电路板加工方法、系统、涨缩控制成型机及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种电路板加工方法、系统、涨缩控制成型机及存储介质，所述方法包括：获取到电路板的理论靶点坐标，所述理论靶点坐标为所述电路板未发生涨缩变化时的靶点坐标；当需对所述电路板进行加工时，检测所述电路板的实际靶点坐标；计算得到所述实际靶点坐标相较于所述理论靶点坐标的涨缩参数；基于所述涨缩参数，对所述电路板的原始图形进行校正，得到校正图形；通过所述校正图像对所述电路板加工。可见，本发明专利技术基于理论靶点坐标和实际靶点坐标即可计算得到涨缩参数，更加简单快捷。更加简单快捷。更加简单快捷。

【技术实现步骤摘要】
电路板加工方法、系统、涨缩控制成型机及存储介质


[0001]本专利技术涉及电路板加工
，尤其涉及一种电路板加工方法、系统、涨缩控制成型机及存储介质。

技术介绍

[0002]在高精度电路板(Printed Circuit Board，PCB)加工过程中，板材涨缩问题一直是行业内关注的重点，PCB板在加工过程中需要经过高温高压层压、药水浸泡或者其他物理加工过程时，均会导致PCB板发生涨缩变化，如果在PCB板加工过程中不对PCB板的涨缩变化进行补偿，将导致PCB板加工的良品率大大降低。
[0003]因此，本专利技术公开了一种电路板加工方法，以实现对PCB板进行高精度加工。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种电路板加工方法、系统、涨缩控制成型机及存储介质，以解决现有的PCB板加工成品率较低的问题。
[0005]一种电路板加工方法，包括：
[0006]获取到电路板的理论靶点坐标，所述理论靶点坐标为所述电路板未发生涨缩变化时的靶点坐标；
[0007]当需对所述电路板进行加工时，检测得到所述电路板的实际靶点坐标；
[0008]计算得到所述实际靶点坐标相较于所述理论靶点坐标的涨缩参数；
[0009]基于所述涨缩参数，对所述电路板的原始图形进行校正，得到校正图形；
[0010]通过所述校正图像对所述电路板加工。
[0011]上述方法，可选的，所述涨缩参数包括横坐标涨缩值和纵坐标涨缩值，所述实际靶点坐标包括第一实际靶点坐标和第二实际靶点坐标，所述理论靶点坐标包括第一理论靶点坐标和第二理论靶点坐标，
[0012]其中，所述横坐标涨缩值和纵坐标涨缩值通过以下公式计算得到：
[0013][0014]Y
scale
＝X
scale
[0015]其中，(x1,y1)为所述第一理论靶点坐标，(x2,y2)为所述第二理论靶点坐标，(x
′1，y
′1)为所述第一实际靶点坐标，(x
′2，y
′2)为所述第二实际靶点坐标，X
scale
为所述横坐标涨缩值，Y
scale
为所述纵坐标涨缩值。
[0016]上述方法，可选的，所述涨缩参数还包括预设的横坐标旋转半径、纵坐标旋转半径及旋转角度，其中，所述横坐标旋转半径、所述纵坐标旋转半径及所述旋转角度通过以下方式得到：
[0017]获取到实际靶点直线角度和理论靶点直线角度，所述实际靶点直线角度基于所述
第一实际靶点坐标和所述第二实际靶点坐标得到，所述理论靶点直线角度基于第一理论靶点坐标和所述第二理论靶点坐标得到；
[0018]将所述实际靶点直线角度和所述理论靶点直线角度输入到旋转角度计算公式，得到所述旋转角度；
[0019]将所述旋转角度和所述预设的横坐标旋转半径输入到纵坐标旋转半径计算公式，计算得到所述纵坐标旋转半径；
[0020]上述方法，可选的，所述涨缩参数还包括横坐标中心值和纵坐标中心值，其中，所述横坐标中心值和所述纵坐标中心值通过以下方式得到：
[0021]获取每个所述理论靶点坐标的横坐标平均值和纵坐标平均值，分别作为所述横坐标中心值和所述纵坐标中心值。
[0022]上述方法，可选的，所述实际靶点坐标包括第三实际靶点坐标、第四实际靶点坐标、第五实际靶点坐标和第六实际靶点坐标，所述理论靶点坐标包括第三理论靶点坐标、第四理论靶点坐标、第五理论靶点坐标和第六理论靶点坐标，所述涨缩参数还包括横坐标涨缩值和纵坐标涨缩值，
[0023]其中，所述横坐标涨缩值和所述纵坐标涨缩值通过以下公式计算得到：
[0024][0025][0026]其中，dx3、dx4、dx5、dx6分别为不同所述实际靶点坐标和对应的所述理论靶点坐标之间的横坐标误差，dy3、dy4、dy5、dy6分别为不同实际靶点坐标和对应的理论靶点坐标之间的纵坐标误差，x3为所述第三理论靶点坐标的横坐标，y3为所述第三理论靶点坐标的纵坐标，x
center
为所述横坐标中心值，y
center
为所述纵坐标中心值，X
scale
为横坐标涨缩值，Y
scale
为纵坐标涨缩值。
[0027]上述方法，可选的，所述涨缩参数还包括横坐标偏移值和纵坐标偏移值，其中，所述横坐标偏移值和所述纵坐标偏移值通过以下方式得到：
[0028]分别获取到每个所述实际靶点坐标和所述实际靶点坐标对应的理论靶点坐标的横坐标差值作为横坐标误差；
[0029]分别获取到每个所述实际靶点坐标和所述实际靶点坐标对应的理论靶点坐标的纵坐标差值作为横坐标误差；
[0030]获取所述横坐标误差的平均值，作为所述横坐标偏移值；
