半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：半导体部，具有有源区域和包围其的末端区域；第一电极，设于半导体部的背面；第二电极，设于半导体部的与背面相反侧的表面；以及控制电极，设于半导体部与第二电极之间。半导体部包含第一导电型的第一、第三、第五层和第二导电型的第二、第四、第六及第七层。第一层设于第一与第二电极之间，第二层设于第一层与第二电极之间，第三层设于第二层与第二电极之间，第四及第五层设于第一层与第一电极之间，沿着第一电极排列。第六层设于末端区域，在半导体部的表面侧包围第二及第三层，第七层在末端区域设于第一层与第一电极之间，与第四及第五层分离，包围第四及第五层，从有源区域到第七层外缘的距离比到第六层外缘的距离短。外缘的距离短。外缘的距离短。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请
[0002]本申请以日本专利申请2022－1747号(申请日：2022年1月7日)为基础申请而享受优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0004]电力控制用半导体装置期望对于导通状态下的过电流的耐受量大。

技术实现思路

[0005]实施方式提供能够提高对于过电流的耐受量的半导体装置。
[0006]实施方式的半导体装置，具备：半导体部，具有有源区域以及包围所述有源区域的末端区域；第一电极，设于所述半导体部的背面上；第二电极，设于所述半导体部的与所述背面为相反侧的表面上；以及控制电极，设于所述半导体部与所述第二电极之间。所述半导体部包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、所述第一导电型的第三层、所述第二导电型的第四层、所述第一导电型的第五层、所述第二导电型的第六层、以及所述第二导电型的第七层。所述第一层设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，所述第三层设于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：半导体部，具有有源区域以及包围所述有源区域的末端区域；第一电极，设于所述半导体部的背面上；第二电极，设于所述半导体部的与所述背面为相反侧的表面上；以及控制电极，设于所述半导体部与所述第二电极之间，所述半导体部包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、所述第一导电型的第三层、所述第二导电型的第四层、所述第一导电型的第五层、所述第二导电型的第六层、以及所述第二导电型的第七层，所述第一层设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二层设于所述第一层与所述第二电极之间，所述第三层设于所述第二层与所述第二电极之间，所述第四层以及所述第五层设于所述第一层与所述第一电极之间，并沿着所述第一电极排列，所述第六层设于所述末端区域，并且在所述半导体部的所述表面侧包围所述第二层以及所述第三层，所述第七层在所述末端区域设于所述第一层与所述第一电极之间，与所述第四层以及所述第五层分离，并包围所述第四层以及所述第五层，从所述有源区域到所述第七层的外缘的距离比从所述有源区域到所述第六层的外缘的距离短。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第四层、所述第五层以及所述第七层与所述第一电极相接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体部还包含第一导电型的第八层，所述第八层设于所述第一层与所述第四层之间、所述第一层与所述第五层之间以及所述第一层与所述第七层之间，并包含浓度比所述第一层的第一导电型杂质的浓度高的第一导电型杂质，所述第八层在所述第四层与所述第七层之间以及所述第五层与所述第七层之间延伸。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第八层与所述第一电极相接。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第五层的第一导电型杂质的浓度比所述第八层的所述第一导电型杂质的浓度高。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体部还包含第二导电型的第九层，所述第九层设于所述第四层与所述第七层之间以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：下条亮平，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：