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本发明公开了一种FinFET纳米器件的自热效应温升计算方法，是用于表征纳米器件的自热效应，其步骤包括：1、设定不同温度对FinFET进行特性仿真，输出I
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该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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