荧光体组合物及其制造方法技术

本发明专利技术提供发光特性优异的荧光体。一种荧光体组合物，其包含：在组成中包含作为选自除铈以外的稀土类元素中的至少1种的元素M、硅、氮及铈的氮化物荧光体、和氟氧化物。荧光体组合物中的氟氧化物的含有率基于X射线衍射法的参考强度比法为1.5质量％以上且10质量％以下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】荧光体组合物及其制造方法


[0001]本专利技术涉及荧光体组合物及其制造方法。

技术介绍

[0002]在一般的白色发光装置中，利用荧光体对来自蓝色LED(Light Emitting Diode)芯片的光的一部分进行颜色转换，将来自蓝色LED芯片的蓝色光和来自荧光体的发光混色而制作白色光。另外，也正在利用蓝色LD(Laser Diode)与荧光体的组合进行白色发光装置的开发。作为白色发光装置，例如有蓝色LED芯片或蓝色LD与黄色荧光体的组合。作为黄色荧光体，在国际公开第2014/123198号中提出了具有La3Si6N
11
:Ce(以下，有时简称为LSN)表示的组成、以Ce作为活化剂的荧光体。

技术实现思路

[0003]专利技术所要解决的问题
[0004]即使在使用LSN作为黄色荧光体的情况下，也与其它荧光体同样，要求更进一步提高荧光体的发光特性。例如，要求荧光体具有更高的亮度、即使在更高的温度区域也持续保持发光特性等。本专利技术的一个方式的目的在于，提供高亮度、并且抑制了在高温度区域中的发光特性降低的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种荧光体组合物，其包含：氮化物荧光体、和氟氧化物，所述氮化物荧光体在组成中包含元素M、硅、氮及铈，所述元素M为选自除铈以外的稀土类元素中的至少1种，所述氟氧化物的含有比率基于X射线衍射法的参考强度比法为1.5质量％以上且10质量％以下。2.根据权利要求1所述的荧光体组合物，其中，所述氮化物荧光体具有下述式(1)表示的组成，M
p
Si
q
N
r
:Ce
s
ꢀꢀ
(1)式中，M包含选自Sc、Y、La、Gd、Tb及Lu中的至少1种，p满足2.5≤p≤3.3，q满足5.4≤q≤6.6，r满足10≤r≤12，s满足0＜s≤0.8。3.根据权利要求1或2所述的荧光体组合物，其中，根据X射线衍射法的参考强度比法，所述氟氧化物的含有比率为3质量％以上且6.7质量％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体组合物，其中，相对于所述氮化物荧光体1摩尔，所述氟氧化物的含量为0.15摩尔以上且0.26摩尔以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体组合物，其中，所述氟氧化物具有下述式(2)表示的组成，MO
t
F
u
ꢀꢀ
(2)式中，M包含选自Sc、Y、La、Gd、Tb及Lu中的至少1种，t满足0＜t≤2...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田茂希，渡边浩之，细川昌治，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：