一种大功率连接器结构制造技术

本发明专利技术属于同轴连接器技术领域，具体涉及一种大功率连接器结构。包括：第一绝缘子、金属屏蔽层，第一绝缘子为环状，第一绝缘子第一平面上靠近外环设置有第一环形凸台；金属屏蔽层为环形，金属屏蔽层内环面与绝缘层外环面相接触，第一环形凸台嵌入金属屏蔽层。现有的大功率TNC型接电缆射频同轴连接器装接成的电缆组件时，受限于同轴连接器与同轴电缆过度装接位置处，电缆芯线与电缆屏蔽层、或者电缆芯线与同轴金属外导体之间在微小的结构设计的空气间隙，在真空环境下使用容易使内外导体之间通过结构设计中的空气缝隙造成微放电现象发生，从而导致内外导体击穿使得电缆组件失效。从而导致内外导体击穿使得电缆组件失效。从而导致内外导体击穿使得电缆组件失效。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率连接器结构


[0001]本专利技术属于同轴连接器
，具体涉及一种大功率连接器结构。

技术介绍

[0002]大功率TNC型接电缆射频同轴连接器装接成的电缆组件时，受限于同轴连接器与同轴电缆过度装接位置处，电缆芯线与电缆屏蔽层、或者电缆芯线与同轴金属外导体之间在微小的结构设计的空气间隙，在真空环境下使用容易使内外导体之间通过结构设计中的空气缝隙造成微放电现象发生，从而导致内外导体击穿使得电缆组件失效。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种大功率连接器结构，以解决现有技术中电缆组件在大功率条件下使用过程中，避免造成微放电现象发生而使得内外导体击穿的问题。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一种大功率连接器结构，包括：第一绝缘子、金属屏蔽层，所述第一绝缘子为环状，所述第一绝缘子第一平面上靠近外环设置有第一环形凸台；所述金属屏蔽层为环形，所述第一环形凸台在绝缘层和金属衬套之间，所述第一环形凸台与所述金属屏蔽层相接触。
[0006]可选的，还包括第二绝缘子、金属外导体、绝缘层，所述第二绝缘子为环形，所述第一绝缘子嵌入所述第二绝缘子的内环，所述第二绝缘子与所述第一绝缘子的远离所述第一环形凸台的一侧相接触，所述第二绝缘子与所述第一绝缘子的外环侧相接触；
[0007]所述金属外导体与所述第二绝缘体的外环面相接触；
[0008]所述绝缘层为环形，所述金属屏蔽层内环面与所述绝缘层外环面相接触，所述绝缘层的第一底面与所述第一绝缘子第一底面相接触，所述绝缘层外环面与所述第一环形凸台相接触。
[0009]可选的，所述第一绝缘子内环一侧设有第二环形凸台，所述第二环形凸台与所述绝缘层内环平齐。
[0010]可选的，所述第一环形凸台的径向宽度与所述金属屏蔽层径向宽度相等。
[0011]可选的，所述第一环形凸台嵌入所述金属屏蔽层的深度大于所述金属外导体内径的三分之一。
[0012]可选的，所述第一绝缘子第一端面和所述绝缘层之间有第一空气缝隙，所述第一空气缝隙的宽度大于二次电子的电子平均自由程。
[0013]可选的，第二绝缘子与所述金属衬套之间有第二空气缝隙，所述第二空气缝隙的宽度大于二次电子的电子平均自由程。
[0014]本专利技术的有益效果如下：
[0015]1、本专利技术的一种大功率连接器结构，通过第一绝缘子的第一环形凸台嵌入金属屏蔽层中，使金属芯线与金属屏蔽层、金属芯线与金属外导体之间无竖直空气间隙，从而避免微放电效应。
[0016]2、本专利技术的一种大功率连接器结构，通过第一绝缘子的第一环形凸台嵌入金属屏蔽层中，缝合了连接器的结构缝隙。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1为本专利技术一种大功率连接器结构实施例微放电的位置图。
[0019]图2为本专利技术一种大功率连接器结构实施例的结构图。
[0020]其中：1
‑
第一绝缘子，2
‑
第二绝缘子，3
‑
金属外导体，4
‑
金属芯线，5
‑
绝缘层，6
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金属屏蔽层，7
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第一环形凸台，8
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金属衬套，9
‑
内导体。
具体实施方式
