一种基于非晶合金的换能元制造技术

技术编号:38342338 阅读:9 留言:0更新日期:2023-08-02 09:22
本发明专利技术属于火工品领域,具体涉及一种基于非晶合金的换能元。所述换能元为桥丝式、桥膜式或者桥带式;其中的桥丝、桥膜和桥带均采用非晶合金;非晶合金包括如下元素:Ni,Fe,B,Mo,V,Co,P,Cu,Ti,Zr,Si。非晶合金的通式为:Fe

【技术实现步骤摘要】
一种基于非晶合金的换能元


[0001]本专利技术属于火工品领域,具体涉及一种基于非晶合金的换能元。

技术介绍

[0002]换能元是火工品中实现能量引发、能量转换的核心部件,也是实现火工换能器件低能发火和高能量转换效率的关键。随着火工品微型化和集成化的发展趋势,传统火工品由于受到其材料等方面的限制,输出能量有限,此外在电刺激下,换能元作用速度快,火工品作用的可靠性存在问题。因此,探索新的材料和工艺来研发新型火工品以提高火工品的安全性和可靠性是当前火工品发展的重要方向之一。
[0003]目前,换能元常使用镍

铬合金、纯金属薄膜、多晶硅半导体等材料实现火工品的电热换能作用,桥丝、桥膜、桥带是电火工品换能元最常用的三种换能器件形式。镍

铬合金作为一种最常用的换能元材料,其原理是通过外部提供的电能产生电热效应来激发含能材料。周庆,焦清介.Ni

Cr桥丝式电火工品发火规律[J].四川兵工学报,2015,36(4):144

147中公开了Ni

Cr桥丝式换能元的发火性能,对基体材料和桥丝直径的影响进行了研究分析。王科伟,杨正才,刘海旭,等.钝感Ni

Cr金属桥膜换能元的制备及性能[J].含能材料,2014(6):819

823公开了一种采用磁控溅射技术制备的Ni

Cr薄膜桥换能元,尺寸为400μm
×
380μm
×
2.8μm,电阻为1Ω,获得了一种适用于钝感火工品的新型桥膜换能元。徐超,李兆泽,万红,等.MEMS固体微推进器中Cr薄膜点火电阻的研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1411

1414,1418公开了一种采用金属Cr作为点火电阻材料,通过磁控溅射镀膜、光刻以及Cr的湿法腐蚀工艺制备出了Cr薄膜点火电阻,并且实现了20V低电压下的黑索金的点火。多晶硅是另一种常被应用于半导体桥火工品中的换能材料,常在多晶硅中重掺杂P或B元素使得材料具有优良的半导体导电性能,目前发展有常规多晶硅半导体桥、单层/多层金属复合半导体桥、含能半导体桥等多种类型。南京理工大学沈瑞琪团队通过Al/Ni、B/Ti、Al/CuO,Zr/CuO、Mg/CuO等体系含能薄膜在半导体桥火工品的应用研究,证明其中Al/CuO含能复合薄膜在电激发的条件下可以发生电爆炸反应,产生除焦耳热外的Al膜和CuO膜之间的氧化还原化学反应热,从而使电爆炸反应的产物形成高温等离子体,实现输出能量倍增。
[0004]近年来研究者们也探索了一些新型的换能元材料,包括碳膜换能元、氮化钽换能元和含能MOFs等。南理工朱顺官团队采用基于碳材料的换能结构总体设计思想,通过高温热解、喷涂和化学气相沉积等工艺设计并制备出了碳膜换能元,研究发现碳膜桥较半导体桥、桥丝式火工品的能量利用率更高,点火能力强;发火区间窄,具有较好的抗静电能力,提高了火工品的安全性和可靠性。任小明,刘兰,余可馨,等.氮化钽薄膜换能元低能化研究[J].火工品,2021(1):5

