【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法。另外,本专利技术涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件。
技术介绍
[0002]由现有技术、例如DE 10 2012 217 979 A1已知,由至少一个半导体材料构成的膜片用作传感器的或者麦克风的压敏元件,其中,该膜片本身或者附接在该膜片上的电极与位置固定的对电极(Gegenelektrode)共同作用。通常,在这种情况下,膜片的远离该对电极地指向的侧的至少一个部分面是暴露的。
技术实现思路
[0003]本专利技术实现一种具有权利要求1的特征的用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法和一种具有权利要求8的特征的用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件。
[0004]本专利技术的优点
[0005]本专利技术实现一种微机械构件,所述微机械构件分别具有能够用作压敏元件或者声波敏感元件的膜片,该膜片与现有技术相比更好地受到保护以防对膜片的机械损伤或 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于微机械构件的制造方法,所述微机械构件用于传感器设备或者麦克风设备,所述制造方法具有以下步骤:在衬底(12)的衬底表面(12a)上由第一牺牲材料形成支撑结构(10),其中,所述支撑结构(10)形成为具有由所述第一牺牲材料构成的第一牺牲材料层(14)和多个由所述第一牺牲材料构成的支撑柱(18),所述第一牺牲材料层至少部分地覆盖所述衬底表面(12),所述第一牺牲材料层具有多个通过所述第一牺牲材料层(14)结构化的蚀刻孔(16),所述支撑柱伸入到所述衬底(12)中;借助蚀刻介质将由所述支撑结构(10)跨越的至少一个空腔(22)蚀刻到所述衬底表面(12a)中,所述蚀刻介质通过所述第一牺牲材料层(14)中的多个蚀刻孔(16)来引导,所述第一牺牲材料与所述衬底(12)相比对所述蚀刻介质具有更高的耐蚀刻性;由至少一个半导体材料在所述支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上或所述支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上方形成膜片(30);将层堆叠(34)沉积在所述膜片(30)的远离所述衬底(12)地指向的侧上,所述层堆叠(34)包括至少一个牺牲层(36a,36b)和在所述至少一个牺牲层(36a,36b)的远离所述衬底(12)地指向的侧上形成的至少一个对电极(38);通过至少部分地移除至少所述支撑结构(10)和所述至少一个牺牲层(36a,36b),释放所述膜片(30)。2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,为了在所述衬底(12)的所述衬底表面(12a)上由所述第一牺牲材料形成所述支撑结构(10),实施以下步骤:将多个沟槽(20)结构化到所述衬底(12)的衬底表面(12a)中;将所述第一牺牲材料这样沉积在衬底表面(12a)上,所述衬底表面具有结构化到所述衬底表面中的多个沟槽(20),使得由填充到所述多个沟槽(20)中的第一牺牲材料形成多个伸入到所述衬底(12)中的支撑柱(18),所述衬底表面(12a)至少部分地被由所述第一牺牲材料构成的后来的第一牺牲材料层(14)覆盖。通过所述第一牺牲材料层(14)结构化所述多个蚀刻孔(16);通过所述第一牺牲材料层(14)中的多个蚀刻孔(16),将所述空腔(22)蚀刻到所述衬底表面(12a)中。3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,在形成所述膜片(30)之前,所述第一牺牲材料层(14)至少部分地被第二牺牲材料层(24)覆盖,所述第二牺牲材料层由所述第一牺牲材料和/或第二牺牲材料构成...
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