[0031]获取所述纵坐标误差的平均值，作为所述纵坐标偏移值。
[0032]上述方法，可选的，所述涨缩参数还包括纵坐标旋转半径、横坐标旋转半径及旋转角度，所述纵坐标旋转半径、所述横坐标旋转半径及所述旋转角度通过以下公式得到：
[0033][0034][0035][0036]其中，x4第四理论靶点坐标的横坐标，x3为所述第三理论靶点坐标的横坐标，y5为所述第五理论靶点坐标的纵坐标，y4为所述第四理论靶点坐标的纵坐标，x为所述横坐标旋转半径，y为所述纵坐标旋转半径，θ为所述旋转角度。
[0037]一种涨缩控制系统，包括：
[0038]理论靶点坐标获取单元，用于获取到电路板的理论靶点坐标，所述理论靶点坐标为所述电路板未发生涨缩变化时的靶点坐标；
[0039]实际靶点坐标获取单元，用于当需对所述电路板进行加工时，检测所述电路板的实际靶点坐标；
[0040]涨缩参数计算单元，用于计算得到所述实际靶点坐标相较于所述理论靶点坐标的涨缩参数；
[0041]校正图形获取单元，用于基于所述涨缩参数，对所述电路板的原始图形进行校正，得到校正图形；
[0042]电路板加工单元，用于通过所述校正图像对所述电路板加工。
[0043]一种涨缩控制成型机，所述涨缩控制成型机包括涨缩控制模块和电路板加工模块，所述涨缩控制模块包括上述涨缩控制系统，所述涨缩控制模块基于所述涨缩控制系统控制所述电路板加工模块实现如上述任一项所述电路板加工方法。
[0044]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被涨缩控制模块执行时实现如上述任一项所述电路板加工方法。
[0045]综上所述，本专利技术公开了一种电路板加工方法、系统、涨缩控制成型机及存储介质，通过获取电路板的实际靶点坐标和理论靶点坐标来计算出实际靶点坐标相较于理论靶点坐标的涨缩参数，根据涨缩参数对电路板的原始加工图形进行矫正，得到校正图形，进而根据校正图像对电路板进行加工。可见，本专利技术中通过计算涨缩参数来对原始图形进行校正，以得到用于对电路板进行加工的校正图形，根据校正图形实现对线路板的高精度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路板加工方法，其特征在于，包括：获取到电路板的理论靶点坐标，所述理论靶点坐标为所述电路板未发生涨缩变化时的靶点坐标；当需对所述电路板进行加工时，检测得到所述电路板的实际靶点坐标；计算得到所述实际靶点坐标相较于所述理论靶点坐标的涨缩参数；基于所述涨缩参数，对所述电路板的原始图形进行校正，得到校正图形；通过所述校正图形对所述电路板加工。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涨缩参数包括横坐标涨缩值和纵坐标涨缩值，所述实际靶点坐标包括第一实际靶点坐标和第二实际靶点坐标，所述理论靶点坐标包括第一理论靶点坐标和第二理论靶点坐标，其中，所述横坐标涨缩值和所述纵坐标涨缩值通过以下公式计算得到：Y
scale
＝X
scale
其中，(x1,y1)为所述第一理论靶点坐标，(x2,y2)为所述第二理论靶点坐标，(x
′1，y
′1)为所述第一实际靶点坐标，(x
′2，y
′2)为所述第二实际靶点坐标，X
scale
为所述横坐标涨缩值，Y
scale
为所述纵坐标涨缩值。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述涨缩参数还包括预设的横坐标旋转半径、纵坐标旋转半径及旋转角度，其中，所述横坐标旋转半径、所述纵坐标旋转半径及所述旋转角度通过以下方式得到：获取实际靶点直线角度和理论靶点直线角度，所述实际靶点直线角度基于所述第一实际靶点坐标和所述第二实际靶点坐标得到，所述理论靶点直线角度基于第一理论靶点坐标和所述第二理论靶点坐标得到；将所述实际靶点直线角度和所述理论靶点直线角度输入到旋转角度计算公式，得到所述旋转角度；将所述旋转角度和所述预设的横坐标旋转半径输入到纵坐标旋转半径计算公式，计算得到所述纵坐标旋转半径。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涨缩参数还包括横坐标中心值和纵坐标中心值，其中，所述横坐标中心值和所述纵坐标中心值通过以下方式得到：获取每个所述理论靶点坐标的横坐标平均值和纵坐标平均值，分别作为所述横坐标中心值和所述纵坐标中心值。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述实际靶点坐标包括第三实际靶点坐标、第四实际靶点坐标、第五实际靶点坐标和第六实际靶点坐标，所述理论靶点坐标包括第三理论靶点坐标、第四理论靶点坐标、第五理论靶点坐标和第六理论靶点坐标，所述涨缩参数还包括横坐标涨缩值和纵坐标涨缩值，其中，所述横坐标涨缩值和所述纵坐标涨缩值通过以下公式计算得到：
其中，dx3、dx4、dx5、dx6分别为不同的所述实际靶点坐标和对...

【专利技术属性】
技术研发人员：马威，孔聪，姚泽钿，张永智，黎勇军，杨朝辉，
申请(专利权)人：深圳市大族数控科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：