离子注入装置及系统制造方法及图纸

本申请实施例提供一种离子注入装置及系统，包括旋转盘、壳体以及至少一个角法拉第杯。其中，旋转盘用于固定晶圆；壳体上则设置有束流口，离子发射源发射出的离子束穿过束流口照射在旋转盘的晶圆上，以对晶圆进行离子注入操作。旋转盘旋转设置在壳体中，旋转盘转动使位于旋转盘上的所有晶圆依次经过束流口接受离子注入。另外，在壳体的束流口侧面设置有角法拉第杯。离子束在穿过束流口对晶圆进行离子注入的同时，至少部分离子束射入角法拉第杯中，从而完成束流统计，检测离子束的强度。检测离子束的强度。检测离子束的强度。

【技术实现步骤摘要】
离子注入装置及系统


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种离子注入装置及系统。

技术介绍

[0002]半导体制造工序中，为了改变晶圆导电性、晶圆的晶体结构等目的，工作人员需要利用离子注入装置将离子入射到半导体晶圆中。其中，离子注入装置上设置有角法拉第杯。角法拉第杯是一种设计成杯状的、用来检测带电粒子入射强度的一种真空侦测器。
[0003]目前，离子注入装置包括固定盘和旋转靶盘，旋转靶盘与固定盘并列设置。其中，固定盘上设置有使离子束通过的通道，旋转靶盘则固定有多个晶圆。电机带动旋转靶盘转动，使多个晶圆依次经过通道以完成离子注入。为了检测离子束的强度，工作人员在旋转靶盘上也设置有通道，且在通道的后侧的对应位置设置角法拉第杯。当旋转靶盘的通道旋转至与固定盘的通道位于同一直线时，离子束依次通过两个通道并射入角法拉第杯中。然后通过角法拉第杯测出的电流积分计算出所注入离子束中的离子量，并最终计算得出离子束的强度。
[0004]但是，通过该种检测方式所测得的离子束的强度结果不准确。

技术实现思路

[0005]本申请实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子注入装置，其特征在于，包括：旋转盘(200)，所述旋转盘(200)上设置有放置空间(221)，所述放置空间(221)用于固定晶圆(300)；壳体(400)，罩设在所述旋转盘(200)上，且所述旋转盘(200)转动设置在所述壳体(400)中，所述壳体(400)上设置有束流口(430)，所述旋转盘(200)用于带动所述晶圆(300)经过所述束流口(430)，以使离子束(1100)穿过所述束流口(430)照射在所述晶圆(300)上；至少一个角法拉第杯(500)，设置在所述壳体(400)上，且位于所述束流口(430)的一侧，所述离子束(1100)在穿过所述束流口(430)照射在所述晶圆(300)上时，至少部分同时照射在所述角法拉第杯(500)中。2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述角法拉第杯(500)与所述束流口(430)远离所述角法拉第杯(500)的一侧的距离小于所述离子束(1100)的宽度。3.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述角法拉第杯(500)至少为两个，至少两个所述角法拉第杯(500)分别设置在所述束流口(430)的两侧。4.根据权利要求3所述的离子注入装置，其特征在于，位于所述束流口(430)两侧且最外侧的两个所述角法拉第杯(500)之间的距离小于所述离子束(1100)的宽度。5.根据权利要求3所述的离子注入装置，其特征在于，所有所述角法拉第杯(500)和所述束流口(430)沿直线间隔设置。6.根据权利要求5所述的离子注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，胡卉，胡文，连坤，董玉爽，王金翠，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：