显示装置和制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基板；第一半导体层，设置在基板上；第二半导体层，设置在第一半导体层上；层间绝缘层，设置在第二半导体层上并且包括多个无机绝缘层；以及显示元件，设置在层间绝缘层上，其中，多个无机绝缘层包括氧化物层、设置在氧化物层上并且具有第一密度的第一氮化物层以及设置在第一氮化物层上并且具有比第一密度低的第二密度的第二氮化物层。低的第二密度的第二氮化物层。低的第二密度的第二氮化物层。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造显示装置的方法
[0001]本申请要求于2022年1月20日提交的韩国专利申请第10
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2022
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0008522号的优先权，其内容通过引用整体并入本文中。


[0002]一个或多个实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及即使在外部冲击施加到显示装置之后，也能够实现清晰图像的显示装置和制造显示装置的方法。

技术介绍

[0003]移动(或便携式)电子装置已经被广泛使用。近来，除了诸如移动电话的小型电子装置之外，平板个人计算机(PC)已经被广泛用作移动电子装置。
[0004]这种移动电子装置包括用于向用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示装置，以支持各种功能。近来，随着用于驱动显示装置的其它部件已经被小型化，显示装置在电子装置中所占的比例已经逐渐增加，并且也已经开发了能够从平坦状态弯折为具有特定角度的结构。

