一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和作为雾化片的应用，其化学式为：0.91K

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于无铅压电陶瓷
，具体涉及一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]压电材料是受到压力作用时会在两端面间出现电压的晶体材料。压电材料能够实现电能和机械能的相互转换，在传感器和换能器等领域得到广泛应用。以锆钛酸铅(PZT)为代表的铅基压电陶瓷因其综合性能优异而占据了市场主导地位，但Pb在制造、使用以及废弃处理过程中会污染环境危害人类健康，特别是对于一些特定使用场景，如医用雾化器，加湿器，雾化式电子烟等，由于这些设备所发生的雾气直接被人体快速且大量摄入，含铅压电陶瓷具有潜在的健康风险。因此，在压电器件中使用环保型无铅陶瓷的要求越来越高。
[0003]在众多无铅候选材料中，铌酸钾钠(以下简称KNN)基无铅压电陶瓷因具有较大的压电常数d
33
和较高的居里温度T
C
和环境友好性而备受关注。压电常数d
33
是描述压电体的力学量和电学量之间的线性响应关系的比例常数，居里温度(Curie temp本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其化学通式如下：0.91K
0.48
Na
0.535
NbO3‑
0.08Bi
0.5
Na
0.5
TiO3‑
0.01BiFeO3‑
yTiO2其中，y为过量添加的TiO2的质量分数，其中，0.05≤y≤0.2。2.根据权利要求1所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其中，该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的压电系数d
33
为380～510pC/N，居里温度T
C
为350～355℃，机械品质因数Q
m
为130～215。3.根据权利要求1或2所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其中，所述过量添加的TiO2的质量分数满足：0.08≤y≤0.12；优选地，该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的压电系数d
33
为450～510pC/N，居里温度T
C
为352～355℃，机械品质因数Q
m
为150～215。4.根据权利要求1至3中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其中，所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的平面机电耦合系数K
p
为0.4～0.6。5.权利要求1至4中任一项所述的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法，所述制备方法包括：(1)配料和球磨：按照化学计量比称取分析纯的K2CO3、Na2CO3、Bi2O3、Nb2O5、TiO2和Fe2O3作为原料...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹俊，蒋健晖，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：