一种热点检测方法及装置制造方法及图纸

本申请涉及热点识别领域，具体而言，涉及一种热点检测方法及装置，一定程度上可以解决通过光刻仿真方式进行热点检测时准确性差的问题。所述的热点检测方法包括：存储多张包括电路版图的第一图像至图像库中，所述电路版图包含热点；确定所述图像库中与待测图像匹配的匹配图像，所述第一图像包括所述匹配图像，所述待测图像包括需要进行热点检测的晶圆；获取所述匹配图像的特征向量；将所述特征向量输入至预设的检测模型中，基于所述检测模型的输出，确定所述晶圆中热点的类型及位置。确定所述晶圆中热点的类型及位置。确定所述晶圆中热点的类型及位置。

【技术实现步骤摘要】
一种热点检测方法及装置


[0001]本申请涉及热点识别领域，具体而言，涉及一种热点检测方法及装置。

技术介绍

[0002]芯片制作过程中的一个必要环节是通过光刻机对晶圆进行光刻，即光刻机依据设计好的电路版图，通过一系列工艺步骤去除晶圆表面的特定部分，让晶圆表面的图形为电路版图所示的图形，光刻后的晶圆通过后续处理形成最终的芯片。目前，随着对芯片的性能以及集成度方面的要求的不断提高，光刻机进行光刻的波长在不断减少，由此造成的光学临近效应(Optical Proximity Effect,OPE)会导致晶圆表面图形失真，使光刻后的晶圆表面存在桥连(bridging)和断线(breaking)等缺陷，这些缺陷被称为光刻热点，简称为热点。热点的存在导致芯片出现错误，影响芯片的正常使用，因此有必要检测晶圆光刻后存在的热点，以便及时处理有问题的晶圆。
[0003]目前的热点检测一般是基于光刻仿真进行的，具体地，先通过设定一系列初始工艺参数，模拟晶圆的光刻过程，在此过程中，对一系列初始工艺参数进行多次拟合，不断根据拟合结果修正工艺参数，直至得到最终的模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热点检测方法，其特征在于，包括：存储多张包括电路版图的第一图像至图像库中，所述电路版图包含热点，且至少两张所述第一图像中的热点不同；确定所述图像库中与待测图像匹配的匹配图像，所述第一图像包括所述匹配图像，所述待测图像包括需要进行热点检测的晶圆；获取所述匹配图像的特征向量；将所述特征向量输入至预设的检测模型中，基于所述检测模型的输出，确定所述晶圆中热点的类型及位置。2.根据权利要求1所述的热点检测方法，其特征在于，所述检测模型包括至少一个分类器，所述存储多张包括电路版图的第一图像至图像库中后，所述方法还包括：将所述第一图像划分为至少一种图像集合，一种所述图像集合对应一个所述分类器；所述将所述特征向量输入至预设的检测模型中，包括：将所述特征向量输入至所述匹配图像所在的图像集合对应的所述分类器中。3.根据权利要求2所述的热点检测方法，其特征在于，所述将所述第一图像划分为至少一种图像集合，包括：根据所述热点的类型和/或基于所述电路版图中所述热点四周的区域，划分所述第一图像。4.根据权利要求3所述的热点检测方法，其特征在于，所述根据所述热点的类型，划分所述第一图像之前，所述方法还包括：基于所述电路版图的面积与所述第一图像中电路版图的实际面积之间的差值，确定所述第一图像中的热点类型；其中，若所述电路版图的面积与所述实际面积之间的差值为第一预设值，且所述电路版图的面积小于所述实际面积，所述热点类型为线夹断类型；若所述电路版图的面积与所述实际面积之间的差值为第二预设值，且所述电路版图的面积大于所述实际面积，所述热点类型为线桥接类型；若所述电路版图的面积与所述实际面积之间的差值为第三预设值，所述热点类型为接触孔类型，其中，所述第三预设值小于所述第二预设值，且所述第三预设值小于所述第一预设值。5.根据权利要求3所述的热点检测方法，其特征在于，所述基于所述电路版图中所述热点四周的区域，划分所述第一图像，包括：通过截取所述第一图像中热点位置四周的区域，确定第一区域；确定所述第一区域相同的第一图像为同一类型的图像集合。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：贡顶，俞一天，王亮，刘春学，黄昊，
申请(专利权)人：北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：