一种平面ITO靶材叠烧方法技术

本发明专利技术涉及靶材烧结技术领域，具体涉及一种平面ITO靶材叠烧方法，包括：在支撑板上摆放多排垫片，并撒上第一承烧介质；将一片中间靶材放置在垫片上，并在中间靶材上撒上承烧体，得到烧结基体；将另一片中间靶材放置在烧结基体上，得到烧结体；将多个烧结体放入烧结炉内进行烧结，得到平面ITO靶材，本发明专利技术设置的第一承烧介质和承烧体的熔点和使用温度均高于靶材的熔点，并且不与靶材反应，在靶材与靶材之间撒上承烧体，防止靶材在烧结时烧结在一起，并且在一次烧结中，通过将多个靶材进行叠加烧结，一炉的烧结量相对于原来的多炉，从而极大的减少烧结炉使用量及烧结成本，提高了生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种平面ITO靶材叠烧方法


[0001]本专利技术涉及靶材烧结
，尤其涉及一种平面ITO靶材叠烧方法。

技术介绍

[0002] ITO靶材属于铟锡复合氧化物陶瓷，是一种重要的光电功能材料，常作为磁控溅射靶材在玻璃、塑料等基板材料上制备透明导电膜，用于生产液晶显示器、触摸屏等平板显示设备。
[0003]目前，ITO靶材有二种，一种是平面氧化铟锡靶材，一种是旋转氧化铟锡靶材，ITO平面靶材，经过一次二次成型后需要进行烧结，随着现在生产液晶显示器、触摸屏等平板显示设备产业不断兴起，平面ITO需求量不断增加，在规定的时间内生产一批ITO平面靶材，若采用原本的烧结模式，需要的烧结炉数量急剧增加，烧结成本也随着重新购入烧结炉而增加，因此亟需一种新的平面靶材烧结方法。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种平面ITO靶材叠烧方法，以解决烧结炉需求量急剧增加及烧结成本增加的问题。
[0005]基于上述目的，本专利技术提供了一种平面ITO靶材叠烧方法，包括：在支撑板上摆放多排垫片，并撒上第一承烧介质；将一片中间靶材放置在垫片上，并在中间靶材上撒上承烧体，得到烧结基体；将另一片中间靶材放置在烧结基体上，得到烧结体；将多个烧结体放入烧结炉内进行烧结，得到平面ITO靶材。
[0006]可选的，所述将一片中间靶材放置在垫片上，并在中间靶材上撒上承烧体，得到烧结基体，包括：将一片中间靶材放置在垫片上，并在中间靶材上均匀撒上第二承烧介质，得到中间基体；在中间基体上均匀撒上第三承烧介质，得到烧结基体。
[0007]可选的，所述垫片为氧化铝垫片。
[0008]可选的，每排所述垫片之间留有间隙。
[0009]可选的，所述第一承烧介质为白刚玉砂。
[0010]可选的，所述第二承烧介质为回收的粗氧化锆粉末，所述第三承烧介质为用筛网筛取的细的氧化锆粉末。
[0011]本专利技术的有益效果：第一承烧介质和承烧体的熔点和使用温度均高于靶材的熔点，并且不与靶材反应，在靶材与靶材之间撒上承烧体，防止靶材在烧结时烧结在一起，并且在一次烧结中，通过将多个靶材进行叠加烧结，一炉的烧结量相当于原来的多炉，从而极大的减少烧结炉使用量及烧结成本，提高了生产效率。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术
描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为本专利技术实施例的一种平面ITO靶材叠烧方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例的S200的流程示意图；图3为原本烧结模式靶材放置示意图；图4为本专利技术一种平面ITO靶材叠烧方法的靶材放置示意图。
[0014]图中标记为：1、支撑板；2、垫片；3、第一承烧介质；4、中间靶材；5、承烧体。
具体实施方式
[0015]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本专利技术进一步详细说明。
