发光二极管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，该发光二极管包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的发光层、设置在发光层和第一电极之间的第一膜层；其中，在第一膜层和发光层之间设置第二膜层，第二膜层通过离子注入第一膜层而形成，或者，第二膜层的材料包括导电聚合物材料。从而在制备发光二极管的过程中，当制备发光层时，利用该第二膜层的抗腐蚀能力，能够有效的阻挡溶剂侵入第一膜层，降低溶剂对第一膜层的腐蚀。一膜层的腐蚀。一膜层的腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法、显示装置


[0001]本申请属于显示
，具体涉及一种发光二极管及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)是由阳极(Anode)、空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、空穴传输层(Hole Tranport Layer，简称HTL)、量子点发光层(Quantum dot light emitting layer，简称QD层)、电子传输层(Electron Transport Layer，简称ETL)和阴极(Cathode)构成的多功能层复合结构，当受到电或光刺激时，电子和空穴分别从各自电极注入，两者在量子点发光层复合发光。QLED由于其具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高以及低成本等优点，得到越来越多的关注。
[0003]制备量子点发光二极管时，量子点材料采用的溶剂不同，最终制得的量子点发光二极管的寿命也有所不同，有些溶剂会使寿命更长，但同时也会腐蚀在先制备的膜层，因此造成不利影响。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种发光二极管及其制备方法、显示装置，旨在改善现有发光二极管的膜层腐蚀的问题。
[0005]本申请实施例是这样实现的，一种发光二极管，包括第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层、设置在所述发光层和所述第一电极之间的第一膜层；其中，在所述第一膜层和所述发光层之间设置第二膜层，所述第二膜层通过离子注入所述第一膜层而形成，或者，所述第二膜层的材料包括导电聚合物材料。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二膜层包覆所述第一膜层。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述离子包括：
[0008]第一离子，选自包括碳离子、硅离子、锗离子、锡离子、铅离子中的一种；
[0009]第二离子，选自包括锆离子、铪离子、钛离子、钼离子、钨离子、铬离子中的一种。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述离子为硅离子和钼离子。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述硅离子和所述钼离子的摩尔比为1:1；和/或所述硅离子和所述钼离子的总注入量为1
‑
10mg。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述导电聚合物材料选自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚苯酚及它们的衍生物中的一种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二膜层经过阻聚处理。其中，采用的阻聚剂选自包括苯酚、苯醌、硫、氯化铁的组，和/或采用的阻聚剂选自包括硝基化合物、芳香胺、酚类、含硫化合物的组。也即阻聚剂可以从苯酚、苯醌、硫、氯化铁中选择，也可以从硝基化合物、芳香胺、酚类、含硫化合物中选择，此外，还可以选择上述两个组中未列出且本领域已知的其他阻聚剂。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层的材料包括量子点材料，所述量子点材料的溶剂包括甲苯。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极为阳极，所述第一膜层为空穴传输层，所述第二电极为阴极；或者所述第一电极为阴极，所述第一膜层为电子传输层，所述第二电极为阳极。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极和/或所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或
[0017]所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点，所述单一结构量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或
[0018]所述空穴传输层的材料选自TFB、NPB、PVK、poly
‑
TPD、TCATA、CBP、TPD、TAPC、TPH、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯和C
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中的至少一种，或者选自掺杂或非掺杂的NiO、WO3、MoO3和CuO中的至少一种；和/或
[0019]所述电子传输层的材料选自无机纳米晶材料、掺杂无机纳米晶材料、有机材料中的至少一种，所述无机纳米晶材料选自ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2、Ta2O3、Ga2O3、SiO2、Al2O3、CaO、Fe2O3、CrO3、WO3、CdO、CuO和MoO2中的至少一种，掺杂无机纳米晶材料选自氧化锌掺杂物、二氧化钛掺杂物、二氧化锡掺杂物和ITO中的至少一种，所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯和聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种。
[0020]相应的，本申请实施例还提供一种上述发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
[0021]提供基板，在所述基板上依次形成第一电极和第一膜层；
[0022]在所述第一膜层上形成第二膜层；
[0023]在所述第二膜层上依次形成发光层和第二电极；
[0024]其中，所述第二膜层通过离子注入所述第一膜层而形成，或者，所述第二膜层的材料包括导电聚合物材料。
[0025]可选的，在本申请的一些实施例中，
[0026]所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤，包括：
[0027]通过离子注入所述第一膜层，形成包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层、设置在所述发光层和所述第一电极之间的第一膜层；其中，在所述第一膜层和所述发光层之间设置第二膜层，所述第二膜层通过离子注入所述第一膜层而形成，或者，所述第二膜层的材料包括导电聚合物材料。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二膜层包覆所述第一膜层。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述离子包括：第一离子，选自包括碳离子、硅离子、锗离子、锡离子、铅离子中的一种；第二离子，选自包括锆离子、铪离子、钛离子、钼离子、钨离子、铬离子中的一种。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述离子为硅离子和钼离子。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述硅离子和所述钼离子的摩尔比为1:1；和/或所述硅离子和所述钼离子的总注入量为1
‑
10mg。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导电聚合物材料选自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚苯酚及它们的衍生物中的一种。7.根据权利要求1或6所述的发光二极管，其特征在于，所述第二膜层经过阻聚处理。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层的材料包括量子点材料，所述量子点材料的溶剂包括甲苯。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第一膜层为空穴传输层，所述第二电极为阴极；或者所述第一电极为阴极，所述第一膜层为电子传输层，所述第二电极为阳极。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述阳极和/或所述阴极选自金属电极、碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和/或所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、I...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：