显示装置制造方法及图纸

一种显示装置包括：第一半导体层，在基底上，并且包括在第一像素区域中的第一部分、在第二像素区域中的第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第一连接部分；第二半导体层，在所述第一半导体层上，并且包括在所述第一像素区域中的第一部分、在所述第二像素区域中的第二部分以及连接所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分的连接部分；偏置电压线，在所述第二半导体层上，电连接到所述第一半导体层的所述第一连接部分，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及基准电压线，在所述第二半导体层上，电连接到所述第二半导体层的所述连接部分，并且在所述第二方向上延伸。且在所述第二方向上延伸。且在所述第二方向上延伸。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]实施例大体涉及显示高分辨率图像的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置可以包括多个像素，并且可以通过组合从多个像素发射的光来显示图像。
[0003]通常，多个像素可以设置在显示装置的有限的显示区域中。随着设置在显示区域中的像素的数量增加，可以增加在显示装置上显示的图像的分辨率。因此，为了在显示区域中设置尽可能多的像素，必须减小多个像素的每一个的面积。
[0004]像素可以包括用于驱动像素的晶体管和向晶体管提供驱动信号的信号线。随着晶体管的数量和信号线的数量的增加，可以增加像素的驱动速度。然而，随着像素中由晶体管所占的面积和由信号线所占的面积的增加，可以增加像素的面积。
[0005]将理解的是，
技术介绍
部分部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，该
技术介绍
部分还可以包括不属于相关领域技术人员在本文中公开的主题的相应有效申请日期之前已知或理解的内容的想法、概念或认识。