[0021]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0022]以下详细说明均是示例性的说明，旨在对本专利技术提供进一步的详细说明。除非另有指明，本专利技术所采用的所有技术术语与本申请所属领域的一般技术人员的通常理解的含义相同。本专利技术所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而并非意图限制根据本专利技术的示例性实施方式。
[0023]如图1和图2所示的一种实施方式提供了一种大功率连接器结构，包括：第一绝缘子1、金属屏蔽层6，第一绝缘子1为环状，第一绝缘子1第一平面上靠近外环设置有第一环形凸台7；金属屏蔽层6为环形，第一环形凸台7在绝缘层5和金属衬套8之间，第一环形凸台7与金属屏蔽层6相接触。
[0024]还包括第二绝缘子2、金属外导体3；第二绝缘子2为环形，第一绝缘子1嵌入第二绝缘子2的内环，第二绝缘子2与第一绝缘子1的第一侧相接触，第一绝缘子1的第一侧为远离第一环形凸台7的一侧，第二绝缘子2与第一绝缘子1的外环侧相接触；金属外导体3与第二绝缘子2外环面相接触；绝缘层5为环形，金属屏蔽层6内环面与绝缘层5外环面相接触，绝缘层5的第一端面与第一绝缘子1第一端面相接触，绝缘层5外环面与第一环形凸台7相接触。
[0025]为避免TNC型接电缆射频同轴连接器装接成射频同轴电缆组件后，电缆组件在真空环境下使用，造成真空微放电现象的产生，从而导致内外导体击穿使得电缆组件失效。本专利技术解决了在真空环境中使用电缆组件发生真空微放电现象，避免了失效，提高可靠性。
[0026]将第一绝缘子1设计第一环形凸台7，第一环形凸台7嵌入金属屏蔽层6中，此时金属芯线4与金属屏蔽层6、金属芯线4与金属外导体3之间无竖直空气间隙，增大了金属芯线4与金属屏蔽层6、金属芯线4与金属外导体3利用空气间隙来产生微放电距离。
[0027]此结构可广泛用于全介质填充的耐功率型射频同轴连接器，适用于TNC型、SMA型、N型等射频同轴连接器。
[0028]第一绝缘子1为绝缘材料，第一绝缘子1套接在第二绝缘子2内环，第一绝缘子1的第一环形凸台7嵌入金属屏蔽层6，将金属芯线4与金属外导体3之间的空隙阻挡。
[0029]作为实施例的一种优选示例，第一绝缘子1内环一侧设有第二环形凸台，第二环形凸台的内环与绝缘层5的内环平齐，且第二环形凸台的第一端面与绝缘层5的第一端面相贴
合，第二环形凸台的第二端面与内导体9相贴合。
[0030]内导体设置在第二绝缘子2的内环，第二环形凸台将绝缘层5与内导体的空隙填充饱满。
[0031]作为实施例的一种优选示例，第一环形凸台7的直径与金属屏蔽层6的直径相等。
[0032]第一环形凸台7与绝缘层5和金属屏蔽层6紧密贴合，减少空隙的产生，面对不同厚度的电缆，金属屏蔽层6的厚度不同，第一绝缘子1的第一环形凸台7的径向宽度与金属屏蔽层6径向宽度相等，所以第一绝缘子1根据不同厚度的电缆进行定做。
[0033]作为实施例的一种优选示例，第一环形凸台7嵌入金属屏蔽层6的深度大于金属外导体3内径的三分之一。
[0034]为提高第一环形凸台7嵌入金属屏蔽层6的可靠性，嵌入不能短于一定长度，第一环形凸台7嵌入金属屏蔽层6的深度越长，增长了自由电子的爬电距离，有效避免微放电。嵌入深度大于金属外导体3内径的三分之一，射频同轴连接器符合50欧姆阻抗关系。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率连接器结构，其特征在于，包括：第一绝缘子(1)，所述第一绝缘子(1)为环状，所述第一绝缘子(1)第一平面上靠近外环设置有第一环形凸台(7)；金属屏蔽层(6)，所述金属屏蔽层(6)为环形，所述第一环形凸台(7)在绝缘层(5)和金属衬套(8)之间，所述第一环形凸台(7)与所述金属屏蔽层(6)相接触。2.根据权利要求1所述的一种大功率连接器结构，其特征在于，还包括第二绝缘子(2)、金属外导体(3)；所述第二绝缘子(2)为环形，所述第一绝缘子(1)嵌入所述第二绝缘子(2)的内环，所述第二绝缘子(2)与所述第一绝缘子(1)的第一侧相接触，所述第一绝缘子(1)的第一侧为远离所述第一环形凸台(7)的一侧，所述第二绝缘子(2)与所述第一绝缘子(1)的外环侧相接触；所述金属外导体(3)与所述第二绝缘子(2)外环面相接触；所述绝缘层(5)为环形，所述金属屏蔽层(6)内环面与所述绝缘层(5)外环面相接触，所述绝缘层(5)的第一端面与所述第一绝缘子(1)第一端面相接触，所述绝缘层(5)外环面与所述第一环...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢亮，张烨，卓仙蕊，党宇，李兴朝，
申请(专利权)人：西安艾力特电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：