电感元件制造技术

本案关于一种电感元件，包含磁芯组及绕组。磁芯组包含上磁芯、下磁芯、环绕部及中柱，上磁芯具有相对设置的第一上表面及第一下表面，下磁芯具有相对设置的第二上表面及第二下表面，下磁芯的第二上表面位于第二下表面及上磁芯的第一下表面之间，环绕部具有环绕本体及中空结构，环绕本体具有顶面及底面，中空结构贯穿顶面及底面，其中顶面贴合于上磁芯的第一下表面，底面贴合于下磁芯的第二上表面，中柱位于上磁芯的第一下表面及下磁芯的第二上表面之间，且穿设环绕部的中空结构，绕组环绕于中柱，且位于中柱及环绕部之间。且位于中柱及环绕部之间。且位于中柱及环绕部之间。

【技术实现步骤摘要】
电感元件


[0001]本案关于一种电感元件，尤指一种损耗低且效率佳的电感元件。

技术介绍

[0002]通常，马达中具有电感元件，用以抵抗瞬间大电流。而传统电感元件包含圆环状磁芯及绕组，绕组缠绕于圆环状磁芯上，当电感元件设置于马达中时，绕组与马达中的其他元件有直接接触的可能性，造成短路的风险。此外，传统电感元件的谐波电压总畸变率(VoltageTotalHarmonicsDistortion,VTHD)所对应的功率损耗的数值较高，举例来说，于功率因数为1的前提下，传统电感元件的谐波电压总畸变率为0％时所对应的功率损耗为2.28，传统电感元件的谐波电压总畸变率为25％时所对应的功率损耗为2.17，传统电感元件的谐波电压总畸变率为50％时所对应的功率损耗为2.68，传统电感元件的谐波电压总畸变率为75％时所对应的功率损耗为3.17，传统电感元件的谐波电压总畸变率为100％时所对应的功率损耗为3.51，而于功率因数为0.9的前提下，传统电感元件的谐波电压总畸变率为25％时所对应的功率损耗为5.08，传统电感元件的谐波电压总畸变率为50％时所对应的功率损耗为9.71，传统电感元件的谐波电压总畸变率为75％时所对应的功率损耗为6.4，传统电感元件的谐波电压总畸变率为100％时所对应的功率损耗为7.35，由此可知，传统电感元件的功率损耗较高且效率较差，进而造成马达的转速降低。
[0003]因此，如何发展一种克服上述缺点的电感元件，实为目前迫切的需求。

