发光器件的制备方法、发光器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光器件的制备方法，包括：提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层；将金属氧化物纳米颗粒分散在质子型离子液体中，得到金属氧化物纳米颗粒分散液；将所述金属氧化物纳米颗粒分散液设置在所述量子点发光层上，退火，得到电子传输层；在所述电子传输层上形成阴极，得到发光器件。所述质子型离子液体可以与金属氧化物纳米颗粒形成静电作用及化学键作用，在金属氧化物纳米颗粒的表面形成质子型离子液体薄膜，控制晶体生长并抑制晶体团聚，从而得到平整度好、致密且结晶性良好的电子传输层薄膜，进而得到具有高发光效率的发光器件。另，本申请还公开了一种发光器件及显示装置。显示装置。显示装置。

【技术实现步骤摘要】
发光器件的制备方法、发光器件及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种发光器件的制备方法、由所述制备方法制得的发光器件、及包括所述发光器件的显示装置。

技术介绍

[0002]目前广泛使用的发光器件为有机发光器件(OLED)和量子点发光器件(QLED)。传统的OLED和QLED器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
[0003]现有的发光器件，尤其是量子点发光器件，常用的电子传输层为包含金属氧化物纳米颗粒的电子传输层，此类的电子传输层具有优异的电子传输性能，可以使得包括其的发光器件具有良好的电子迁移率，而具有较高的发光效率。
[0004]然而，使用溶液法制备的所述电子传输层时，在制备过程中易出现颗粒堆积、成膜不均匀、膜层出现裂纹及空洞等现象，而导致发光器件的发光效率较低。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种发光器件的制备方法，旨在改善现有的发光器件发光效率低的问题。
[0006]本申请实施例是这样实现的，一种发光器件的制备方法，包括如下步骤：
[0007]提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层；
[0008]将金属氧化物纳米颗粒分散在质子型离子液体中，得到金属氧化物纳米颗粒分散液；
[0009]将所述金属氧化物纳米颗粒分散液设置在所述量子点发光层上，得到电子传输层；
[0010]在所述电子传输层上形成阴极，得到发光器件。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述质子型离子液体选自4
‑
甲基吡啶三氟乙酸盐、苯乙胺基乙酸、3
‑
硝基苯胺及乙醇酸1
‑
丁咪唑盐中的至少一种。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO纳米颗粒、SnO2纳米颗粒、Al2O3纳米颗粒、TiO2纳米颗粒、掺铝氧化锌纳米颗粒、掺锂氧化锌纳米颗粒、及掺镁氧化锌纳米颗粒中的至少一种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物纳米颗粒的粒径范围为3～10nm。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述质子型离子液体与所述金属氧化物纳米颗粒的摩尔比的范围为1:(0.5～1)。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述将金属氧化物纳米颗粒分散在质子型离
子液体中的方法为室温下超声20～120min。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述金属氧化物纳米颗粒分散液设置在所述量子点发光层上后还包括退火的步骤，所述退火的温度范围为60～120℃，时间范围为10min～2h。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层的步骤包括：在所述阳极上依次形成层叠的空穴传输层及量子点发光层。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点选自CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS、CdSe/CdZnSeS/ZnS、InP/ZnSe/ZnS及InP/ZnSeS/ZnS中的至少一种；和/或
[0019]所述阳极选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极或碳纳米管电极，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；和/或
[0020]所述阴极的材料选自Ag、Al、Au、Pt、Ca、Ba及合金中的至少一种；和/或
[0021]所述空穴传输层的材料选自聚[双(4
‑
苯基)(2,4,6
‑
三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'
‑
四[N,N
‑
二(4
‑
甲氧基苯基)氨基]‑
9,9'
‑
螺二芴、4,4'
‑
环己基二[N,N
‑
二(4
‑
甲基苯基)苯胺]、N,N
′‑
双(1
‑
奈基)
‑
N,N
′‑
二苯基
‑
1,1
′‑
二苯基
‑
4,4
′‑
二胺、4,4'
‑
双(N
‑
咔唑)
‑
1,1'
‑
联苯、聚[(9,9
‑
二辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)
‑
co
‑
(4,4'
‑
(N
‑
(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9
‑
乙烯基咔唑)、聚三苯胺、及4,4',4
″‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺中的至少一种。
[0022]相应的，本申请实施例还提供一种发光器件，包括阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层由金属氧化物纳米颗粒分散液设置在量子点发光层上形成，所述金属氧化物纳米颗粒分散液包括金属氧化物纳米颗粒及质子型离子液体。
[0023]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光器件。
[0024]本申请的发光器件的制备方法先将金属氧化物纳米颗粒分散在质子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层；将金属氧化物纳米颗粒分散在质子型离子液体中，得到金属氧化物纳米颗粒分散液；将所述金属氧化物纳米颗粒分散液设置在所述量子点发光层上，得到电子传输层；在所述电子传输层上形成阴极，得到发光器件。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述质子型离子液体选自4
‑
甲基吡啶三氟乙酸盐、苯乙胺基乙酸、3
‑
硝基苯胺及乙醇酸1
‑
丁咪唑盐中的至少一种。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO纳米颗粒、SnO2纳米颗粒、Al2O3纳米颗粒、TiO2纳米颗粒、掺铝氧化锌纳米颗粒、掺锂氧化锌纳米颗粒、及掺镁氧化锌纳米颗粒中的至少一种。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属氧化物纳米颗粒的粒径范围为3～10nm。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述质子型离子液体与所述金属氧化物纳米颗粒的摩尔比的范围为1:(0.5～1)。6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述将金属氧化物纳米颗粒分散在质子型离子液体中的方法为室温下超声20～120min。7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述将所述金属氧化物纳米颗粒分散液设置在所述量子点发光层上后还包括退火的步骤，所述退火的温度范围为60
‑
120℃，时间范围为10min～2h。8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供阳极，在所述阳极上形成量子点发光层的步骤包括：在所述阳极上依次形成层叠的空穴传输层及量子点发光层。9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点选自CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：