[0016]需要说明的是，除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0017]一种平面ITO靶材叠烧方法，包括：在支撑板1上摆放多排垫片2，并撒上第一承烧介质3；将一片中间靶材4放置在垫片2上，并在中间靶材4上撒上承烧体5，得到烧结基体；将另一片中间靶材4放置在烧结基体上，得到烧结体；将多个烧结体放入烧结炉内进行烧结，得到平面ITO靶材。
[0018]第一承烧介质3和承烧体5的熔点和使用温度均高于靶材的熔点，并且不与靶材反应，在垫片2上撒上第一承烧介质3，在烧结过程中，第一烧结承烧体5始终位于靶材和垫片2之间，防止在烧结时靶材与垫片2烧结在一起，影响产品的质量，在靶材与靶材之间撒上承烧体5，防止靶材在烧结时烧结在一起，并且在一次烧结中，通过将多个靶材进行叠加烧结，一炉的烧结量相对于原来的多炉，从而极大的减少烧结炉使用量及烧结成本，提高了生产效率。
[0019]请参考图1，本专利技术实施例提供了一种平面ITO靶材叠烧方法，包括：S100、在支撑板1上摆放多排垫片2；S200、将一片中间靶材4放置在垫片2上，并在中间靶材4上撒上承烧体5，得到烧结基体；S300、将另一片中间靶材4放置在烧结基体上，得到烧结体；S400、将多个烧结体放入烧结炉内进行烧结，得到平面ITO靶材。
[0020]可选的，所述S200包括：S201、将一片中间靶材4放置在垫片2上，并在中间靶材4上均匀撒上第二承烧介
质，得到中间基体；S202、在中间基体上均匀撒上第三承烧介质，得到烧结基体。
[0021]在一种实施方式中，所述垫片2为氧化铝垫片，氧化铝垫片的熔点高，硬度高。
[0022]每排所述垫片2之间留有间隙，使得在烧结时靶材能够与氧气更加充分地接触。
[0023]在一种实施方式中，所述第一承烧介质3为白刚玉砂，作为第一层靶材的承烧承烧体5，防止在烧结时第一片靶材与垫片2粘结在一起，影响产品质量。
[0024]在一种实施方式中，所述第二承烧介质为回收的粗氧化锆粉末，所述第三承烧介质为用筛网筛取的细的氧化锆粉末。
[0025]氧化锆不与ITO靶材发生反应，并且氧化锆的成本低，在烧结之后能够回收再次利用，减少了烧结的成本，先撒上粗氧化锆粉末，再撒上细氧化锆粉末可以确保靶材在烧结时能够正常的收缩，防止在烧结时多片靶材之间烧结在一起。
[0026]在一种实施方式中，如图3所示，采用原本的烧结模式，一块支撑板1上放置一片中间靶材4进行烧结，本方案的烧结模式如图4所示，一块支撑板1上放置两片中间靶材4进行烧结，一炉的烧结量是采用原本的烧结模式的两倍，极大的减少烧结炉的需求量，提高了生产效率。
[0027]所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本专利技术的范围（包括权利要求）被限于这些例子；在本专利技术的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上的本专利技术的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
[0028]本专利技术旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面ITO靶材叠烧方法，其特征在于，包括：在支撑板（1）上摆放多排垫片（2），并撒上第一承烧介质（3）；将一片中间靶材（4）放置在垫片（2）上，并在中间靶材（4）上撒上承烧体（5），得到烧结基体；将另一片中间靶材（4）放置在烧结基体上，得到烧结体；将多个烧结体放入烧结炉内进行烧结，得到平面ITO靶材。2.根据权利要求1所述的一种平面ITO靶材叠烧方法，其特征在于，所述将一片中间靶材（4）放置在垫片（2）上，并在中间靶材（4）上撒上承烧体（5），得到烧结基体，包括：将一片中间靶材（4）放置在垫片（2）上，并在中间靶材（4）...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光园，曾探，曾墩风，王志强，马建保，
申请(专利权)人：芜湖映日科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：