一种高漏感的差共模一体式电感制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高漏感的差共模一体式电感，属于差共模一体电感领域，旨在通过改善气隙结构提升漏感感量。本实用新型专利技术将差共模一体式电感磁芯设置为闭合形状，使得电感具有良好的导磁率并形成优异的共模滤波能力，同时设置于磁芯中部的第一导磁条和/或第二导磁条之间通过在端部设置为斜面，以形成气隙靠近部和气隙远离部，使磁芯成型模具在气隙处有足够的强度并且电感磁芯的良品率和模具寿命获得提升，继而使气隙设为较小的距离而满足漏感需要，实现在满足市场竞争的合理成本基础上提升差模滤波能力，总体上为市场提供价格有竞争力，差共模滤波能力优异的差共模一体式电感。差共模滤波能力优异的差共模一体式电感。差共模滤波能力优异的差共模一体式电感。

【技术实现步骤摘要】
一种高漏感的差共模一体式电感


[0001]本技术属于差共模一体电感领域，具体涉及一种高漏感的差共模一体式电感。

技术介绍

[0002]随着电子设备使用量的增加，设备所产生的电磁干扰(简称为EMI)杂波将窜入其他设备，而导致设备工作不稳定。EMI按照波形特征可以为共模干扰和差模干扰，其中，共模干扰是一对传输线幅度和相位相近的干扰噪声信号，而差模干扰是一对传输线幅度相近但相位相反的干扰噪声信号。
[0003]现有技术中，差共模一体式电感的技术方案是：在导磁磁芯对称绕制两个绕组线圈形成共模电感部分，在共模电感部分基础上，位于两个绕组线圈之间在导磁磁芯中部上设置导磁体，使共模闭合的磁通的小部经该导磁体导向返回到绕组线圈，继而形成漏感，使两组线圈都具有差模电感量，从而消除差模干扰。
[0004]然而，导磁磁芯中部所设置的导磁体，将易于趋向饱和，而失去消除差模干扰的效用。公开号为CN203721415U的中国专利公开了一种差共模一体电感，其通过设置2个E形磁芯开口相对地对接成一体，同时2个E形磁芯的中柱的长度较小形成气隙。通过中柱的气隙可形成消除差模干扰的漏感，并且通过改变气隙的大小，能改变差模电感大小，以满足不同的差模滤波需求。但是，2个E形磁芯通过边柱连接为一体，两者的接触端面有缝隙，将导致导磁率的降低而无法满足需要。若采用一体成型的环形磁芯，则难以设置长度足够小的气隙，继而差模滤波性能不足。
[0005]鉴于此，现有技术亟待上述技术问题，实现一种既满足共模和差模滤波需要，同时具有较高的良品率和较低的加工成本的差共模一体式电感。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的不足和市场需求，本技术的目的主要在于提供一种高漏感的差共模一体式电感，在一体成型的闭合磁环基础上，通过改善气隙结构，实现差共模一体式电感的漏感感量的提升，同时结构简单、加工效率高、成本合理且适应规模生产。
[0007]为了实现上述目的，本技术采用如下的技术方案：
[0008]一种差共模一体式电感，包括：闭合磁芯，为内部贯通的闭合形状；两个线圈绕组，分别对称地绕制于闭合磁芯的左右两侧；以及，第一导磁条和第二导磁条，分别一体连接于闭合磁芯的上下两侧，并且沿闭合磁芯的中部轴向相对地延伸形成气隙；其中，所述第一导磁条的端部和/或第二导磁条的端部设置有相对中部径向倾斜的斜面，以使第一导磁条和第二导磁条之间形成气隙的靠近部和气隙的远离部。
[0009]优选地，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部在相对的其中一侧形成气隙的靠近部，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部在相对的另一侧形成气隙的远离部。
[0010]优选地，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部均为平面，且所述第一导磁条和第二导磁条的端部平面均平行于闭合磁芯的内部贯通方向。
[0011]优选地，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部均为平面，且所述第一导磁条和/或第二导磁条的端部平面相对于闭合磁芯的内部贯通方向倾斜。
[0012]优选地，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部在两侧之间形成气隙的靠近部，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部在两侧处或两侧之一处形成气隙的远离部。
[0013]优选地，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部之间沿中部轴向最近的距离在0.2至1.5毫米范围内。
[0014]任选地，该差共模一体式电感还包括填充导磁体，所述填充导磁体的上端部匹配于所述第一导磁条的端部，所述填充导磁体的下端部匹配于，以使填充导磁体嵌入地设置于气隙之中。
[0015]优选地，所述闭合磁芯、第一导磁条和第二导磁条所制成的材料相同，所述填充导磁体所制成的材料的导磁率低于所述第一导磁条及第二导磁条所制成的材料。
