一种金属网格的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属网格的制备方法，该金属网格的制备方法的配方包括以下组份：石英粉10％

【技术实现步骤摘要】
一种金属网格的制备方法


[0001]本专利技术涉及金属网格
，具体为一种金属网格的制备方法。

技术介绍

[0002]金属网格一般采用银、铜等低电阻金属，银和铜这类金属具有明显的金属亮泽，在可见光波长范围内反射率高，制成金属网格线在强光灯照射下较明显，但由于反射率高，金属网格的漫反射强，造成金属网格的雾度较高，影响金属网格的整体透过率。
[0003]目前金属网格膜的制备方法总体来说普遍是采用模板法，例如采用光刻技术及其他如高分子类聚合物模板等，而常用的光刻法强烈依赖于相应的光刻制备，并且高端的刻蚀设备极其昂贵，并且步骤复杂。此外，也可利用制备金属纳米线来组装制备金属网格，但是金属纳米线的制备也是一个复杂且需精细控制的过程，而且金属纳米线的镀膜或网格组装过程亦难以控制。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种金属网格的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金属网格的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0006]S1：用去离子水处理基材；
[0007]S2：在基材上静电纺丝
[0008]S3：制备模板涂层溶液；
[0009]S4：制备基底模板：取衬底与S3中模板涂层溶液，并用模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜；
[0010]S5：在纺丝的基材上，自组装一层掩膜；
[0011]S4：去除纤维模板，得到凹槽；
[0012]S5：在凹槽处蒸镀金属；
[0013]S6：去除自主装掩膜，得到金属网格透明电极。
[0014]优选的，所述S4中模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜具体包括：将衬底浸入模板涂层溶液中或者将模板涂层溶液旋涂于衬底上，以使胺基薄膜均匀沉积于衬底上。
[0015]优选的，所述S2中衬底为聚苯乙烯胶体晶体或者聚甲基丙烯酸甲酯。
[0016]优选的，所述模板涂层溶液为聚多巴胺、聚乙烯亚胺或者聚丙烯胺中的一种或者多种混合物
[0017]优选的，所述S4中基底模板处理具体包括：S41：将沉积有胺基薄膜的基底衬底放入烘箱中10～40min并控温在50～80℃；S42：胺基薄膜覆于衬底上形成薄膜层模板，并利用掩膜板在薄膜层模板的表面进行光刻形成网格型薄膜层模板。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术以环保、可回收为理念。选用壳聚糖、聚乙烯醇(PVA)等环保型高分子作为自主装的原料，溶于去离子水中，配制成30mg/mL
‑
400mg/mL的高分子溶液。在透明基材上(PET、PI、透明玻璃)上，预先静电纺丝一层PVB纤维模板，纤维直径决定了金属网格的直径，之后在纤维模板空隙采用自主装的方法生长高分子掩膜，掩膜的的生长速率取决于浓度，掩膜的高度必须低于纤维直径。之后采用乙醇溶剂将纤维模板去除，并采用蒸镀的方法，在纤维去除的沟槽中蒸镀一层金属，最后去除高分子掩膜得到金属网格透明电极。
附图说明
[0019]图1为本说明的方法步骤示意图
具体实施方式
[0020]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]本专利技术提供一种技术方案：一种金属网格的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0022]S1：用去离子水处理基材；
[0023]S2：在基材上静电纺丝
[0024]S3：制备模板涂层溶液；
[0025]S4：制备基底模板：取衬底与S3中模板涂层溶液，并用模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜；
[0026]S5：在纺丝的基材上，自组装一层掩膜；
[0027]S4：去除纤维模板，得到凹槽；
[0028]S5：在凹槽处蒸镀金属；
[0029]S6：去除自主装掩膜，得到金属网格透明电极。
[0030]所述S4中模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜具体包括：将衬底浸入模板涂层溶液中或者将模板涂层溶液旋涂于衬底上，以使胺基薄膜均匀沉积于衬底上。
[0031]所述S2中衬底为聚苯乙烯胶体晶体或者聚甲基丙烯酸甲酯。
[0032]所述模板涂层溶液为聚多巴胺、聚乙烯亚胺或者聚丙烯胺中的一种或者多种混合物
[0033]所述S4中基底模板处理具体包括：S41：将沉积有胺基薄膜的基底衬底放入烘箱中10～40min并控温在50～80℃；S42：胺基薄膜覆于衬底上形成薄膜层模板，并利用掩膜板在薄膜层模板的表面进行光刻形成网格型薄膜层模板。
[0034]本专利技术具有环保、无污染的制备手段，制备流程简单，可大面积制备，得到的金属网格透明电极透过率60％
‑
85％之间，方块电子为0.4Ω～10Ω，铜线直径为800nm～2μm。
[0035]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换
和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属网格的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：用去离子水处理基材；S2：在基材上静电纺丝S3：制备模板涂层溶液；S4：制备基底模板：取衬底与S3中模板涂层溶液，并用模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜；S5：在纺丝的基材上，自组装一层掩膜；S6：去除纤维模板，得到凹槽；S7：在凹槽处蒸镀金属；S8：去除自主装掩膜，得到金属网格透明电极。2.根据权利要求1所述的一种金属网格的制备方法，其特征在于：所述S4中模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜具体包括：将衬底浸入模板涂层溶液中或者将模板涂层溶液旋涂于衬底上，以使胺基薄膜均匀沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，邹万浪，
申请(专利权)人：深圳市志凌伟业技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：