荧光体及其制造方法技术

本发明专利技术的课题在于，提供能够显示出更高的发光强度的氮化物系荧光体。其解决方法是一种荧光体，其包含：含有La、Ce、Si及N的氮化物荧光体、和存在于上述氮化物荧光体的表面的第1磷化合物。第1磷化合物包含选自磷酸镧、磷酸氢镧及它们的水合物中的至少一种。荧光体中所含的磷原子的含有率为0.07质量％以上且0.8质量％以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
荧光体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及荧光体及其制造方法。

技术介绍

[0002]作为发光装置，例如有将蓝色LED(Light Emitting Diode)芯片或蓝色LD(Laser Diode)与黄色荧光体组合而成的发光装置。作为黄色荧光体，例如已知有专利文献1中记载的具有La3Si6N
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:Ce表示的组成的氮化物系荧光体。专利文献1中提出了在含氟物质的存在下对氮化物系荧光体进行热处理的制造方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
‑
112589号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]本专利技术的一个方式的目的在于，提供能够显示出更高的发光强度的氮化物系荧光体及其制造方法。
[0008]解决问题的方法
[0009]第一个方式涉及一种荧光体，其包含：含有镧(La)、铈(Ce)、硅(Si)及氮(N)的氮化物荧光体、和存在于上述氮化物荧光体的表面的第1磷化合物。第1磷化合物包含选自磷酸镧、磷酸氢镧及它们的水合物中的至少一种。另外，荧光体中所含的磷原子的含有率为0.07质量％以上且0.8质量％以下。
[0010]第二方式涉及一种荧光体的制造方法，该方法包括：
[0011]在相对于具有下述式(1)表示的组成的氮化物荧光体为0.1质量％以上且47质量％以下的第2磷化合物及液态水或气态水的存在下，以90℃以上且400℃以下的温度对氮化物荧光体进行热处理，
[0012]La
p
Ce
s
M
1q
M
2r
N
t
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(1)
[0013]式(1)中，M1表示选自除La及Ce以外的稀土类元素中的至少一种，至少包含选自Y、Gd及Lu中的至少一种，M2表示选自Si、Ge、B、Al及Ga中的至少一种，至少包含Si，p、q、r、s及t满足2.7≤p+q+s≤3.3、0≤q≤1.2、5.4≤r≤6.6、10≤t≤12、0＜s≤1.2。
[0014]第三方式涉及一种发光装置，其包含：
[0015]在350nm以上且500nm以下的波长范围内具有发光峰值波长的发光元件、和
[0016]被发光元件激发的第一个方式的荧光体。
[0017]专利技术的效果
[0018]根据本专利技术的一个方式，可以提供能够显示出更高的发光强度的氮化物系荧光体及其制造方法。
附图说明
[0019]图1A是从主面侧观察波长转换构件的俯视图。
[0020]图1B是从侧面观察波长转换构件的侧面图，是将其一部分放大示出的剖面图。
[0021]图2是示出发光装置的一例的结构示意图、和将其波长转换构件的一部分放大示出的图。
[0022]图3是示出发光装置的另一例的结构示意图、和将其波长转换构件的一部分放大示出图。
[0023]图4是示出荧光体的发光光谱的图。
[0024]图5是示出来自波长转换构件的射出光的发光强度变化相对于激光二极管的输出密度变化的图。
[0025]符号说明
[0026]10：发光元件、50：波长转换构件、52：波长转换层、54：支撑体、70：荧光体、80：荧光体层、82：光透射层、100、110：发光装置。
具体实施方式
[0027]在本说明书中，“工序”这个用语不仅包括独立的工序，在与其它工序无法明确地区分时，只要能够实现该工序所期望的目的，则也包括在本用语中。另外，对于组合物中的各成分的含量而言，在组合物中符合各成分的物质存在多个的情况下，只要没有特别说明，则是指在组合物中存在的该多个物质的合计量。此外，对于本说明书中记载的数值范围的上限及下限而言，可以分别任意地选择作为数值范围示例出的数值并组合。在本说明书中，色名与色度坐标的关系、光的波长范围与单色光的色名的关系等按照JIS Z8110。荧光体的半值宽度是指，在荧光体的发光光谱中，发光强度相对于最大发光强度达到50％的发光光谱的波长宽度(半值全宽；FWHM)。以下，对本专利技术的实施方式详细地进行说明。然而，以下示出的实施方式示例出用于将本专利技术的技术思想具体化的荧光体及其制造方法，本专利技术限定于以下示出的荧光体及其制造方法。
