新型化合物、抗蚀剂下层膜组合物以及抗蚀剂下层膜制造技术

提供一种耐蚀刻性、间隙填充特性以及耐热性得到改善的化合物。本发明专利技术的一实施例提供一种包含以下述结构式1表示的重复单元的化合物：[结构式1][结构式1][结构式1][结构式1]

【技术实现步骤摘要】
新型化合物、抗蚀剂下层膜组合物以及抗蚀剂下层膜


[0001]本专利技术涉及一种新型化合物、包含所述化合物的抗蚀剂下层膜组合物(Resist underlayer film composition)以及抗蚀剂下层膜，尤其涉及一种间隙填充性能、耐蚀刻性以及耐热性优异的化合物、包含所述化合物的抗蚀剂下层膜组合物以及抗蚀剂下层膜。

技术介绍

[0002]最近，伴随大规模集成电路(large scale integrated circuit：LSI)的高集成化以及高速化，半导体图案变得更加微细，而且在目前作为通用技术使用的利用曝光的光刻技术(lithography)中，已经接近源自光源波长的本质性的分辨率极限。
[0003]伴随半导体装置的小型化以及集成化，图案的大小正在变得越来越小，而为了防止由此导致的光刻胶图案的塌陷现象，光刻胶膜以及图案的厚度也在变得越来越薄。但是，在使用过薄的光刻胶图案的情况下难以对被蚀刻层进行蚀刻，因此在光刻胶膜与被蚀刻层之间导入耐蚀刻性强的无机物膜或有机物膜，这种膜被称之为“抗蚀剂下层膜”，而在通过对抗蚀剂下层膜进行蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含以下述结构式1表示的重复单元的化合物：[结构式1]在所述结构式1中，R1为在含有碳(*)的苯环上取代1至5个的取代基，A为取代或未取代的单环或多环，n为重复单元的重复次数，即1至55。2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述取代的单环或多环含有极性官能团，所述极性官能团为选自由羟基、胺基、硫醇基以及羧基构成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述R1为在以碳(*)为基准的间位以及对位上取代2或3个的取代基，所述取代2个3个的取代基彼此结合而形成单环或多环。4.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述R1是以下述结构式2表示的分子结构：[结构式2]在所述结构式2中，B与所述结构式1中的含有碳(*)的苯环结合，且含有被极性官能团取代的单环或多环的芳香烃分子结构，C含有被极性官能团取代的单环或多环的芳香烃分子结构。5.根据权利要求4所述的化合物，其中，所述B以及C的极性官能团，各自独立地为选自由羟基、胺基、硫醇基以及羧基构成的组中的一种以上。6.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化合物在一侧末端包含第一分子结构，并在另一侧末端包含第二分子结构，所述第一分子结构以及所述第二分子结构彼此相同或不同。7.根据权利要求6所述的化合物，其中，所述第一分子结构以及所述第二分子结构，各自独立地为衍生自酮基化合物的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林瑛培，金炫辰，金钟元，金知贤，金甫龙，金建熙，赵恩情，李承默，张相勳，
申请(专利权)人：株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：