方法
[0009]第一个方式涉及一种荧光体，其包含：含有镧(La)、铈(Ce)、硅(Si)及氮(N)的氮化物荧光体、和存在于上述氮化物荧光体的表面的第1磷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种荧光体，其包含：含有La、Ce、Si及N的氮化物荧光体、和存在于所述氮化物荧光体的表面的第1磷化合物，所述第1磷化合物包含选自磷酸镧、磷酸氢镧及它们的水合物中的至少一种，所述荧光体中所含的磷原子的含有率为0.07质量％以上且0.8质量％以下。2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体包含氧原子及氢原子，所述荧光体中所含的氧原子的含有率为0.6质量％以上，所述荧光体中所含的氢原子的含有率为0.02质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述氮化物荧光体具有下述式(1)表示的组成，La
p
Ce
s
M
1q
M
2r
N
t
(1)在式(1)中，M1表示选自除La及Ce以外的稀土类元素中的至少一种，至少包含选自Y、Gd及Lu中的至少一种，M2表示选自Si、Ge、B、Al及Ga中的至少一种，且M2至少包含Si，p、q、r、s及t满足2.7≤p+q+s≤3.3、0≤q≤1.2、5.4≤r≤6.6、10≤t≤12、0＜s≤1.2。4.根据权利要求3所述的荧光体，其中，在所述式(1)中，M1包含Y及Gd中的至少一种。5.一种发光装置，其具备：在350nm以上且500nm以下的波长范围内具有发光峰值波长的发光元件、和包含被所述发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田茂希，筱原雄之，渡边浩之，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：