一种双MOS管的过压和反接保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双MOS管的过压和反接保护电路，包括NMOS管Q1、PMOS管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、三极管Q2、第一二极管D1和第二二极管D2。本电路中，当电源反接时，NMOS管Q1处于关闭状态，电压不能进入内部从而保护内部电路，实现反接保护功能；当电源不超过特定电压时，第二二极管D2处于关闭状态，这时通过电阻R6与R7的分压，使得PMOS管Q3能够正常导通；当输入电源超过特定电压时，由于第二二极管D2导通，导致三极管Q2导通，PMOS管Q3就处于关闭状态，这时电压也不能进入内部从而保护内部电路。路。路。

【技术实现步骤摘要】
一种双MOS管的过压和反接保护电路


[0001]本技术属于过压和反接保护
，具体涉及一种双MOS管的过压和反接保护电路。

技术介绍

[0002]通常在电子应用领域中，鉴于外部供电电源及使用过程中的一些不稳定因素，所以需要设计一些电路来保护内部电路，防止因外部干扰对内部电路造成损坏。有些设备的电压一般工作在特定电压以内，例如36V以内，但很多时候由于外部电压会有超压或反接的情况出现，导致内部电路损坏。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中存在的技术问题，本技术提供一种双MOS管的过压和反接保护电路，解决外部电压超压或反接而导致内部电路损坏的问题。
[0004]本技术为解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
[0005]一种双MOS管的过压和反接保护电路，包括NMOS管Q1、PMOS管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、三极管Q2、第一二极管D1和第二二极管D2；
[0006]NMOS管Q1的漏极与输入负极相连，NMOS管Q1的栅极通过第一电阻R1与输入正极相连，NMOS管Q1的源极与输出负极相连；NMOS管Q1的漏极通过第一电容C1和第二电阻R2与NMOS管Q1的源极相连；第二电容C2、第三电阻R3和第一二极管D1并联在NMOS管Q1的栅极和NMOS管Q1的源极之间，其中第一二极管D1的正极与NMOS管Q1的源极相连；第六电阻R6和第七电阻R7串联在输入正极和输出负极之间；PMOS管Q3的源极与输入正极相连，PMOS管Q3的漏极与输出正极相连，PMOS管Q3的栅极与第六电阻R6和第七电阻R7的连接点相连；第四电阻R4和第二二极管D2串联在输入正极和输出负极之间，其中第二二极管D2的正极与输出负极相连；三极管Q2的集电极与第六电阻R6和第七电阻R7的连接点相连，三极管Q2的基极通过第五电阻R5与第四电阻R4和第二二极管D2的连接点相连，三极管Q2的发射集与输入正极相连。
[0007]进一步的，第一二极管D1为稳压二极管，型号为SMB3Z12A。
[0008]进一步的，第二二极管D2为瞬态抑制二极管，型号为SMAJ33A。
[0009]进一步的，三极管Q2为PNP型三极管，型号为2SB1188
‑
Q。
[0010]进一步的，PMOS管Q3的型号为YJG40GP06A。
[0011]进一步的，NMOS管Q1的型号为YJG30N06A。
[0012]本技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
[0013]在本技术的双MOS管的过压和反接保护电路中，NMOS管Q1用来做电源反接保护，当电源反接时，NMOS管Q1处于关闭状态，电压不能进入内部从而保护内部电路，实现反接保护功能；第二二极管D2、三极管Q2、PMOS管Q3和三极管D1完成对电源的过压保护；当电
源不超过特定电压时，第二二极管D2处于关闭状态，这时通过电阻R6与R7的分压，使得PMOS管Q3能够正常导通；当输入电源超过特定电压时，由于第二二极管D2导通，导致三极管Q2导通，PMOS管Q3就处于关闭状态，这时电压也不能进入内部从而保护内部电路，此时稳压管D1保护NMOS管Q1不被损坏；电压恢复正常后，可以正常工作，适应性强。
附图说明
[0014]图1为本技术的双MOS管的过压和反接保护电路图。
具体实施方式
