公开了显示装置。显示装置包括：晶体管、连接到晶体管的存储电容器以及电连接到晶体管和存储电容器的发光二极管，其中，晶体管包括：在衬底上并且具有第一子层和在第一子层上的第二子层的栅电极以及具有沟道区域、第一低电阻区域和第二低电阻区域的半导体层，其中，沟道区域与栅电极重叠，并且第一低电阻区域和第二低电阻区域位于沟道区域的两侧上，第一子层的宽度大于第二子层的宽度，沟道区域沿第二子层的侧表面布置，存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且第一电容器电极与栅电极位于相同的层并且包括相同的材料。电极位于相同的层并且包括相同的材料。电极位于相同的层并且包括相同的材料。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2022
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0000930号的优先权和权益，其全部公开内容通过引用并入本文。
[0003]一个或多个实施方式的各方面涉及显示装置。
技术介绍
[0004]随着以图形方式显示不同种类的电信号信息的显示领域的快速发展，已经推出了具有诸如相对小的厚度、相对轻的重量和相对低的功耗的优异特征的各种显示装置。
[0005]显示装置可包括：利用背光而非自身发射光的液晶显示装置或者包括能够发射光的显示元件的发光显示装置。发光显示装置可包括包含发射层的显示元件。
[0006]本背景部分中公开的上述信息仅用于增强对背景的理解，并且因此本背景部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
技术实现思路
[0007]一个或多个实施方式的各方面涉及显示装置，并且例如，涉及与发光显示装置有关的结构。然而，这仅仅是实例，并且根据本公开的实施方式的范围不限于此。
[0008]额外方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地从描述中明确，或者可通过实践所呈现的本公开的实施方式而获知。
[0009]根据一些实施方式，显示装置包括薄膜晶体管、电连接到薄膜晶体管的存储电容器以及电连接到薄膜晶体管和存储电容器的发光二极管。薄膜晶体管包括：布置在衬底上并且包括第一子层和在第一子层上的第二子层的栅电极以及布置在栅电极上并且包括沟道区域、第一低电阻区域和第二低电阻区域的半导体层，其中，沟道区域与栅电极重叠，并且第一低电阻区域和第二低电阻区域布置在沟道区域的两侧上，第一子层的宽度大于第二子层的宽度，沟道区域沿第二子层的侧表面布置，存储电容器包括第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极，并且第一电容器电极与栅电极位于相同的层并且包括相同的材料。
[0010]根据一些实施方式，第一电容器电极可包括：与第一子层包括相同的材料的第一电容器子层、以及与第二子层包括相同的材料的第二电容器子层。
[0011]根据一些实施方式，第二子层的厚度可大于第一子层的厚度。
[0012]根据一些实施方式，第一子层可包括从第一子层的上表面与第二子层的侧表面在其处相交的点延伸的尾部区域，并且每个尾部区域的长度可等于或大于约1μm。
[0013]根据一些实施方式，栅电极可为包括第一电容器电极的第一导电图案的一部分。
[0014]根据一些实施方式，第一导电图案可包括第一部分和第二部分，第一部分在平面图上与第二电容器电极重叠，第二部分在一个方向上从第一部分突出。
[0015]根据一些实施方式，存储电容器还可包括布置在第一电容器电极和第二电容器电极之间并且与第一电容器电极和第二电容器电极重叠的连接电极，并且连接电极可与第二电容器电极接触。
[0016]根据一些实施方式，连接电极可与半导体层位于相同的层并且包括相同的材料。
[0017]根据一些实施方式，半导体层可包括氧化物半导体材料。
[0018]根据一些实施方式，薄膜晶体管可包括与第一低电阻区域和第二低电阻区域中的一个重叠并且电连接的第一电极，并且第一电极可包括包含导电材料的三个层。
[0019]根据一些实施方式，显示装置包括衬底、在衬底上在第一方向上延伸的驱动电源线、电连接到驱动电源线的驱动薄膜晶体管、以及电连接到驱动薄膜晶体管并且包括第一电容器电极和与第一电容器电极重叠的第二电容器电极的存储电容器，其中，驱动薄膜晶体管包括：包括布置在衬底上的第一子层和布置在第一子层上的第二子层的驱动栅电极，在驱动栅电极上的栅极绝缘层，以及布置在栅极绝缘层上并且包括沟道区域、第一低电阻区域和第二低电阻区域的驱动半导体层，其中，沟道区域与驱动栅电极重叠，并且第一低电阻区域和第二低电阻区域布置在沟道区域的两侧上，第一子层的宽度大于第二子层的宽度，沟道区域沿第二子层的侧表面布置，第一电容器电极包括：与第一子层包括相同的材料的第一电容器子层和与第二子层包括相同的材料的第二电容器子层。
[0020]根据一些实施方式，第一低电阻区域和第二低电阻区域中的至少一个可包括不与驱动栅电极重叠的区域。
[0021]根据一些实施方式，衬底的上表面和第一低电阻区域之间的垂直距离可不同于衬底的上表面和第二低电阻区域之间的垂直距离。
[0022]根据一些实施方式，第一电容器电极的一部分可包括驱动栅电极，并且第一电容器电极的该一部分可延伸到驱动半导体层的下部以与驱动半导体层的沟道区域重叠。
[0023]根据一些实施方式，显示装置还可包括在第一方向上延伸的数据线、以及电连接到驱动薄膜晶体管和数据线的开关薄膜晶体管。
[0024]根据一些实施方式，显示装置还可包括在第一方向上延伸的感测线、以及电连接到驱动薄膜晶体管和感测线的感测薄膜晶体管。
[0025]根据一些实施方式，第二子层的厚度可大于第一子层的厚度。
[0026]根据一些实施方式，第一子层可包括从第一子层的上表面与第二子层的侧表面在其处相交的点延伸的尾部区域，并且每个尾部区域的长度可等于或大于约1μm。