技术实现思路

[0005]当物体掉落并且与显示装置的上表面碰撞时，显示装置的内部层中的一些可能破裂或损坏，并且相应地显示装置的像素中的一些可能无法工作并且因此可能出现暗点。具体地，这个问题可能经常发生在可以自由地改变形状的显示装置中。一个或多个实施例包括即使在外部冲击施加到显示装置之后，也能够实现清晰图像的显示装置。
[0006]根据一个或多个实施例，显示装置包括：基板；第一半导体层，设置在基板上；第二半导体层，设置在第一半导体层上；层间绝缘层，设置在第二半导体层上并且包括多个无机绝缘层；以及显示元件，设置在层间绝缘层上，其中，多个无机绝缘层包括氧化物层、设置在氧化物层上并且具有第一密度的第一氮化物层以及设置在第一氮化物层上并且具有比第一密度低的第二密度的第二氮化物层。
[0007]在实施例中，第一氮化物层的氢含量可以低于第二氮化物层的氢含量。
[0008]在实施例中，第一氮化物层可以具有压应力，并且第二氮化物层可以具有拉应力。
[0009]在实施例中，第一氮化物层的厚度可以小于氧化物层的厚度。
[0010]在实施例中，第一氮化物层的厚度可以小于第二氮化物层的厚度。
[0011]在实施例中，层间绝缘层的厚度可以在大约5500埃至大约的范围内，并且第一氮化物层的厚度可以在大约至大约的范围内。
[0012]在实施例中，多个无机绝缘层可以进一步包括布置在第一氮化物层与第二氮化物层之间的第三氮化物层，并且第三氮化物层可以具有比第一密度低且比第二密度高的第三密度。
[0013]在实施例中，第三氮化物层的氢含量可以高于第一氮化物层的氢含量，并且可以
低于第二氮化物层的氢含量。
[0014]在实施例中，显示装置可以进一步包括：第一金属层，设置在第一半导体层上；第二金属层，布置在第一金属层与第二半导体层之间；以及第三金属层，布置在第二半导体层与层间绝缘层之间，其中，选自第一金属层至第三金属层中的至少一个可以具有大约200兆帕(MPa)以下的压应力或拉应力。
[0015]根据一个或多个实施例，制造显示装置的方法包括：在基板上提供第一半导体层；在第一半导体层上提供第二半导体层；并且在第二半导体层上提供包括多个无机绝缘层的层间绝缘层，其中，提供层间绝缘层包括：在第二半导体层上提供氧化物层；在氧化物层上提供具有第一密度的第一氮化物层；并且在第一氮化物层上提供具有比第一密度低的第二密度的第二氮化物层。
[0016]在实施例中，在提供第一氮化物层时使用的室中的氢分压可以低于在提供第二氮化物层时使用的室中的氢分压。
[0017]在实施例中，第一氮化物层可以具有在大约至大约的范围内的厚度。
[0018]在实施例中，层间绝缘层可以具有在大约至大约的范围内的厚度。
[0019]在实施例中，方法可以进一步包括：在提供第一氮化物层与提供第二氮化物层之间，提供具有比第一密度低且比第二密度高的第三密度的第三氮化物层。
[0020]在实施例中，在提供第三氮化物层时使用的室中的氢分压可以高于在提供第一氮化物层时使用的室中的氢分压，并且可以低于在提供第二氮化物层时使用的室中的氢分压。
[0021]在实施例中，方法可以进一步包括：在提供第一半导体层与提供第二半导体层之间，在第一半导体层上提供第一金属层并且在第一金属层上提供第二金属层；并且在提供第二半导体层与提供层间绝缘层之间，在第二半导体层上提供第三金属层。
[0022]在实施例中，选自第一金属层至第三金属层中的至少一个可以具有大约200MPa以下的压应力或拉应力。
[0023]在实施例中，选自提供第一金属层、提供第二金属层和提供第三金属层中的至少一个可以通过使用包括多个圆柱形靶的旋转型溅射设备来执行。
[0024]在实施例中，多个圆柱形靶可以彼此分开布置，接地部分在多个圆柱形靶之间。
[0025]在实施例中，基板可以设置在工作台上，并且在基板的中心部分测量的、从工作台的上表面到层间绝缘层的上表面的高度与在基板的边缘部分测量的、从工作台的上表面到层间绝缘层的上表面的高度之间的差可以是大约150微米(μm)以下。
[0026]这些一般的和特定的实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的任何组合来实现。
附图说明
[0027]通过以下结合附图进行的描述，本公开的特定实施例的上述和其它特征将更显而易见，在附图中：
[0028]图1是示意性地图示根据实施例的显示装置的平面图；
[0029]图2是图示根据实施例的显示装置的一部分的截面图；
[0030]图3是示意性地图示根据实施例的显示装置的平面图；
[0031]图4是根据实施例的用于驱动像素的像素电路的等效电路图；
[0032]图5是示意性地图示根据实施例的显示装置的一对像素电路的平面图；
[0033]图6是示意性地图示根据实施例的显示装置的截面图；
[0034]图7是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置的截面图；
[0035]图8至图10是顺序地图示根据实施例的制造显示装置的方法的截面图；
[0036]图11是示意性地图示根据实施例的形成金属层的操作的图；并且
[0037]图12是图示根据比较示例和实施例的显示装置的上表面的高度的图。
具体实施方式
[0038]现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中图示，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的方面。
[0039]本公开可以包括各种实施例和修改，并且本公开的特定实施例在附图中图示并且将在本文中详细描述。本公开的效果和特征及其实现方法将通过下面参考附图详细描述的实施例而变得显而易见。然而，本公开不限于以下描述的实施例并且可以以各种方式实施。
[0040]将理解，尽管诸如“第一”和“第二”的术语在本文中可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；第一半导体层，设置在所述基板上；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上；层间绝缘层，设置在所述第二半导体层上并且包括多个无机绝缘层；以及显示元件，设置在所述层间绝缘层上，其中，所述多个无机绝缘层包括氧化物层、设置在所述氧化物层上并且具有第一密度的第一氮化物层以及设置在所述第一氮化物层上并且具有比所述第一密度低的第二密度的第二氮化物层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一氮化物层的氢含量低于所述第二氮化物层的氢含量。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一氮化物层具有压应力，并且所述第二氮化物层具有拉应力。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一氮化物层的厚度小于所述氧化物层的厚度。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一氮化物层的所述厚度小于所述第二氮化物层的厚度。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述层间绝缘层的厚度在至的范围内，并且所述第一氮化物层的所述厚度在至的范围内。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个无机绝缘层进一步包括布置在所述第一氮化物层与所述第二氮化物层之间的第三氮化物层，并且所述第三氮化物层具有比所述第一密度低且比所述第二密度高的第三密度。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三氮化物层的氢含量高于所述第一氮化物层的氢含量，并且低于所述第二氮化物层的氢含量。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的显示装置，进一步包括：第一金属层，设置在所述第一半导体层上；第二金属层，布置在所述第一金属层与所述第二半导体层之间；以及第三金属层，布置在所述第二半导体层与所述层间绝缘层之间，其中，选自所述第一金属层至所述第三金属层中的至少一个具有200Mpa以下的压应力或拉应力。10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基板上提供第一半导体层；在所述第一半导体层上提供第二半导体层；并且在所述第二半导体层上提供包括多个无机绝缘层的层间绝缘层，
其中，提供所述层间绝缘层包括：在所述第二半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔原瑀，崔允阿，南东宪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：