[0016]优选地，所述第一导磁条的端部和第二导磁条的端部之间沿中部轴向最近的距离大于或等于1.5毫米。
[0017]任选地，所述闭合磁芯包括两个纵向磁条和两个横向磁条，两纵向磁条的外侧分别绕制有线圈绕组，两纵向磁条的端部分别通过横向磁条相连，以形成内部贯通的闭合形状，所述第一导磁条和第二导磁条分别设置于纵向磁条朝内一侧；所述纵向磁条、横向磁条、第一导磁条和第二导磁条由金属粉末一体成型连接；所述两个线圈绕组的线径和绕制匝数均相同，所述两个线圈绕组的绕制方向相反。
[0018]以下将对上述高漏感的差共模一体式电感进行具体阐述。
[0019]相比于现有技术，本技术的有益效果主要体现在：
[0020]本技术将磁芯设置为闭合形状，使得电感具有良好的导磁率并形成优异的共模滤波能力，同时设置于磁芯中部的第一导磁条和第二导磁条之间通过在端部设置斜面形成气隙靠近部和气隙远离部；在气隙远离部的设置作用下，磁芯成型模具在气隙处有足够的强度，使电感磁芯的良品率和模具寿命获得提升，继而使气隙靠近部能被设为较小地距离而足够满足漏感需要，实现在满足市场竞争的合理成本基础上提升差模滤波能力，总体上为市场提供价格有竞争力，差共模滤波能力优异的差共模一体式电感。
[0021]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
附图说明
[0022]图1是传统中部导磁条的局部结构示意图。
[0023]图2是依据本技术的实施例1的差共模一体式电感的整体结构示意图；
[0024]图3a是依据本技术的实施例2的差共模一体式电感的整体结构示意图；
[0025]图3b是依据本技术的实施例2的差共模一体式电感的A
‑
A剖面的结构示意图；
[0026]图4依据本技术的实施例3的差共模一体式电感的局部结构示意图；
[0027]图5依据本技术的实施例4的差共模一体式电感的局部结构示意图；
[0028]图6依据本技术的实施例5的差共模一体式电感的局部结构示意图；
[0029]图7依据本技术的实施例6的差共模一体式电感的局部结构示意图；
[0030]图8依据本技术各实施例的差共模一体式电感的共模噪声流入示意图；
[0031]图9依据本技术各实施例的差共模一体式电感的差模噪声流入示意图。
[0032]附图标记：10、闭合磁芯；11、第一导磁条；12、第二导磁条；13、填充导磁体；14、纵向磁条；15、横向磁条；20、气隙；21、靠近部；22、远离部；30、线圈绕组。
具体实施方式
[0033]为更好的说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面结合附图和实施例对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不作为限制本专利技术的范围。
[0034]参考图1，在现有技术的差共模电感中，两个中部导磁条形成气隙的端部均为平面，且两个中部导磁条的端部平面相互平行，每个中部导磁条的端部平面均与中部径向相平行。因此，两中部导磁条的端部平面之间的各处距离均相等。为了漏感满足要求，气隙的长度需要设置在毫米级别，这将导致气隙处的成型困难，模具损耗大，良品率低，而加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种差共模一体式电感，其特征在于，包括：闭合磁芯(10)，为内部贯通的闭合形状；两个线圈绕组(30)，分别对称地绕制于闭合磁芯(10)的左右两侧；以及，第一导磁条(11)和第二导磁条(12)，分别一体连接于闭合磁芯(10)的上下两侧，并且沿闭合磁芯(10)的中部轴向相对地延伸形成气隙(20)；其中，所述第一导磁条(11)和/或第二导磁条(12)的端部被配置为相对中部径向倾斜的斜面，以使第一导磁条(11)和第二导磁条(12)之间形成气隙(20)的靠近部(21)和气隙(20)的远离部(22)。2.如权利要求1所述的一种差共模一体式电感，其特征在于，所述第一导磁条(11)的端部和第二导磁条(12)的端部在相对的其中一侧形成气隙(20)的靠近部(21)，所述第一导磁条(11)的端部和第二导磁条(12)的端部在相对的另一侧形成气隙(20)的远离部(22)。3.如权利要求1所述的一种差共模一体式电感，其特征在于，所述第一导磁条(11)的端部和第二导磁条(12)的端部均为平面，且所述第一导磁条(11)和第二导磁条(12)的端部平面均平行于闭合磁芯(10)的内部贯通方向。4.如权利要求1所述的一种差共模一体式电感，其特征在于，所述第一导磁条(11)的端部和第二导磁条(12)的端部均为平面，且所述第一导磁条(11)和/或第二导磁条(12)的端部平面相对于闭合磁芯(10)的内部贯通方向倾斜。5.如权利要求1所述的一种差共模一体式电感，其特征在于，所述第一导磁条(11)的端部和第二导磁条(12)的端部在两侧之间形成气隙(20)的靠近部(21)，所述第一导磁条(11)的端部和第二导磁条(12...

【专利技术属性】
技术研发人员：林朝福，
申请(专利权)人：东莞市宏福星电子有限公司，
类型：新型
国别省市：