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本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种低关断损耗的SOI LIGBT。本发明将SOI LIGBT的耐压层设置为由N型漂移区(3)和P型漂移区(4)横向排列的形式，形成NP横向排列漂移区，从而NP横向排列漂移区使器件内部形成了肖克来二极管...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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