【技术实现步骤摘要】
金属件的制作方法、金属件及电子设备
[0001]本公开涉及纹理制作
，尤其涉及一种金属件的制作方法、金属件及电子设备。
技术介绍
[0002]针对金属材料，传统的金属件的制作方法的流程复杂、加工效率低，并且精度差，已经无法满足目前的工艺需求。其中，传统的金属件的制作方法中，一般使用菲林膜片进行纹理的蚀刻，但是，菲林膜片很容易受到温度影响，导致尺寸变异大，进而导致曝光精度差，从而导致形成的纹理的精度较差，无法满足工艺需求。
技术实现思路
[0003]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种金属件的制作方法、金属件及电子设备。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种金属件的制作方法，所述金属件的制作方法包括：
[0005]制备金属基底；
[0006]基于激光直接成像技术对金属基底的设定区域进行设定纹理图像的激光曝光处理；
[0007]对激光曝光处理后的金属基底进行显影处理；
[0008]对显影处理后的金属基底进行蚀刻处理；
[0009]在蚀刻处...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属件的制作方法，其特征在于，所述金属件的制作方法包括：制备金属基底；基于激光直接成像技术对金属基底的设定区域进行设定纹理图像的激光曝光处理；对激光曝光处理后的金属基底进行显影处理；对显影处理后的金属基底进行蚀刻处理；在蚀刻处理后的金属基底的所述设定区域设置防护膜层。2.根据权利要求1所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述激光曝光处理使用的激光包括紫外光。3.根据权利要求1所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述对激光曝光处理后的金属基底进行显影处理，包括：使用第一浓度的碳酸氢钠溶液对激光曝光处理后的金属基底进行显影处理。4.根据权利要求3所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述第一浓度大于或等于0.8％且小于或等于1.2％。5.根据权利要求3所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述使用第一浓度的碳酸氢钠溶液对激光曝光处理后的金属基底进行显影处理之后，所述方法还包括：使用纯水对金属基底进行水洗处理。6.根据权利要求1所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述对显影处理后的金属基底进行蚀刻处理，包括：使用蚀刻溶液对显影处理后的金属基底进行浸泡，以对金属基底进行蚀刻处理，浸泡时长大于或等于5min且小于或等于10min。7.根据权利要求6所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述蚀刻溶液至少包括磷酸、磷酸二氢钠和缓冲剂。8.根据权利要求6所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述使用蚀刻溶液对显影处理后的金属基底进行浸泡，以对金属基底进行蚀刻处理之后，所述方法还包括：使用稀硝酸溶液清洗对金属基底进行清洗处理。9.根据权利要求1所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述基于激光直接成像技术对金属基底的设定区域进行设定纹理图像的激光曝光处理，包括：在金属基底的设定区域设置光刻胶层；通过激光直接成像技术对设置光刻胶层后的金属基底，进行与所述设定纹理图案对应的激光曝光处理。10.根据权利要求9所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述在蚀刻处理后的金属基底的所述设定区域设置防护膜层之前，所述方法还包括：对蚀刻处理后的金属基底进行光刻胶去除处理，以去除金属基底的所述设定区域的光刻胶。11.根据权利要求10所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述对蚀刻处理后的金属基底进行光刻胶去除处理，包括：使用第二浓度的氢氧化钠溶液对蚀刻处理后的金属基底进行浸泡，以对金属基底进行光刻胶去除处理，其中，浸泡时长大于或等于3min且小于或等于5min，氢氧化钠溶液的温度大于或等于45℃且小于或等于55℃。
12.根据权利要求11所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述第二浓度大于或等于4％且小于或等于6％。13.根据权利要求11所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述使用第二浓度的氢氧化钠溶液对蚀刻处理后的金属基底进行浸泡，以对金属基底进行光刻胶去除处理之后，所述方法还包括：使用稀硝酸溶液对金属基底进行浸泡后，使用纯水对金属基底进行水洗处理。14.根据权利要求1所述的金属件的制作方法，其特征在于，所述金属基底包括铝合金基底，所述在蚀刻处理后的金属基底的所述设定区域设置防护膜层，包括：对蚀刻处理后的金属基底进行氧化处...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨峥，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。