技术实现思路

[0006]实施例提供一种显示装置，其包括具有相对小的面积和相对高的驱动速度的像素。
[0007]根据实施例的显示装置可以包括：第一半导体层，设置在基底上，并且包括设置在第一像素区域中的第一部分、设置在第二像素区域中的第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第一连接部分，并且所述第一部分和所述第二部分可以具有基于所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的边界彼此对称的形状；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，并且包括设置在所述第一像素区域中的第一部分、设置在所述第二像素区域中的第二部分以及连接所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分的连接部分，并且所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分可以具有基于所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的所述边界彼此对称的形状；偏置电压线，设置在所述第二半导体层上，电连接到所述第一半导体层的所述第一连接部分，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及基准电压线，设置在所述第二半导体层上，电连接到所述第二半导体层的所述连接部分，并且在所述第二方向上延伸。
[0008]根据实施例，所述显示装置还可以包括：第一栅极电极，设置在所述第一半导体层上，其中所述第一栅极电极的一部分在平面图中与所述第一半导体层的所述第一部分重叠以限定第一偏置晶体管，并且所述第一栅极电极的另一部分在所述平面图中与所述第一半导体层的所述第二部分重叠以限定第二偏置晶体管。
[0009]根据实施例，所述第一半导体层的所述第一连接部分可以是所述第一偏置晶体管的源极区域和所述第二偏置晶体管的源极区域。
[0010]根据实施例，所述显示装置还可以包括：发射初始化控制线，设置在所述第二半导体层上，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述第一栅极电极。
[0011]根据实施例，所述显示装置还可以包括：上栅极电极，设置在所述第二半导体层上，所述上栅极电极的一部分在平面图中与所述第二半导体层的所述第一部分重叠以限定第一基准晶体管，并且所述上栅极电极的另一部分在所述平面图中与所述第二半导体层的所述第二部分重叠以限定第二基准晶体管。
[0012]根据实施例，所述显示装置还可以包括：下栅极电极，设置在所述第二半导体层下方，所述下栅极电极的一部分在所述平面图中与所述第二半导体层的所述第一部分和所述上栅极电极的所述一部分重叠，并且所述下栅极电极的另一部分在所述平面图中与所述第二半导体层的所述第二部分和所述上栅极电极的所述另一部分重叠。
[0013]根据实施例，所述第二半导体层的所述连接部分可以是所述第一基准晶体管的漏极区域和所述第二基准晶体管的漏极区域。
[0014]根据实施例，所述显示装置还可以包括：基准电压控制线，设置在所述第二半导体层上，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述上栅极电极。
[0015]根据实施例，所述第一半导体层可以包括硅半导体，并且所述第二半导体层可以包括氧化物半导体。
[0016]根据实施例，所述显示装置还可以包括：无机绝缘层，设置在所述第一半导体层和所述偏置电压线之间，并且具有围绕所述第一像素区域与所述第二像素区域的凹槽。
[0017]根据实施例，所述显示装置还可以包括：有机绝缘层，设置在所述无机绝缘层上，并且填充所述无机绝缘层的所述凹槽。
[0018]根据实施例的显示装置可以包括：第一半导体层，设置在基底上，并且包括设置在第一像素区域中的第一部分、设置在第二像素区域中的第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第一连接部分，所述第一部分和所述第二部分可以具有基于所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的边界彼此对称的形状；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，并且包括设置在所述第一像素区域中的第一部分、设置在所述第二像素区域中的第二部分、连接所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分的连接部分、设置在所述第一像素区域中的第三部分以及设置在所述第二像素区域中并与所述第三部分间隔开的第四部分，所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分可以具有基于所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的所述边界彼此对称的形状，并且所述第三部分和所述第四部分具有基于所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的所述边界彼此对称的形状；基准电压线，设置在所述第二半导体层上，电连接到所述第二半导体层的所述连接部分，并且在第二方向上延伸；以及初始化电压线，设置在所述第二半导体层上，并且电连接到所述第二半导体层的所述第三部分和所述第二半导体层的所述第四部分。
[0019]根据实施例，所述初始化电压线可以包括：水平初始化电压线，电连接到所述第二半导体层的所述第三部分和所述第二半导体层的所述第四部分，并且在第一方向上延伸；以及垂直初始化电压线，电连接到所述第二半导体层的所述第三部分。
[0020]根据实施例，所述显示装置还可以包括：第一桥电极，设置在所述第二半导体层上，将所述第二半导体层的所述第三部分和所述第一半导体层的所述第一部分电连接，并
且电连接到所述水平初始化电压线和所述垂直初始化电压线中的每一者；以及第二桥电极，设置在所述第二半导体层上，将所述第二半导体层的所述第四部分和所述第一半导体层的所述第二部分电连接，并且电连接到所述水平初始化电压线。
[0021]根据实施例的显示装置可以包括：第一半导体层，设置在基底上，并且包括设置在第一像素区域中的第一部分、设置在第二像素区域中的第二部分、连接所述第一部分和所述第二部分的第一连接部分以及连接所述第一部分和所述第二部分并与所述第一连接部分间隔开的第二连接部分，所述第一部分和所述第二部分可以具有基于所述第一像素区域和所述第二像素区域之间的边界彼此对称的形状；偏置电压线，设置在所述第一半导体层上，电连接到所述第一半导体层的所述第一连接部分，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及电源电压线，设置在所述第一半导体层上，并且电连接到所述第一半导体层的所述第二连接部分。
[0022本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：第一半导体层，设置在基底上，并且包括设置在第一像素区域中的第一部分、设置在第二像素区域中的第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第一连接部分，并且所述第一部分和所述第二部分具有基于所述第一像素区域和所述第二像素区域之间的边界彼此对称的形状；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，并且包括设置在所述第一像素区域中的第一部分、设置在所述第二像素区域中的第二部分以及连接所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分的连接部分，并且所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分具有基于所述第一像素区域和所述第二像素区域之间的所述边界彼此对称的形状；偏置电压线，设置在所述第二半导体层上，电连接到所述第一半导体层的所述第一连接部分，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及基准电压线，设置在所述第二半导体层上，电连接到所述第二半导体层的所述连接部分，并且在所述第二方向上延伸。2.根据权利要求1的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：第一栅极电极，设置在所述第一半导体层上，其中所述第一栅极电极的一部分在平面图中与所述第一半导体层的所述第一部分重叠以限定第一偏置晶体管，并且所述第一栅极电极的另一部分在所述平面图中与所述第一半导体层的所述第二部分重叠以限定第二偏置晶体管。3.根据权利要求2的所述显示装置，其中，所述第一半导体层的所述第一连接部分是所述第一偏置晶体管的源极区域和所述第二偏置晶体管的源极区域。4.根据权利要求2的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：发射初始化控制线，设置在所述第二半导体层上，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述第一栅极电极。5.根据权利要求1的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：上栅极电极，设置在所述第二半导体层上，所述上栅极电极的一部分在平面图中与所述第二半导体层的所述第一部分重叠以限定第一基准晶体管，并且所述上栅极电极的另一部分在所述平面图中与所述第二半导体层的所述第二部分重叠以限定第二基准晶体管。6.根据权利要求5的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：下栅极电极，设置在所述第二半导体层下方，所述下栅极电极的一部分在所述平面图中与所述第二半导体层的所述第一部分和所述上栅极电极的所述一部分重叠，并且所述下栅极电极的另一部分在所述平面图中与所述第二半导体层的所述第二部分和所述上栅极电极的所述另一部分重叠。7.根据权利要求5的所述显示装置，其中，所述第二半导体层的所述连接部分是所述第一基准晶体管的漏极区域和所述第二基准晶体管的漏极区域。8.根据权利要求5的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：基准电压控制线，设置在所述第二半导体层上，在所述第一方向上延伸，并且电连接到所述上栅极电极。9.根据权利要求1的所述显示装置，其中，所述第一半导体层包括硅半导体，并且所述
第二半导体层包括氧化物半导体。10.根据权利要求1的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：无机绝缘层，设置在所述第一半导体层和所述偏置电压线之间，并且具有围绕所述第一像素区域与所述第二像素区域的凹槽。11.根据权利要求10的所述显示装置，其中，所述显示装置还包括：有机绝缘层，设置在所述无机绝缘层上，并且填充所述无机绝缘层的所述凹槽。12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：第一半导体层，设置在基底上，并且包括设置在第一像素区域中的第一部分、设置在第二像素区域中的第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的第一连接部分，所述第一部分和所述第二部分具有基于所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的边界彼此对称的形状；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，并且包括设置在所述第一像素区域中的第一部分、设置在所述第二像素区域中的第二部分、连接所述第二半导体层的所述第一部分和所述第二半导体层的所述第二部分的连接部分、设置在所述第一像素区域中的第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟炫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
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