一种晶体硅光伏组件PID测试方法技术

本发明专利技术属于光伏组件测试领域，具体公开了一种晶体硅光伏组件PID测试方法，包括步骤S1、对测试样品组件第一次测试，记录最大功率一；S2、对测试样品组件进行PID试验，持续96小时后，在6小时内对测试样品组件进行第二次测试，记录最大功率二；S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时后进行第三次测试，记录最大功率三；若最大功率三＞最大功率二，记录PID后真实功率为最大功率三；若最大功率三≤最大功率二，记录PID后真实功率为最大功率二。本测试方法能够排查其他恢复方法不能恢复的缺陷，降低非本质PID现象造成的功率衰减，提高PID测试的精确性。提高PID测试的精确性。提高PID测试的精确性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅光伏组件PID测试方法


[0001]本专利技术涉及光伏组件测试领域，更具体地说，涉及一种晶体硅光伏组件PID测试方法。

技术介绍

[0002]晶体硅光伏组件一般指太阳电池组件，是由高效晶体硅太阳能电池片、超白布纹钢化玻璃、EVA、透明TPT背板以及铝合金边框组成。PID意为电位诱发衰减，光伏发电系统的系统电压存在对晶体硅电池组件有持续的“电位诱发衰减”效用，晶体硅电池通过封装材料(通常是EVA和玻璃的上表面)对组件边框形成的回路所导致的漏电流，进而导致电池发电性能下降现象。有效PID衰减是可以恢复的，由于日常PID测试的结果掺杂了其他原因造成的功率衰减，无法有效模真实的组件PID性能。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种晶体硅光伏组件PID测试方法，用以解决或部分解决现有市面上的晶体硅光伏组件PID测试方法在实际测试过程中出现的无法排查非本质PID现象造成的功率衰减，导致PID测试不准确的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]一种晶体硅光伏组件PID测试方法，包括如下步骤：
[0006]S1、对测试样品组件进行第一次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率一；
[0007]S2、对测试样品组件进行PID试验，PID试验持续96小时，PID试验结束后6小时内对PID试验后的测试样品组件进行第二次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率二；
[0008]S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时，对干热恢复处理后的测试样品组件进行第三次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率三；
[0009]若最大功率三＞最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率三；
[0010]若最大功率三≤最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率二。
[0011]根据本专利技术提供的晶体硅光伏组件PID测试方法，由于增加了照射恢复、PID测试极性相反的恢复、干热处理的恢复等PID测试后的恢复步骤，尤其通过对PID测试后的组件进行干热处理，排查其他恢复方法不能恢复的缺陷，降低非本质PID现象造成的功率衰减，提高PID测试的精确性，能够有效地评估晶体硅光伏组件PID性能，为保证光伏行业的发展提供技术支持。
[0012]优选地，上述PID试验的步骤包括：
[0013]S21、将测试样品组件绝缘放置在环境试验箱，并与导电件电连接，将所述导电件与供电装置电连接；
[0014]S22、调节环境试验箱的温度和湿度达到预设值后通过所述供电装置对所述导电件输出直流电压，达到预定时间后关闭所述供电装置；
[0015]S22、将所述测试样品组件从所述环境试验箱内取出后静置，等待第二次测试。
[0016]优选地，上述步骤S22中，环境试验箱的温度预设为85℃、湿度预设为85％RH，当所述环境试验箱温度在85
±
2℃、湿度在85
±
5％RH范围后，开始12h环境稳定期，在稳定期后将PID测试电压设定为负1500V或负系统最高电压值，保持96个小时。
[0017]优选地，上述步骤S21中，将所述测试样品组件的正负极短接后连接供电装置的一极，所述测试样品组件的边框连接供电装置的另一极。
[0018]优选地，上述步骤S3之前对所述测试样品组件进行光照恢复处理、紫外恢复处理、PID后反极性恢复处理中的一种或多种。
[0019]优选地，上述光照恢复处理包括将所述测试样品组件短路后进行2KWh/m2的光照照射，所述紫外恢复处理包括将所述测试样品组件短路后进行2KWh/m2的紫外照射。
[0020]优选地，上述PID后反极性恢复处理包括：按照步骤S2中的PID试验的步骤对测试样品组件通反向极性的电压，对PID后反极性恢复处理96小时。
[0021]优选地，上述第一次测试、第二次测试、第三次测试均包括外观检测、最大功率测试、EL电致发光测试和湿漏电流试验。
[0022]优选地，上述第一次测试中，湿漏电流试验后在不进行清洁处理的条件下直接自然放至干燥，然后进行步骤S2。
[0023]优选地，上述晶体硅光伏组件PID测试方法还包括在步骤S1之前的预处理，所述预处理包括将测试样品组件放置在50
±
10℃的环境下，组件在最大功率点状态下用辐照度为800W/m2～1000W/m2的光强累计照射60KWh/m2。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本专利技术实施例一提供的PID测试方法的流程图；
[0026]图2为本专利技术实施例二提供的PID测试方法的流程图；
[0027]图3为测试样品组件初始状态的EL图像；
[0028]图4为测试样品组件PID96小时后的EL图像；
[0029]图5为测试样品组件稳态光照2KWh/m2后的EL图像；
[0030]图6为测试样品组件干热恢复12小时后的EL图像；
[0031]图7为测试样品组件干热恢复84小时后的EL图像；
[0032]图8为测试样品组件干热恢复180小时后的EL图像；
[0033]图9为测试样品组件干热恢复252小时后的EL图像。
具体实施方式
[0034]本专利技术为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0036]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，包括：S1、对测试样品组件进行第一次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率一；S2、对测试样品组件进行PID试验，PID试验持续96小时，PID试验结束后6小时内对PID试验后的测试样品组件进行第二次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率二；S3、对测试样品组件进行PID后干热恢复处理，将测试样品组件开路放置在85～110℃的环境试验箱内进行干热试验96小时，对干热恢复处理后的测试样品组件进行第三次测试，记录测试结果，所述测试结果包括最大功率三；若最大功率三＞最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率三；若最大功率三≤最大功率二，所述测试样品组件的PID后真实功率记为最大功率二。2.根据权利要求1所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述PID试验的步骤包括：S21、将测试样品组件绝缘放置在环境试验箱，并与导电件电连接，将所述导电件与供电装置电连接；S22、调节环境试验箱的温度和湿度达到预设值后通过所述供电装置对所述导电件输出直流电压，达到预定时间后关闭所述供电装置；S22、将所述测试样品组件从所述环境试验箱内取出后静置，等待第二次测试。3.根据权利要求2所述的晶体硅光伏组件PID测试方法，其特征在于，所述步骤S22中，环境试验箱的温度预设为85℃、湿度预设为85％RH，当所述环境试验箱温度在85
±
2℃、湿度在85
±
5％RH范围后，开始12h环境稳定期，在稳定期后将PID测试电压设定为负1500V或负系统最高电压值，保持96个小...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永泽，韩华华，张颖，蒋京娜，田思，王云芳，杨燕，陈炯亮，李英叶，荣丹丹，吕长琪，李学健，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：