鳍式半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料层、第二停止材料层及第二芯轴材料层；刻蚀形成第二芯轴图形，在所述第二停止材料层及所述第二芯轴图形的表面形成第一侧墙材料层；在所述存储区的第一侧墙材料层上形成图形化的掩模层，形成多个第一侧墙图形；去除所述图形化的掩模层，形成多个第一芯轴图形；在所述第一停止材料层及所述第一芯轴图形的表面形成第二侧墙材料层，形成多个第二侧墙图形；以及，顺形地向下刻蚀以形成多个鳍结构；本发明专利技术在满足不同器件对鳍结构间距的要求的同时且节省工序。同时且节省工序。同时且节省工序。

【技术实现步骤摘要】
鳍式半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种鳍式半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]随着逻辑芯片的尺寸缩减，工艺难度增加，例如静态存储器单元的单位面积缩小，工艺难度大幅增加，业界普遍采用了非均匀间距的鳍结构实现逻辑芯片，并采用侧墙合并的工艺方法来实现非均匀间距的鳍结构，但对于间隙的尺寸有一定要求，间隙为相邻两个芯轴图形之间的间距，后续在芯轴图形的表面形成侧墙，而侧墙合并是指在相邻两个芯轴图形的表面上形成侧墙后，相邻两个芯轴图形的侧壁上的侧墙合并在一起；若间隙太宽不利于侧墙合并，间隙太窄则达不到目标鳍结构的尺寸要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种鳍式半导体器件的制备方法，在满足不同器件对鳍结构间距的要求的同时且节省工序。
[0004]为了达到上述目的，基于本专利技术的第一个方面，本专利技术提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：
[0005]提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料层、第二停止材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料层、第二停止材料层及第二芯轴材料层；刻蚀所述第二芯轴材料层以在所述存储区和所述逻辑区中均形成第二芯轴图形，在所述第二停止材料层及所述第二芯轴图形的表面形成第一侧墙材料层；在所述存储区的第一侧墙材料层上形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩模刻蚀去除所述逻辑区中的所述第二芯轴图形及部分所述第一侧墙材料层，保留所述第二芯轴图形侧壁上的所述第一侧墙材料层以形成多个第一侧墙图形；去除所述图形化的掩模层，顺形地向下刻蚀直至形成露出所述第一停止材料层的第一开口，相邻的所述第一开口之间的所述第一芯轴材料层露出以形成多个第一芯轴图形；在所述第一停止材料层及所述第一芯轴图形的表面形成第二侧墙材料层，刻蚀去除所述第一芯轴图形及部分所述第二侧墙材料层，保留所述第一芯轴图形侧壁上的所述第二侧墙材料层以形成多个第二侧墙图形；以及，顺形地向下刻蚀直至形成延伸至所述衬底内的第二开口，相邻的所述第二开口之间的所述衬底露出以形成多个鳍结构。2.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一开口时，相邻两个所述第一开口之间的所述第一芯轴材料层的顶部覆盖有部分厚度的所述第二停止材料层，形成所述第一开口之后，采用湿法刻蚀工艺去除所述第一芯轴图形的顶部的所述第二停止材料层。3.如权利要求1所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一侧墙图形的步骤包括：以所述图形化的掩模层为掩模，采用第一各项异性刻蚀工艺刻蚀去除所述逻辑区中的所述第二芯轴图形的顶部以及所述第二停止材料层上的第一侧墙材料层；以及，以所述图形化的掩模层为掩模，采用第二各项异性刻蚀工艺刻蚀去除所述逻辑区中的所述第二芯轴图形，所述逻辑区中剩余的所述第一侧墙材料层形成多个所述第一侧墙图形。4.如权利要求3所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第二侧墙图形的步骤包括：采用第三各项异性刻蚀工艺刻蚀去除所述第一芯轴图形的顶部以及所述第一停止材料层上的第二侧墙材料层；以及，采用第四各项异性刻蚀工艺刻蚀去除所述第一芯轴图形，剩余的所述第二侧墙材料层形成多个所述第二侧墙图形。5.如权利要求4所述的鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一各项异性刻蚀工艺和所述第二项异性刻蚀工艺的刻蚀气体至少部分不同，或者，所述第三各项异性刻蚀工艺和所述第四各项异性刻蚀工艺的刻蚀气体至少部分不同。6.一种鳍式半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿金鹏，杨渝书，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：