【技术实现步骤摘要】
正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法
[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种物品、方法或者制造方法。本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、照明装置、电子设备或它们的制造方法。尤其是,本专利技术的一个实施方式涉及可用于二次电池的正极活性物质、二次电池以及包括二次电池的电子设备。
[0002]在本说明书中,蓄电装置是表示具有蓄电功能的元件及装置的总称。例如,锂离子二次电池等蓄电池(也称为二次电池)、锂离子电容器及双电层电容器包括在蓄电装置的范畴内。
[0003]注意,在本说明书中,电子设备是指具有蓄电装置的所有装置,具有蓄电装置的电光装置、具有蓄电装置的信息终端装置等都是电子设备。
技术介绍
[0004]近年来,对锂离子二次电池、锂离子电容器及空气电池等各种蓄电装置的研究开发日益火热。尤其是,伴随手机、智能手机、笔记本个人计算机等便携式信息终端、便携式音乐播放机、数码相机、医疗设备、混合动力汽车(HEV)、电动汽车(EV)及插电式混合动力汽车(PHEV)等新一代清洁能源汽车等的半导体产业的发展,高输出、大容量的锂离子二次电池的需求量剧增。作为能够充电的能量供应源,锂离子二次电池成为现代信息化社会中不可缺少的物品。
[0005]作为目前锂离子二次电池被要求的特性,有:大容量化、循环特性的提高、各种 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锂离子二次电池,包括:正极,具有正极活性物质粒子,所述正极活性物质粒子具有第一区域和第一区域;负极;隔离体;电解液;外包装体;其中,所述第二区域覆盖所述第一区域的至少一部分;所述第一区域具有锂、氧、钴和铝;所述第二区域具有镁、钴和氧;所述第一区域具有层状岩盐型的结晶结构;所述第二区域具有岩盐型的结晶结构;所述第一区域的结晶取向与所述第二区域的结晶取向大致对齐;在所述第一区域内、第一测量区域上的EELS测量中,3价的钴比其他价数的钴多;在所述第二区域内、第二测量区域上的EELS测量中,2价的钴比其他价数的钴多;所述正极在所述正极活性物质粒子的表面具有碳纤维;针对使用了所述正极和锂金属的硬币型二次电池,在温度25℃进行以4.6V为充电电压的循环测试的情况下,第30次循环的能量密度为84%以上93%以下。2.一种锂离子二次电池,包括:正极,具有正极活性物质粒子,所述正极活性物质粒子具有第一区域和第一区域;负极;隔离体;电解液;外包装体;其中,所述第二区域覆盖所述第一区域的至少一部分;所述第一区域具有锂、氧、钴和铝;所述第二区域具有镁、钴和氧;所述第一区域具有层状岩盐型的结晶结构;所述第二区域具有岩盐型的结晶结构;所述第一区域的结晶取向与所述第二区域的结晶取向大致对齐;在所述第一区域内、第一测量区域上的EELS测量中,3价的钴比其他价数的钴多;在所述第二区域内、第二测量区域上的EELS测量中,2价的钴比其他价数的钴多;所述正极在所述正极活性物质粒子的表面具有碳纤维;针对使用了所述正极和锂金属的硬币型二次电池,在温度25℃,以恒电流充电而充电至上限电压4.6V、然后进行恒压充电、通过恒电流放电而使得放电至下限电压2.5V的充放电循环反复进行的情况下,第30次循环的能量密度为84%以上93%以下。3.一种锂离子二次电池,包括:正极,具有正极活性物质粒子,所述正极活性物质粒子具有第一区域和第一区域;负极;隔离体;
电解液;外包装体;其中,所述第二区域覆盖所述第一区域的至少一部分;所述第一区域具有锂、氧、钴和铝;所述第二区域具有镁、钴和氧;所述第一区域具有层状岩盐型的结晶结构;所述第二区域具有岩盐型的结晶结构;所述第一区域的结晶取向与所述第二区域的结晶取向大致对齐;在所述第一区域内、第一测量区域上的EELS测量中,3价的钴比其他价数的钴多;在所述第二区域内、第二测量区域上的EELS测量中,2价的钴比其他价数的钴多;所述正极在所述正极活性物质粒子的表面具有碳纤维;在使用了所述正极和作为对电极的锂金属的硬币型二次电池中,测量温度25℃、30次循环的循环测试后的能量密度维持率为84%以上93%以下;在所述充放电循环中,充电时,以每正极活性物质重量的电流密度68.5mA/g的恒电流、上限电压4.6V进行恒电流充电后,进行恒压充电直至达到终止电流密度1.4mA/g;放电时,以每正极活性物质重量的电流密度68.5mA/g的恒电流进行下限电压2.5V的恒电流放电。4.一种锂离子二次电池,包括:多个正极、第一导线、多个负极、第二导线和外包装体;其中,所述第一导线与正极电连接;所述第二导线与负极电连接;所述外包装体具有多个棱线、多个谷底线和密封部;所述外装体具有可伸缩性;将所...
【专利技术属性】
技术研发人员:川上贵洋,落合辉明,门马洋平,鹤田彩惠,高桥正弘,三上真弓,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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