聚酰亚胺前体、聚酰亚胺以及柔性印刷电路基板制造技术

本发明专利技术提供聚酰亚胺前体、包含该聚酰亚胺前体的树脂组合物、以及使用该聚酰亚胺前体获得的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺前体包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为15000以上且130000以下，该聚酰亚胺前体用于柔性印刷电路基板的基膜。柔性印刷电路基板的基膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚酰亚胺前体、聚酰亚胺以及柔性印刷电路基板


[0001]本专利技术的一个实施方式涉及聚酰亚胺前体、树脂组合物、聚酰亚胺、聚酰亚胺成形体以及柔性印刷电路基板(FPC)。

技术介绍

[0002]聚酰亚胺由于耐热性优异、具备机械强度、进而耐化学试剂性也高，因此在各种用途中应用。另外，聚酰亚胺由于显示高的绝缘性，因此在电子部件或机械部件中作为绝缘材料使用。由于具备这种特性，聚酰亚胺在显示器、太阳能电池、触摸面板、有机EL照明、毫米波雷达等中作为基板、保护膜等涂膜使用。
[0003]近年来，由于小型化及轻量化的要求，要求电子部件的高集成化及高频率化，期待在包含高频率的宽频域中进一步改善绝缘材料的介电特性。绝缘性通过降低材料的相对介电常数来获得，但为了减少传输信号的损失，降低损耗角正切也是很重要的。由于传输损耗在高频域中会更成为问题，因此要求高频域中的损耗角正切的减少。
[0004]专利文献1中，作为为低介电常数及低损耗角正切、且显示溶剂不溶性的聚酰亚胺膜，提出了相对于总二胺成分包含超过15摩尔％且小于50摩尔％的二聚物二胺的溶媒不溶性聚酰亚胺膜。
[0005]专利文献2中，作为为低介电常数及低热膨胀系数、且刚性及韧性优异的聚酰亚胺膜，提出了相对于总二胺成分包含5摩尔％以上且25摩尔％以下的二聚物二胺的聚酰亚胺膜。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2020
‑
76072号公报
[0009]专利文献2：日本特开2020
‑
7549号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的技术问题
[0011]专利文献1中，当二聚物二胺的配比提高，则介电特性有所改善，但由于聚酰亚胺变成溶剂可溶的，因此通过限定二聚物二胺的配比的上限值，可以获得溶剂不溶性的聚酰亚胺膜。进而，专利文献1中，从低热膨胀系数的观点出发，提供了用不含二聚物二胺的热膨胀系数低的聚酰亚胺夹持包含二聚物二胺的聚酰亚胺的层叠体板。
[0012]专利文献2中公开了为了显示适度的刚性及韧性，优选聚酰亚胺膜的伸长率为50％以上且90％以下。韧性优异的聚酰亚胺膜具有涂膜形成性优异、作为电线用的被覆树脂等易于在曲面形状上形成涂膜的优点。
[0013]另一方面，在现有技术中，为了改善介电特性使用二聚物二胺时，所得聚酰亚胺膜的强度不足。这种聚酰亚胺中，存在在为低介电常数且低损耗角正切时难以进一步提高强度、特别是无法充分地获得断裂伸长率的问题。
[0014]作为本公开的一个目的，提供介电特性及断裂伸长率优异的聚酰亚胺以及用于获得该聚酰亚胺的聚酰亚胺前体。
[0015]用于解决技术问题的手段
[0016]本公开的数个方面如下所述。
[0017][1]一种聚酰亚胺前体，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于上述二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为15000以上且130000以下，该聚酰亚胺前体用于柔性印刷电路基板的基膜。
[0018][2]一种聚酰亚胺前体，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于上述二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且小于50摩尔％的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为超过50000且130000以下。
[0019][3]一种树脂组合物，其包含[1]或[2]所述的聚酰亚胺前体。
[0020][4]一种聚酰亚胺，其使用[1]或[2]所述的聚酰亚胺前体获得。
[0021][5]一种聚酰亚胺，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于上述二胺来源的结构单元的全部单元，包含5摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺的断裂伸长率为95％以上，该聚酰亚胺用于高频柔性印刷电路基板的基膜。
[0022][6]一种聚酰亚胺，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于上述二胺来源的结构单元的全部单元，包含5摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺的断裂伸长率为95％以上、玻璃化转变温度为200℃以上，该聚酰亚胺用于柔性印刷电路基板的基膜。
[0023][7]一种聚酰亚胺，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于上述二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且小于50摩尔％的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺的断裂伸长率为95％以上、玻璃化转变温度为200℃以上。
[0024][8]根据[4]～[7]中任一项所述的聚酰亚胺，其相对介电常数Dk(10GHz)为3.3以下。
[0025][9]根据[4]～[8]中任一项所述的聚酰亚胺，其损耗角正切Df(10GHz)为0.003以下。
[0026][10]根据[4]～[9]中任一项所述的聚酰亚胺，其玻璃化转变温度为300℃以上。
[0027][11]一种聚酰亚胺成形体，其包含[4]～[10]中任一项所述的聚酰亚胺。
[0028][12]一种柔性印刷电路基板，其包含[4]～[10]中任一项所述的聚酰亚胺。
[0029][13]一种柔性印刷电路基板，其包含使用[4]～[10]中任一项所述的聚酰亚胺获得的基膜。
[0030][14]一种柔性印刷电路基板，其具备基膜和形成于所述基膜的涂膜层，至少所述涂膜层是使用[4]～[10]中任一项所述的聚酰亚胺获得的。
[0031][15]根据[12]～[14]中任一项所述的柔性印刷电路基板，其用于毫米波雷达、高频天线或高速传输用基板中。
[0032]专利技术效果
[0033]根据一个实施方式，可以提供介电特性及断裂伸长率优异的聚酰亚胺以及用于获得该聚酰亚胺的聚酰亚胺前体。
具体实施方式
[0034]以下说明本专利技术的一个实施方式，但本专利技术并不受以下的示例所限定。
[0035](聚酰亚胺前体)
[0036]本公开一个实施方式的聚酰亚胺前体是使用二胺和四羧酸二酐获得的聚酰亚胺前体，其特征在于，相对于聚酰亚胺前体所含的二胺成分包含5～80摩尔％的二聚物二胺，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为15000～130000。
[0037]优选一例为一种聚酰亚胺前体，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为15000以上且130000以下，该聚酰亚胺前体用于柔性印刷电路基板的基膜。
[0038]优选的另一例为一种聚酰亚胺前体，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且小于50摩尔％的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为超过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚酰亚胺前体，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于所述二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为15000以上且130000以下，该聚酰亚胺前体用于柔性印刷电路基板的基膜。2.一种聚酰亚胺前体，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于所述二胺来源的结构单元的全部单元，包含10摩尔％以上且小于50摩尔％的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺前体的重均分子量为超过50000且130000以下。3.一种树脂组合物，其包含权利要求1或2所述的聚酰亚胺前体。4.一种聚酰亚胺，其是使用权利要求1或2所述的聚酰亚胺前体获得的。5.一种聚酰亚胺，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于所述二胺来源的结构单元的全部单元，包含5摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺的断裂伸长率为95％以上，该聚酰亚胺用于高频柔性印刷电路基板的基膜。6.一种聚酰亚胺，其包含二胺来源的结构单元和四羧酸二酐来源的结构单元，相对于所述二胺来源的结构单元的全部单元，包含5摩尔％以上且80摩尔％以下的二聚物二胺来源的结构单元，所述聚酰亚胺的...

【专利技术属性】
技术研发人员：前野智亮，川端泰典，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：