图案化过程的扫描仪生产率和成像质量的优化制造技术

描述了一种用于源掩模优化(SMO)以提高图案化过程的扫描仪生产率的方法。所述方法包括：计算表示所述图案化过程的特性的设计变量的多变量成本函数。所述设计变量可以包括(a)作为所述照射源的特性的照射源变量，以及(b)作为所述设计布局的特性的设计布局变量。所述多变量成本函数可以是所述图案化过程的生产率的函数。所述方法还包括：通过调整所述设计变量直到预定义的终止条件被满足来重新配置所述图案化过程的所述特性。所述图案化过程的所述特性。所述图案化过程的所述特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案化过程的扫描仪生产率和成像质量的优化
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月25日提交的美国申请63/083,412的优先权，其通过引用全部并入本文。


[0003]本描述大体上涉及改进和优化光刻过程。更具体地，描述了用于源掩模优化的设备、方法和计算机程序，其被配置为优化图案化过程的扫描仪生产率和成像质量。

技术介绍

[0004]光刻投影设备可以例如被用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与IC的单个层相对应的图案(“设计布局”)。通过诸如通过图案形成装置上的图案辐照目标部分等方法，该图案可以被转印到已被涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻投影设备连续地转印到该目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案在一个操作中被转印到一个目标部分上。这种设备一般被称为步进器。在一般称为步进扫描设备的替代设备中，投影束沿着给本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于确定图案化过程的生产率的计算机实施的方法，所述图案化过程用于使用具有照射源和投影光学器件的光刻投影设备来将设计布局的一部分成像到衬底上，所述方法包括：使用硬件计算机系统得出物理剂量，其中所述物理剂量指示通过指定曝光时间累积的通过开放框架掩模在所述衬底处接收的能量密度；以及使用所述硬件计算机系统，根据所述物理剂量来计算所述生产率。2.根据权利要求1所述的方法，其中得出所述物理剂量包括：得出曝光裕度和清除剂量值，其中所述清除剂量值是使所述衬底中的抗蚀剂的均匀块显影所需的最小物理剂量，以及根据所述曝光裕度和所述清除剂量值来计算所述物理剂量。3.根据权利要求2所述的方法，其中得出所述曝光裕度包括：得出AI强度阈值和白掩模强度值，其中所述AI强度阈值指示针对与所述设计布局相对应的掩模预测所述衬底中的抗蚀剂显影所需的最小AI强度，并且其中所述白掩模强度值是与开放框架掩模相对应的AI强度，以及根据所述AI强度阈值和所述白掩模强度值来计算所述曝光裕度。4.根据权利要求2所述的方法，其中得出所述清除剂量值包括：得出尺寸剂量值，所述尺寸剂量值指示在所述衬底上印刷锚定特征所需的物理剂量，以及根据所述曝光裕度和所述尺寸剂量值来计算所述清除剂量值。5.根据权利要求1所述的方法，其中得出所述物理剂量包括：得出全透射剂量，所述全透射剂量指示通过开放框架掩模并且在所述照射源中没有任何遮蔽或变迹的情况下在所述衬底处接收的剂量。6.根据权利要求1所述的方法，其中得出所述物理剂量还包括：根据所述物理剂量和投影效率得出全透射剂量，其中所述投影效率是与所述照射源相关联的源图和光瞳透射的函数。7.根据权利要求1所述的方法，其中计算所述生产率还包括：根据作为所述照射源的特性的多个设计变量来计算所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭星月，徐端孚，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：