技术实现思路

[0004]本案的目的在于提供一种电感元件，其中本案的电感元件的磁芯组具有上磁芯、下磁芯、环绕部及中柱，中柱穿设于环绕部的中空结构，而使环绕部的环绕本体环绕中柱设置，且绕组位于中柱及环绕部的环绕本体之间，而使绕组被环绕部所保护于磁芯组的内部，故绕组可避免与其他元件直接接触，因此，本案的电感元件较不容易与其他元件接触而造成短路，故本案的电感元件具有较佳的使用性。此外，本案的电感元件经由上述的结构设置而可得到较低的功率损耗及较佳的效率，使得应用本案的电感元件的马达的转速较高。更甚者，本案的电感元件的环绕部的环绕本体与绕组之间具有间隙，可使绕组较不容易与环绕部的环绕本体产生摩擦而损坏，进而提升绕组的使用率。
[0005]为达上述目的，本案的一实施例为一种电感元件，包含磁芯组及绕组。磁芯组包含上磁芯、下磁芯、环绕部及中柱。上磁芯具有相对设置的第一上表面及第一下表面。下磁芯具有相对设置的第二上表面及第二下表面，下磁芯的第二上表面位于第二下表面及上磁芯的第一下表面之间。环绕部具有环绕本体及中空结构，环绕本体具有顶面及底面，中空结构贯穿顶面及底面，其中顶面贴合于上磁芯的第一下表面，底面贴合于下磁芯的第二上表面。中柱位于上磁芯的第一下表面及下磁芯的第二上表面之间，且穿设环绕部的中空结构。绕组环绕于中柱，且位于中柱及环绕部之间。
[0006]依据本案一实施例，该下磁芯及该中柱为一体成型的结构。
[0007]依据本案一实施例，该环绕部的该环绕本体还包含一环绕壁面，位于该顶面及该底面之间，该环绕壁面还包含一出线孔，该出线孔由该环绕壁面靠近该底面的一侧朝该顶面的方向内凹所构成。
[0008]依据本案一实施例，该上磁芯包含一第一环绕壁面，位于该第一上表面及该第一下表面之间，该下磁芯包含一第二环绕壁面，位于该第二上表面及该第二下表面之间，该环绕部的该环绕本体还包含一第三环绕壁面，位于该顶面及该底面之间，其中该第三环绕壁面的外表面与该第一环绕壁面的外表面及该第二环绕壁面的外表面为共平面。
[0009]依据本案一实施例，该环绕部与该绕组之间具有一间隙。
[0010]依据本案一实施例，该上磁芯为合金上磁芯或铁氧体上磁芯。
[0011]依据本案一实施例，该环绕部为合金环绕部或铁氧体环绕部。
[0012]依据本案一实施例，该下磁芯为合金下磁芯，该中柱为合金中柱。
[0013]依据本案一实施例，该电感元件所应用的产品的功率为800瓦以上。
附图说明
[0014]图1为本案的电感元件设置于壳体内的组合结构示意图；
[0015]图2为图1所示的电感元件的爆炸结构示意图；
[0016]图3为图1所示的电感元件沿A
‑
A
’
方向的剖面结构图。
[0017]【符号说明】
[0018]1：电感元件
[0019]2：壳体
[0020]3：磁芯组
[0021]31：上磁芯
[0022]311：第一上表面
[0023]312：第一下表面
[0024]313：第一环绕壁面
[0025]32：下磁芯
[0026]321：第二上表面
[0027]322：第二下表面
[0028]323：第二环绕壁面
[0029]33：环绕部
[0030]331：环绕本体
[0031]332：中空结构
[0032]333：顶面
[0033]334：底面
[0034]335：第三环绕壁面
[0035]336：线孔
[0036]34：中柱
[0037]4：绕组
[0038]5：间隙
具体实施方式
[0039]体现本案特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本案能够在不同的态样上具有各种的变化，其皆不脱离本案的范围，且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用，而非用于限制本案。
[0040]请参阅图1及图2，其中图1为本案的电感元件设置于壳体内的组合结构示意图，图2为图1所示的电感元件的爆炸结构示意图。于本实施例中，本案的电感元件1设置于马达(未图示)的壳体内，图1及图2中仅示出马达的部分壳体2，而马达所应用的产品可为但不限为不断电系统(UninterruptiblePower Supply,UPS)，其中马达的功率为1000瓦以上。于其他实施例中，本案的电感元件1所应用的产品的功率可为800瓦以上。如图1及图2所示，本案的电感元件1包含磁芯组3及绕组4。
[0041]磁芯组3包含上磁芯31、下磁芯32、环绕部33及中柱34。上磁芯31为片状结构以构成I型磁芯，且上磁芯31由合金材质或铁氧体材质所构成。如图2所示，上磁芯31具有第一上表面311、第一下表面312及第一环绕壁面313。第一上表面311及第一下表面312相对设置而位于上磁芯31的相对两侧，第一环绕壁面313位于第一上表面311及第一下表面312之间。下磁芯32为片状结构，且下磁芯32由合金材质所构成。如图1及图2所示，下磁芯32与上磁芯31分别位于磁芯组3的相对两侧，且下磁芯32具有第二上表面321、第二下表面322及第二环绕壁面323。第二上表面321及第二下表面322相对设置而位于下磁芯32的相对两侧，下磁芯32的第二上表面321位于第二下表面322及上磁芯31的第一下表面312之间，上磁芯31的第一下表面312位于第一上表面311及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电感元件，其特征在于，包含：一磁芯组，包含：一上磁芯，具有相对设置的一第一上表面及一第一下表面；一下磁芯，具有相对设置的一第二上表面及一第二下表面，该下磁芯的该第二上表面位于该第二下表面及该上磁芯的该第一下表面之间；一环绕部，具有一环绕本体及一中空结构，该环绕本体具有一顶面及一底面，该中空结构贯穿该顶面及该底面，其中该顶面贴合于该上磁芯的该第一下表面，该底面贴合于该下磁芯的该第二上表面；以及一中柱，位于该上磁芯的该第一下表面及该下磁芯的该第二上表面之间，且穿设该环绕部的该中空结构；以及一绕组，环绕于该中柱，且位于该中柱及该环绕部之间。2.根据权利要求1所述的电感元件，其特征在于，该下磁芯及该中柱为一体成型的结构。3.根据权利要求1所述的电感元件，其特征在于，该环绕部的该环绕本体还包含一环绕壁面，位于该顶面及该底面之间，该环绕壁面还包含一出线孔，该出线孔由该环绕壁面靠近该底...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡朝易，颜錞靖，赖育骏，鍾熙国，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：