气体分析装置和气体分析方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气体分析装置，其具备：气室，其被导入气体；温度调节块，其对气室进行温度调节；以及压力传感器，其测定气室内部的压力，压力传感器内置于温度调节块和/或气室。压力传感器内置于温度调节块和/或气室。压力传感器内置于温度调节块和/或气室。

【技术实现步骤摘要】
气体分析装置和气体分析方法


[0001]本专利技术涉及气体分析装置和气体分析方法。

技术介绍

[0002]在使用红外吸收法测定气体的成分浓度的气体分析装置中，如专利文献1所示，为了高精度地测定成分浓度而使用气室内部的压力。而且，为了高精度地测定气室内部的压力，考虑不经由配管等而将压力传感器直接设置于气室的方法。
[0003]在此，作为上述压力传感器，例如使用静电电容型的压力传感器。该静电电容型的压力传感器具有因压力而变形的隔膜和与该隔膜对置的固定电极，将在隔膜与固定电极之间形成的静电电容转换为压力。
[0004]然而，上述隔膜也会因温度而发生变形，因此为了高精度地测定压力，需要对具有隔膜的传感器主体均匀地进行温度调节。因此，在压力传感器的传感器主体的周围设置有传感器用的温度调节机构。如果像这样将具有传感器用的温度调节机构的压力传感器安装于气室，则气体分析装置会大型化。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2012
‑
230011号公报
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体分析装置，其特征在于，具备：气室，其被导入气体；温度调节块，其对所述气室进行温度调节；以及压力传感器，其测定所述气室内部的压力，所述压力传感器内置于所述温度调节块和/或所述气室。2.根据权利要求1所述的气体分析装置，其特征在于，所述压力传感器为静电电容型。3.根据权利要求1或2所述的气体分析装置，其特征在于，所述压力传感器具有传感器主体，所述传感器主体具有压敏元件，所述传感器主体通过突缘部件固定于所述气室，并且经由所述突缘部件通过所述温度调节块进行温度调节。4.根据权利要求3所述的气体分析装置，其特征在于，在所述传感器主体的外侧周面与所述突缘部件之间形成有间隙。5.根据权利要求4所述的气体分析装置，其特征在于，所述气体分析装置还包括罩部，所述罩部隔开间隙地覆盖所述传感器主体的与传感器面相反一侧的后端面...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥基延，岸田创太郎，桒原朗，赤松武，坂口有平，南雅和，
申请(专利权)人：株式会社堀场STEC，
类型：发明
国别省市：