【技术实现步骤摘要】
一种镀膜均匀性监测与调控系统和方法
[0001]本专利技术涉及真空卷绕镀膜制程镀膜膜层的均匀性监测与调控控制系统，尤其是验证镀膜传动方向的MD方向(走膜方向)的镀膜均匀性问题，具体涉及一种镀膜均匀性监测与调控系统和方法。
技术介绍
[0002]在真空镀膜领域，尤其是大面积柔性基材表面镀膜设备系统，其中镀膜的方式包含真空磁控溅射镀膜和真空热蒸发系统镀膜。真空热蒸发系统镀膜通常又分为两个方面，其一是采用蒸发舟的方式镀膜，例如包装薄膜领域镀膜最为常见，即有相关的送丝机构连续地往高温状态下的蒸发舟表面输送镀膜材料，当材料接触或快要接触蒸发舟表面时候由于远高于材料融化温度的情况下瞬间被气化沉积在基膜表面，该方式的优势在于相关机构的升温和降温过程非常快，但是存在致命的问题在于随着蒸发舟使用时间的延长表面出现严重的腐蚀坑，当被蒸发材料置于腐蚀坑附近后蒸发过程容易形成溅射现象，从而造成柔性基膜的烧孔，致使镀膜材料的使用受到抑制。
[0003]基于这样的问题则开发了另外一种技术手段，先将被蒸发材料置于耐高温的容器，该容器处于有电加热装...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种镀膜均匀性监测与调控系统，其特征在于，所述系统包括：真空卷绕镀膜装置，其包括放卷机构、用于对基膜进行蒸镀的蒸发机构和收卷机构；温度测定装置，用于测量所述蒸发机构的温度值；面阻测试装置，用于测量所述基膜的面阻值；控制装置，用于根据所述蒸发机构的温度值和所述基膜的面阻值，控制所述放卷机构的基膜传动速度和/或所述蒸发机构的加热功率，以使得镀层沿着基膜移动方向的厚度具有均匀性。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制装置，具体用于根据在预设面阻阈值下的基膜传动速度与所述蒸发机构的温度值之间的函数关系，以及所述蒸发机构的实时温度值，确定所述放卷机构的实时基膜传动速度。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述蒸发机构包括第一蒸发系统和第二蒸发系统，所述第一蒸发系统设置在所述第二蒸发系统的沿基膜传送路径的上游；所述温度测定装置包括：第一温度探测仪，设置在所述第一蒸发系统上，用于测量所述第一蒸发系统的第一温度值；以及，第二温度探测仪，设置在所述第二蒸发系统上，用于测量所述第二蒸发系统的第二温度值；所述面阻测试装置包括：第一面阻测试仪，设置于所述第一蒸发系统和所述第二蒸发系统之间的基膜传送路径上，用于测量所述基膜的当前镀膜面的第一面阻值；以及，第二面阻测试仪，设置于所述第二蒸发系统与所述收卷机构之间的基膜传送路径上，用于测量所述基膜的双面上形成的镀层的总面阻值，以及根据所述总面阻值与所述第一面阻值的差值得到另一镀膜面的第二面阻值。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述控制装置，具体用于：当所述第一面阻值达到预设的面阻阈值时，根据在所述预设的面阻阈值下的基膜传动速度与所述第一蒸发系统的温度值之间的第一函数关系，以及所述第一蒸发系统的实时温度值，确定实时基膜传动速度；根据在所述预设的面阻阈值下的基膜传动速度与所述第二蒸发系统的温度值之间的第二函数关系，以及所述实时基膜传动速度，获得所述第二蒸发系统的理想温度值；根据所述第二蒸发系统的理想温度值和所述第二蒸发系统的实际温度值之间的比较结果，调节所述第二蒸发系统的加热功率。5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述控制装置，具体用于：如果所述第二蒸发系统的理想温度值大于所述第二蒸发系统的实际温度值，则控制增加所述第二蒸发系统的加热功率，并且控制所述第二蒸发系统的加热功率大于所述第一蒸发系统的加热功率或者控制所述第二蒸发系统的温度增速大于所述第一蒸发系统的温度增速；如果所述第二蒸发系统的理想温度值小于所述第二蒸发系统的实际温度值，则控制减小所述第二蒸发系统的加热功率，并且控制所述第二蒸发系统的加热功率小于所述第一蒸发系统的加热功率或者控制所述第二蒸发系统的温度增速小于所述第一蒸发系统的温度增速。6.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述控制装置，具体用于：当所述第一面阻值先于所述第二面阻值达到预设的面阻阈值时，根据在所述预设的面阻阈值下的基膜传动速度与所述第一蒸发系统的温度值之间的第一函数关系，以及所述第一蒸发系统的实时温度值，确定实时基膜传动速度；根据在所述预设的面阻阈值下的基膜
传动速度与所述第二蒸发系统的温度值之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧世伟，刘文卿，
申请(专利权)人：重庆金美新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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