一种发光器件的后处理方法技术

本申请公开了一种发光器件的后处理方法，所述后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡，间断式光照处理能够有效控制发光器件的内光电效应水平，防止出现因发光器件的内光电效应水平过高而损伤发光层的问题，促进发光器件的载流子注入平衡，从而有效地提高了发光器件的光电性能，并延长了发光器件的使用寿命，有效缩短了发光器件的整个制作周期。有效缩短了发光器件的整个制作周期。有效缩短了发光器件的整个制作周期。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件的后处理方法


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种发光器件的后处理方法。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]在发光器件的制备过程中，由于各个层的材料存在差异，且制备工艺亦存在差异，所以发光器件的各个层阻值分布不均匀，并且相邻层之间存在能势差异，从而导致载流子注入不平衡的问题，该问题在QLED中尤为严重，进而对发光器件的光电性能和使用寿命造成不利影响。
[0004]因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡的问题对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种发光器件的后处理方法，以改善发光器件存在的载流子注入不平衡的问题。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]一种发光器件的后处理方法，所述后处理方法包括如下步骤：
[0008]提供发光器件，所述发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层；
[0009]在预设的时间范围内，对所述发光器件进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理。
[0010]可选地，所述通电处理为连续不间断式的。
[0011]进一步地，所述光照处理的间隔时间为5min至20min，每次光照时间为1s至20s。
[0012]可选地，所述通电处理为间断式的。
[0013]进一步地，相邻所述通电处理的间隔时间为1s至20s。
[0014]可选地，所述通电处理与所述光照处理交替进行。
[0015]进一步地，单次所述通电处理的时间为5min至20min，单次所述光照处理的时间为1s至20s。
[0016]可选地，所述通电处理为恒流式通电处理，且所述通电处理的电流值为1微安至100微安。
[0017]进一步地，所述通电处理的电流值低于所述发光器件的启亮电流值。
[0018]可选地，所述通电处理为恒压式通电处理，且所述通电处理的电压为0.1V至1.5V。
[0019]进一步地，所述通电处理的电压值低于所述发光器件的启动电压。
[0020]进一步地，所述对所述发光器件的阳极与阴极进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理的步骤是在不透光的密封腔体中进行。进一步地，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；
[0021]其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；
[0022]所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2或AgInS2中的至少一种。
[0023]进一步地，所述光照处理的光源选自发射光波长为100nm至400nm的紫外光和/或发射光波长为400nm至500nm的可见光；
[0024]和/或，所述光照处理的光源的光照强度为400lx至40000lx。
[0025]进一步地，所述光照处理的光源选自发射光波长为200nm至380nm的紫外光，且所述光照处理的光源的光照强度为4000lx至10000lx。
[0026]本申请提供了一种发光器件的后处理方法，具有如下技术效果：
[0027]本申请的后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡，间断式光照处理能够有效控制发光器件的内光电效应水平，防止出现因发光器件的内光电效应水平过高而损伤发光层的问题，促进发光器件的载流子注入平衡，从而有效地提高了发光器件的光电性能，并延长了发光器件的使用寿命，此外，所述后处理方法通过促使发光器件快速熟化而缩短发光器件的整个制作周期。
附图说明
[0028]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0029]图1为本申请实施例提供的一种发光器件的后处理方法的流程示意图。
[0030]图2为本申请实施例提供的第一种发光器件的结构示意图。
[0031]图3为本申请实施例提供的第二种发光器件的结构示意图。
[0032]图4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的后处理方法，其特征在于，所述后处理方法包括如下步骤：提供发光器件，所述发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层；在预设的时间范围内，对所述发光器件进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理。2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为连续不间断式的。3.根据权利要求2所述的后处理方法，其特征在于，所述光照处理的间隔时间为5min至20min，每次光照时间为1s至20s。4.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为间断式的。5.根据权利要求4所述的后处理方法，其特征在于，相邻所述通电处理的间隔时间为1s至20s。6.根据权利要求4所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理与所述光照处理交替进行。7.根据权利要求6所述的后处理方法，其特征在于，单次所述通电处理的时间为5min至20min，单次所述光照处理的时间为1s至20s。8.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为恒流式通电处理，且所述通电处理的电流值为1微安至100微安。9.根据权利要求8所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理的电流值低于所述发光器件的启亮电流值。10.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为恒压式通电处理，且所述通电处理的电压为0.1V至1.5V。11.根据权利要求10所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理的电压值低于所述发光器件的启动电压。12.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述对所述发光器件的阳极与阴极进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理的步骤是在不透光的密封腔体中进行。13.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机
‑
无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物或I
‑
II...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺晓光，芦子哲，黄子健，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：