8.公开了一种氮化钽薄膜换能元的设计与制备方法,不同桥膜厚度、桥区尺寸、桥区形状等因素对将换能元的发火产生影响,通过优化桥区尺寸和形状,获得的氮化钽薄膜换能元最小平均发火电压低于5V。张文超等人在专利CN 107631664 A中公开了一种含能MOFs薄膜半导体桥及其制备方法,采用纳米喷涂的方法将薄膜形式的MOFs组装到半导体桥芯片表面,含能MOFs在火工品点火过程中产生高温等离子体与高温飞溅物的
复合火焰,提高输出能量,增加了对斯蒂芬酸铅和叠氮化铅的点火能力。
[0005]非晶合金是一类采用冶金快速凝固技术和熵调控理念来抑制合金熔体原子的结晶,保持和调控熔体无序结构特征而得到的新型金属材料。非晶合金的主要特点是组成成分无序和原子结构长程无序,不存在晶界与堆垛层错等缺陷。目前还未有关于将非晶合金作为火工换能元材料的相关报道。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种基于非晶合金的换能元。
[0007]实现本专利技术目的的技术解决方案为:一种基于非晶合金的换能元,所述换能元为桥丝式、桥膜式或者桥带式;
[0008]其中的桥丝、桥膜和桥带均采用非晶合金;
[0009]非晶合金包括如下元素:Ni,Fe,B,Mo,V,Co,P,Cu,Ti,Zr,Si。
[0010]进一步的,非晶合金的通式为:Fe
a
Ni
b
B
c
Mo
d
V
e
Co
f
P
g
Cu
h
Ti
i
Zr
j
Si
k
,其中,a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k为原子百分数,其取值范围是:10<a<50,0≤b<70,0≤c<30,0≤d≤5,0≤e≤5,0≤f<70,0≤g≤5,0≤h<30,0≤i<40,0≤j<40,0≤k≤10。
[0011]进一步的,所述换能元为桥丝式,非晶合金桥丝为圆柱体丝状,电阻值范围1Ω~7Ω,直径大小9μm~30μm之间,长度为2
±
0.2mm。
[0012]进一步的,非晶合金桥丝以锡焊方式与换能元的电极塞焊盘或脚线焊接。
[0013]进一步的,所述换能元为桥膜式,换能元包括非晶合金薄膜桥区、基底和导电焊盘;
[0014]非晶合金薄膜桥区的尺寸为:长
×

×
厚=(100μm~300μm)
×
(100μm~300μm)
×
(1μm~2μm),电阻1Ω
±
0.1Ω。
[0015]进一步的,所述非晶合金薄膜桥区为“工”字形、四边形、双“V”字、双圆弧形、锯齿形;
[0016]所述基底为陶瓷、氧化铝、掺杂氧化铝、酚醛树脂或蓝宝石。
[0017]进一步的,非晶合金薄膜首先通过磁控溅射形成,然后通过飞秒或皮秒激光加工获得所需形状的薄膜桥区。
[0018]进一步的,所述换能元为桥带式,换能元包括两端片状大面积散热区和中间细腰状集热区;
[0019]所述集热区由非晶合金制备,即非晶合金桥带,非晶合金桥带的厚度为15μm~30μm,电阻为1Ω
±
0.1Ω。
[0020]进一步的,所述非晶合金集热区细腰窄缝为0.15mm~0.30mm。
[0021]进一步的,非晶合金桥带通过线切割制备。
[0022]本专利技术与现有技术相比,其显著优点在于:
[0023](1)工艺成熟简便,可大批量制备和使用,非晶合金换能元只是使用非晶合金材料代替现有材料,在桥丝、桥膜、桥带三种换能元的制造工艺上可以实现无缝对接;
[0024](2)非晶合金换能元在电激发下,自身既可以发生电热效本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于非晶合金的换能元,其特征在于,所述换能元为桥丝式、桥膜式或者桥带式;其中的桥丝、桥膜和桥带均采用非晶合金;非晶合金包括如下元素:Ni,Fe,B,Mo,V,Co,P,Cu,Ti,Zr,Si。2.根据权利要求1所述的换能元,其特征在于,非晶合金的通式为:Fe
a
Ni
b
B
c
Mo
d
V
e
Co
f
P
g
Cu
h
Ti
i
Zr
j
Si
k
,其中,a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k为原子百分数,其取值范围是:10<a<50,0≤b<70,0≤c<30,0≤d≤5,0≤e≤5,0≤f<70,0≤g≤5,0≤h<30,0≤i<40,0≤j<40,0≤k≤10。3.根据权利要求2所述的换能元,其特征在于,所述换能元为桥丝式,非晶合金桥丝为圆柱体丝状,电阻值范围1Ω~7Ω,直径大小9μm~30μm之间,长度为2
±
0.2mm。4.根据权利要求3所述的换能元,其特征在于,非晶合金桥丝以锡焊方式与换能元的电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱朋宁爵勇简昊天沈瑞琪叶迎华
申请(专利权)人:南京理工大学
类型:发明
国别省市:

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