一种低关断损耗的SOILIGBT制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，特别涉及一种低关断损耗的SOI LIGBT。本发明专利技术将SOI LIGBT的耐压层设置为由N型漂移区(3)和P型漂移区(4)横向排列的形式，形成NP横向排列漂移区，从而NP横向排列漂移区使器件内部形成了肖克来二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型漂移区，集电极：P型漂移区)和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区)构成，从而实现了更低的关断损耗。从而实现了更低的关断损耗。从而实现了更低的关断损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种低关断损耗的SOI LIGBT


[0001]本专利技术属于功率半导体
，特别涉及一种低关断损耗的SOI LIGBT(Lateral insulated gate bipolar transistor，横向绝缘栅双极型晶体管)结构。

技术介绍

[0002]基于SOI(Silicon
‑
on
‑
insulator,绝缘衬底上的硅)技术的LIGBT具有出色的电流能力和隔离能力，在功率集成电路中越来越有竞争力。但是由漂移区中过剩载流子引起的关断损耗依然是SOI LIGBT面临的主要挑战。改变栅极、阴极结构来增强阴极侧载流子存储、改变阳极结构来减少阳极侧载流子积累，以及改变耐压层结构来加速漂移区内载流子的抽取等方法被采用于传统SOI LIGBT的优化，但是依然存在关断时电压上升慢的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的，就是为了优化SOI LIGBT的导通压降与关断损耗，提出一种低关断损耗的SOI LIGBT。
[0004]本专利技术的技术方案：一种低关断损耗的SOI LI本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低关断损耗的SOI LIGBT，其元胞包括衬底结构、BOX结构、耐压层结构、集电极结构、发射极结构和栅极结构，所述衬底结构为硅衬底(1)；所述BOX结构为绝缘介质(2)；所述绝缘介质(2)位于硅衬底(1)的上表面；其特征在于，所述耐压层结构包括N型漂移区(3)和P型漂移区(4)，所述N型漂移区(3)和P型漂移区(4)并列设置于绝缘介质(2)上表面；所述集电极结构位于N型漂移区(3)远离P型漂移区(4)一侧的顶部，集电极结构包括N型阱区(5)、P+集电区(6)和集电极金属(7)；所述P+集电区(6)位于N型阱区(5)远离P型漂移区(4)一侧的顶部；所述集电极金属(7)位于P+集电区(6)上表面；所述集电极金属(1)的上表面引出端为器件的集电极(C)；所述发射极结构位于P型漂移区(4)远离N型漂移区(3)一侧的顶部，发射极结构包括N型载流子存储层(8)、P型阱区(9)、N型发射区(10)、P型...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴欢，夏云，陈万军，孙瑞泽，刘超，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：