一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法技术

本发明专利技术公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，是用于表征纳米器件的自热效应，其步骤包括：1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真，输出I

【技术实现步骤摘要】
一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法


[0001]本专利技术涉及一种FinFET纳米器件的自热效应温升数值计算方法，适用于纳米器件应用过程中由自热效应引起的温度上升值计算，属于纳米器件自热效应表征


技术介绍

[0002]为延续摩尔定律，集成电路设计领域不断探究新工艺，而先进工艺鳍式场效应晶体管FinFET的出现解决了传统平面工艺的功耗、性能与面积上的问题。与平面工艺相比，FinFET器的3D结构散热有限，其中新型的沟道材料也降低了热导率。因此，由器件自身结构和材料所产生的自热效应问题也相比平面工艺更加明显。在3D的FinFET器件自热效应研究中，纳米器件自热效应分析与自热效应表征一直是该研究领域重要内容。而在自热效应的表征中，因纳米器件尺寸极小，想要直接使用温度传感器对其进行自热效应测试较为困难，且目前大多研究集中于自热效应对器件和电路的性能影响分析，在器件自热效应的表征计算上较少。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服上述自热效应表征难问题，提出一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、设定不同温度，并对FinFET纳米器件进行特性仿真，得到FinFET纳米器件在不同温度下的输出I
‑
V特性曲线，并利用式(1)计算输出I
‑
V特性曲线所对应的FinFET纳米器件参数中的输出跨导g
m
：式(1)中，V
GS
表示栅极电压，I
DS
表示漏极电流；步骤2、利用式(2)建立温度T与输出跨导g
m
相对于环境温度下的跨导变化量
△
g
m
、栅极电压V
GS
的关系模型：T＝a(V
GS
)2‑
bΔg
...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁华国，汪月，鲁迎春，肖远，章宏，易茂祥，黄正峰，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：