有机发光二极管显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。该有机发光二极管显示装置包括：具有第一子像素和第二子像素的基板，第一子像素和第二子像素中的每个子像素具有发光区域；在第一子像素和第二子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管；连接至薄膜晶体管的第一阳极，第一阳极具有第一区域；以及具有大于第一区域的第二区域的第二阳极，其中，第二阳极设置在第一阳极上以覆盖第一阳极。一阳极上以覆盖第一阳极。一阳极上以覆盖第一阳极。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月17日在韩国提交的韩国专利申请第10
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2021
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0181416号的优先权权益，该韩国专利申请在此通过引用整体并入本文。


[0003]本公开内容涉及有机发光二极管显示装置，并且更具体地涉及容易地执行修复过程的有机发光二极管显示装置及其制造方法。

技术介绍

[0004]近来，已成为近期研究主题的有机发光二极管(OLED)显示装置使用发光二极管作为发光元件，并且具有诸如发光效率、亮度和视角方面的优点。
[0005]在OLED显示装置中，包括发光二极管的子像素以矩阵布置，并且根据数据的灰度级调整由扫描信号选择的子像素的亮度。
[0006]为了控制每个子像素的开和关，OLED显示装置包括具有作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)的阵列基板。
[0007]在相对高分辨率的OLED显示装置中，由于阵列基板具有大量TFT和大量信号线，并且制造过程复杂，因此发生劣化。
[0008]因此，在阵列基板的制造过程完成之后，执行检测TFT和信号线的电劣化的阵列测试。为了修复在阵列测试中检测到的劣化子像素，阵列基板具有附加的修复区域。
[0009]因此，在相对高分辨率的OLED显示装置中，子像素的发光区域减小，并且难以获得足够的开口率。

技术实现思路

[0010]因此，本公开内容涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
[0011]本公开内容的目的是提供其中在高分辨率模型中获得相对高的开口率的有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法。
[0012]本公开内容的另一目的是提供其中阵列测试结果的可靠性提高的有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法。
[0013]本公开内容的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地从该描述中将变得明显，或者可以通过本公开内容的实践而习得。本公开内容的这些和其他优点将通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
[0014]为了实现这些和其他优点，并且根据本公开内容的目的，如本文中实施和广泛描述的，一种有机发光二极管显示装置包括：具有第一子像素和第二子像素的基板，第一子像素和第二子像素中的每个子像素具有发光区域；在第一子像素和第二子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管；连接至薄膜晶体管的第一阳极，第一阳极具有第一区域；以及具有大于
第一区域的第二区域的第二阳极，其中，第二阳极设置在第一阳极上以覆盖第一阳极。
[0015]在另一方面，一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括：在基板上的第一子像素和第二子像素中的每个子像素中形成薄膜晶体管，第一子像素和第二子像素中的每个子像素具有发光区域；形成连接至薄膜晶体管的第一阳极，第一阳极具有第一区域；对基板执行阵列测试；以及在第一阳极上形成第二阳极，第二阳极具有大于第一区域的第二区域。
[0016]在又一方面，一种有机发光二极管显示装置包括多个子像素，每个子像素包括：薄膜晶体管；连接至薄膜晶体管的第一阳极，第一阳极具有第一区域；以及具有第二区域的第二阳极，第二区域大于第一区域且对应于该子像素的发光区域，其中，第二阳极设置在第一阳极上以覆盖第一阳极。
[0017]应当理解，前述的一般描述和下面的详细描述都是说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开内容的进一步说明。
附图说明
[0018]被包括以提供对本开内容的进一步理解并且并入本说明书并构成其一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：
[0019]图1是示出根据本公开内容的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的视图；
[0020]图2A和图2B是示出根据本公开内容的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的子像素的平面图；
[0021]图3是示出根据本公开内容的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的子像素的截面图；
[0022]图4A和图4B是示出根据本公开内容的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的子像素的平面图；以及
[0023]图5A至图5E是示出根据本公开内容的第二实施方式的有机发光二极管显示装置的修复过程的截面图。
具体实施方式
[0024]将通过参照附图描述的以下示例实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例实施方式。相反，提供这些示例实施方式使得本公开内容可以足够彻底和完整，以帮助本领域技术人员充分理解本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求范围限定。
[0025]在用于描述本公开内容的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例。因此，本公开内容不仅限于所示的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地模糊本公开内容的重点时，可以省略对这样的已知功能或配置的详细描述。在使用本说明书中描述的术语“包含”，“具有”和“包括”的情况下，除非使用诸如“仅”的更具限制性的术语，否则可以添加另外的部分。除非被相反地提到，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
[0026]在对元件进行解释时，即使没有明确描述误差或公差范围，该元件也被解释为包括这样的误差或公差范围。
[0027]在描述位置关系时，当两个部件之间的位置关系被描述为例如“在
……
上”、“在
……
上方”、“在
……
下方”或“在
……
旁边”时，除非使用诸如“正好”或“直接”的更具限制性的术语，否则一个或更多个其他部件可以被设置在这两个部件之间。
[0028]应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
[0029]如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此以各种方式互操作并且在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
[0030]在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的实施方式的有机发光二极管显示装置及制造该有机发光二极管显示装置的方法。在下面的描述中，相同的附图标记始终指示相同的元件。当确定对与本文件相关的公知功能或配置的详细描述会不必要地混淆本专利技术构思的要点时，其详细描述将被省略或将变得简短。
[0031]图1是示出根据本公开内容的第一实施方式的有机发光二极管显示装置的视图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示装置，包括：具有第一子像素和第二子像素的基板，所述第一子像素和所述第二子像素中的每个子像素具有发光区域；在所述第一子像素和所述第二子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的第一阳极，所述第一阳极具有第一区域；以及具有大于所述第一区域的第二区域的第二阳极，其中，所述第二阳极设置在所述第一阳极上以覆盖所述第一阳极。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二区域对应于所述发光区域。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一阳极具有20μm至30μm的水平长度和20μm至30μm的垂直长度。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述薄膜晶体管露出在所述第一阳极外部。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一阳极被结晶以具有多晶结构。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述第一子像素和所述第二子像素中的不具有劣化的子像素中，所述第二阳极接触所述第一阳极。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素发射彼此相同颜色的光，其中，所述第一阳极包括所述第一子像素中的第一第一阳极和所述第二子像素中的第一第二阳极，其中，第一渲染电极通过所述第一子像素中的第一桥电极连接至所述第一第一阳极，并且其中，第二渲染电极通过所述第二子像素中的第二桥电极连接至所述第一第二阳极。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一渲染电极和所述第二渲染电极设置在所述第一子像素和所述第二子像素的邻近区域中。9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，在所述第一子像素具有劣化的情况下，去除所述第一桥电极以形成激光切割区域，并且所述第一渲染电极和所述第二渲染电极通过金属墨图案彼此连接。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二阳极包括所述第一子像素中的第二第一阳极和所述第二子像素中的第二第二阳极，其中，在所述第一第一阳极和所述金属墨图案上设置有阻挡层，并且其中，所述第二第一阳极设置在所述阻挡层上，并且连接至所述第一渲染电极。11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正五，俞明在，李今荣，姜圣浩，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：