半导体装置的制造方法及用于其的黏合剂制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置的制造方法，其中，第一及第二部件经由黏合层连接，且第一及第二部件的连接部彼此连接。该制造方法包括：暂时压接工序，对第一及第二部件经由用于形成黏合层的热固性黏合剂进行暂时压接而获得暂时压接体；暂时压接体加压工序，在加压气氛下对暂时压接体加压，而获得完成加压的暂时压接体；及正式压接工序，使完成加压的暂时压接体的第一及第二部件压接由此将连接部彼此连接而获得压接体。在暂时压接工序中，在低于连接部的熔点的温度下进行第一及第二部件的暂时压接。在暂时压接体加压工序中，在低于连接部的熔点的温度下进行暂时压接体的加压。在正式压接工序中，在连接部的熔点以上的温度下进行完成加压的暂时压接体的加热。进行完成加压的暂时压接体的加热。进行完成加压的暂时压接体的加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法及用于其的黏合剂


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法及用于其的黏合剂。

技术介绍

[0002]近年来，为了满足对半导体装置的高性能、高集成度、高速度等要求，在半导体芯片或配线电路板上设置称为凸块的导电性突起作为连接部，并且通过连接部彼此的连接直接连接半导体芯片与配线电路板或其他半导体芯片的倒装芯片连接方法(FC连接方法)被广泛采用。FC连接方式例如用于作为半导体芯片与配线电路板之间的连接的COB(Chip On Board：芯片集成)型连接方式、在半导体芯片上设置凸块或配线作为连接部，且在半导体芯片之间连接的CoC(Chip On Chip：芯片上芯片)型连接方式、在晶片上连接半导体芯片后进行个片化而制作半导体封装的COW(Chip On Wafer：晶片上芯片)、在将晶片彼此压接后将其个片化而制作半导体封装的WOW(Wafer On Wafer：晶片上晶片)或将半导体封装彼此压接的POP(Package On Package：堆叠封装)等。FC连接方式还用于通过立体配置半导体芯片而不是平面状来减小封装的芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其中，具有第1连接部的第一部件及具有第2连接部的第二部件经由黏合层连接，且所述第1连接部及所述第2连接部电连接，所述半导体装置的制造方法包括：暂时压接工序，对所述第一部件及所述第二部件经由用于形成所述黏合层的热固性黏合剂使所述第1连接部与所述第2连接部相对配置的状态下进行暂时压接而获得暂时压接体；暂时压接体加压工序，在加压气氛下对所述暂时压接体加压，而获得完成加压的暂时压接体；及正式压接工序，对所述完成加压的暂时压接体一边加热一边加压，使所述第一部件及所述第二部件压接，由此连接所述第1连接部与所述第2连接部而获得压接体，在所述暂时压接工序中，在低于所述第1连接部的熔点及所述第2连接部的熔点的温度下进行所述第一部件及所述第二部件的暂时压接，在所述暂时压接体加压工序中，在低于所述第1连接部的熔点及所述第2连接部的熔点的温度下进行所述暂时压接体的加压，在所述正式压接工序中，在所述第1连接部及所述第2连接部中的至少一者的熔点以上的温度下进行所述完成加压的暂时压接体的加热。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述暂时压接工序中，在低于所述黏合剂的反应开始温度的温度下进行所述暂时压接体的加压。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述暂时压接体加压工序中，以0.05～0.8MPa的压力进行所述暂时压接体的加压。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述暂时压接体加压工序中，在所述黏合剂的反应开始温度以上的温度下进行所述暂时压接体的加压。...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野惠子，平理子，佐藤慎，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：