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本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上依次形成第一停止材料层、第一芯轴材料层、第二停止材料层及第二芯轴材料层；刻蚀形成第二芯轴图形，在所述第二停止材料层及所述第二芯轴图形的表面形成...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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