[0027]根据一些实施方式，存储电容器还可包括布置在第一电容器电极和第二电容器电极之间并且与第一电容器电极和第二电容器电极重叠的连接电极，并且连接电极可与第二电容器电极接触。
[0028]根据一些实施方式，连接电极可与驱动半导体层位于相同的层并且包括相同的材料。
附图说明
[0029]本公开的某些实施方式的上述和其它方面、特征和特性将根据结合附图进行的以下描述而更加明确，在附图中：
[0030]图1是根据一些实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
[0031]图2是示出根据一些实施方式的图1的放大区III的剖视图；
[0032]图3A至图3C是根据一些实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
[0033]图4是根据一些实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
[0034]图5是根据一些实施方式的显示装置的示意性透视图；
[0035]图6是根据一些实施方式的沿图5的线II
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II'截取的显示装置的剖视图；
[0036]图7示出了根据一些实施方式的图5的颜色转换透射层的相应部分；
[0037]图8是根据一些实施方式的包括在显示装置中的发光二极管以及电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图；
[0038]图9是根据一些实施方式的子像素电路的平面图；以及
[0039]图10是根据一些实施方式的沿图9中的线A
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A'截取的图9的子像素电路的剖视图。
具体实施方式
[0040]现在将更详细地参考附图中示出的一些实施方式的各方面，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，根据本公开的实施方式可具有不同的形式并且不应被解释为限于本文所阐述的描述。因此，下本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：薄膜晶体管；存储电容器，所述存储电容器电连接到所述薄膜晶体管；以及发光二极管，所述发光二极管电连接到所述薄膜晶体管和所述存储电容器，其中，所述薄膜晶体管包括：栅电极，所述栅电极设置在衬底上并且包括第一子层和在所述第一子层上的第二子层；以及半导体层，所述半导体层设置在所述栅电极上并且包括沟道区域、第一低电阻区域和第二低电阻区域，其中，所述沟道区域与所述栅电极重叠，并且所述第一低电阻区域和所述第二低电阻区域在所述沟道区域的两侧上，所述第一子层的宽度大于所述第二子层的宽度，所述沟道区域沿所述第二子层的侧表面布置，所述存储电容器包括第一电容器电极和在所述第一电容器电极上的第二电容器电极，并且所述第一电容器电极与所述栅电极位于相同的层并且包括相同的材料。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电容器电极包括：第一电容器子层，所述第一电容器子层与所述第一子层包括相同的材料；以及第二电容器子层，所述第二电容器子层与所述第二子层包括相同的材料。3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度。4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子层包括从所述第一子层的上表面与所述第二子层的所述侧表面相交的点延伸的多个尾部区域，并且所述多个尾部区域中的每个的长度等于或大于1μm。5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅电极为包括所述第一电容器电极的第一导电图案的一部分。6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一导电图案包括在平面图中与所述第二电容器电极重叠的第一部分和在一个方向上从所述第一部分突出的第二部分。7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述存储电容器还包括设置在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间并且与所述第一电容器电极和所述第二电容器电极重叠的连接电极，并且所述连接电极与所述第二电容器电极接触。8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述连接电极与所述半导体层位于相同的层并且包括相同的材料。9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体层包括氧化物半导体材料。10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括与所述第一低电阻区域和所述第二低电阻区域中的一个重叠并且电连接到所述第一低电阻区域和所述第二低电阻区域中的所述一个的第一电极，并且所述第一电极包括包含导电材料的三个层。11.一种显示装置，包括：衬底；
驱动电源线，所述驱动电源线在所述衬底上在第一方向上延伸；驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管电连接到所述驱动电源线...
【专利技术属性】
技术研发人员：金志训，姜东汉，梁伸赫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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