[0015]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0016]本技术提供一种安全性好、实现简单的MOS管过压和反接的保护电路，包括NMOS管Q1、PMOS管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、三极管Q2、第一二极管D1和第二二极管D2；
[0017]其中：NMOS管Q1的漏极与输入负极相连，NMOS管Q1的栅极通过第一电阻R1与输入正极相连，NMOS管Q1的源极与输出负极相连；NMOS管Q1的漏极通过第一电容C1和第二电阻R2与NMOS管Q1的源极相连；第二电容C2、第三电阻R3和第一二极管D1并联在NMOS管Q1的栅极和NMOS管Q1的源极之间，其中第一二极管D1的正极与NMOS管Q1的源极相连；第六电阻R6和第七电阻R7串联在输入正极和输出负极之间；PMOS管Q3的源极与输入正极相连，PMOS管Q3的漏极与输出正极相连，PMOS管Q3的栅极与第六电阻R6和第七电阻R7的连接点相连；第四电阻R4和第二二极管D2串联在输入正极和输出负极之间，其中第二二极管D2的正极与输出负极相连；三极管Q2的集电极与第六电阻R6和第七电阻R7的连接点相连，三极管Q2的基极通过第五电阻R5与第四电阻R4和第二二极管D2的连接点相连，三极管Q2的发射集与输入正极相连。
[0018]当电源反接时，NMOS管Q1处于关闭状态，电压不能进入内部从而保护内部电路，实现反接保护功能；本技术当电源不超过特定电压时，第二二极管D2处于关闭状态，这时通过电阻R6与R7的分压，使得PMOS管Q3能够正常导通；当输入电源超过特定电压时，由于第二二极管D2导通，导致三极管Q2导通，PMOS管Q3就处于关闭状态，这时电压也不能进入内部从而保护内部电路。
[0019]具体的，如图1所示，本技术实施例的双MOS管的过压和反接保护电路，包括NMOS管Q1、PMOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、三极管Q2、二极管D1和二极管D2；NMOS管Q1的漏极与输入负极相连，NMOS管Q1的栅极通过电阻R1与输入正极连接，NMOS管Q1的源极与输出负极相连；电容C1和电阻R2串联后，一端与NMOS管Q1的源极连接，另一端和NMOS管Q1的漏极相连；电容C2、电阻R3和二极管D1并联在NMOS管Q1的栅极和NMOS管Q1的源极之间；PMOS管Q3的源极与输入正极连接，PMOS管Q3的漏极与输出正极相连接；电阻R6与电阻R7串联在输入正极和输出负极之间；PMOS管Q3的栅极与电阻R6的一端、电阻R7的一端及三极管Q2的集电极相连接；二极管D2与电阻R4串联在
输入正极和输出负极之间；电阻R5的一端与三极管Q2基极连接，另一端与R4和D2相连接；三极管Q2发射集与电源输入正极连接。
[0020]在其中一个实施例中，二极管D1为稳压二极管，保证NMOS管正常连接下的开启和过压下对NMOS管Q1的保护，二极管D1型号为SMB3Z12A。
[0021]在其中一个实施例中，电容C1、电阻R2实现断电时对NMOS管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双MOS管的过压和反接保护电路，其特征在于，包括NMOS管Q1、PMOS管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、三极管Q2、第一二极管D1和第二二极管D2；NMOS管Q1的漏极与输入负极相连，NMOS管Q1的栅极通过第一电阻R1与输入正极相连，NMOS管Q1的源极与输出负极相连；NMOS管Q1的漏极通过第一电容C1和第二电阻R2与NMOS管Q1的源极相连；第二电容C2、第三电阻R3和第一二极管D1并联在NMOS管Q1的栅极和NMOS管Q1的源极之间，其中第一二极管D1的正极与NMOS管Q1的源极相连；第六电阻R6和第七电阻R7串联在输入正极和输出负极之间；PMOS管Q3的源极与输入正极相连，PMOS管Q3的漏极与输出正极相连，PMOS管Q3的栅极与第六电阻R6和第七电阻R7的连接点相连；第四电阻R4和第二二极管D2串联在输入正极和输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱凯，邱永博，朱俊文，王红勇，郭晓东，
申请(专利权)人：湖北久之洋信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：