[0028]荧光体
[0029]荧光体包含：含有镧(La)、铈(Ce)、硅(Si)及氮(N)的氮化物荧光体、和存在于氮化物荧光体的表面的第1磷化合物。第1磷化合物包含选自磷酸镧、磷酸氢镧及它们的水合物中的至少一种。另外，荧光体中所含的磷原子的含有率为0.07质量％以上且0.8质量％以下。
[0030]包含以给定量在表面具有特定的磷化合物的氮化物荧光体的荧光体能够实现高的亮度。推测通过在折射率高的氮化物荧光体的表面配置折射率低的磷化合物，使得磷化合物与空气层的折射率差比氮化物荧光体与空气层的折射率差小，能够提高光的取出效率。
[0031]氮化物荧光体可以在其组成中进一步包含选自除La及Ce以外的稀土类元素中的至少一种稀土类元素M1。在氮化物荧光体的组成中包含的除La及Ce以外的稀土类元素M1可以至少包含选自Y、Gd及Lu中的至少一种，也可以至少包含Y及Gd中的至少一种，还可以至少包含Y。
[0032]对于氮化物荧光体的组成而言，在将Si的摩尔数例如设为6的情况下，La的摩尔数
之比例如可以为0.5以上且3.05以下。La的摩尔数之比优选可以为1.2以上、或2.0以上，而且优选可以为2.9以下、或2.2以下。对于氮化物荧光体的组成而言，在将Si的摩尔数设为6的情况下，Ce的摩尔数之比可以为1.2以下。Ce的摩尔数之比优选可以为0.15以上、或0.30以上，而且优选可以为1.0以下、或0.8以下。对于氮化物荧光体的组成而言，在将Si的摩尔数设为6的情况下，M1的摩尔数之比例如可以为0以上且1.2以下。M1的摩尔数之比优选可以为0.3以上、或0.5以上，而且优选可以为1.0以下、或0.8以下。对于氮化物荧光体的组成而言，在将Si的摩尔数设为6的情况下，氮的摩尔数之比例如可以为10以上且12以下，优选可以为10.5以上、或10.8以上，而且优选可以为11.5以下、或11.3以下。
[0033]对于氮化物荧光体的组成而言，在将Si的摩尔数例如设为6的情况下，La、Ce及M1的合计摩尔数之比例如可以为2.7以上且3.3以下。La、Ce及M1的合计摩尔之比优选可以为2.8以上、或2.9以上，而且优选可以为3.2以下、或3.1以下。
[0034]在氮化物荧光体的组成中，Si的一部分可以被包含选自Ge、B、Al及Ga中的至少一种的第13族元素或第14族元素取代。
[0035]氮化物荧光体例如可以具有下述式(1)表示的组成。
[0036]La
p
Ce
s
M
1q
M
2r
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种荧光体，其包含：含有La、Ce、Si及N的氮化物荧光体、和存在于所述氮化物荧光体的表面的第1磷化合物，所述第1磷化合物包含选自磷酸镧、磷酸氢镧及它们的水合物中的至少一种，所述荧光体中所含的磷原子的含有率为0.07质量％以上且0.8质量％以下。2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体包含氧原子及氢原子，所述荧光体中所含的氧原子的含有率为0.6质量％以上，所述荧光体中所含的氢原子的含有率为0.02质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述氮化物荧光体具有下述式(1)表示的组成，La
p
Ce
s
M
1q
M
2r
N
t
(1)在式(1)中，M1表示选自除La及Ce以外的稀土类元素中的至少一种，至少包含选自Y、Gd及Lu中的至少一种，M2表示选自Si、Ge、B、Al及Ga中的至少一种，且M2至少包含Si，p、q、r、s及t满足2.7≤p+q+s≤3.3、0≤q≤1.2、5.4≤r≤6.6、10≤t≤12、0＜s≤1.2。4.根据权利要求3所述的荧光体，其中，在所述式(1)中，M1包含Y及Gd中的至少一种。5.一种发光装置，其具备：在350nm以上且500nm以下的波长范围内具有发光峰值波长的发光元件、和包含被所述发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田茂希，筱原雄之，渡边浩之，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：