确定存储器元件的熔丝元件状态的方法技术

本公开提供一种确定存储器元件的熔丝元件状态的方法。该方法包括提供该存储器元件，该存储器元件具有一第一端子以及一第二端子；以及施加一第一电源信号在该存储器元件的该第一端子上。该存储器元件包括一可经配置的参考电阻器单元，电性耦接到该熔丝元件。该方法亦包括在该存储器元件的该第二端子处获得响应该第一电源信号的一评估信号；以及辨别该评估信号以确定该存储器元件否为冗余(redundant)。该可经配置的参考电阻器单元包括一第一电阻器；一第一晶体管，与该第一电阻器并联；以及一第一可经配置的单元，连接到该第一晶体管的一栅极。该第一可经配置的单元经配置以产一第一可经配置的信号，进而导通该第一晶体管。一晶体管。一晶体管。

【技术实现步骤摘要】
确定存储器元件的熔丝元件状态的方法


[0001]本申请案主张美国第17/568,052及17/568,100号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年1月4日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种确定一熔丝元件状态的方法。特别是有关于一种确定一存储器元件的一熔丝元件状态的方法。

技术介绍

[0003]熔丝以及电子熔丝通常使用在多个存储器元件中，以将一冗余存储器胞转换成一正常存储器胞。使用一测试电路来判断该熔丝的状态(即该熔丝是否熔断)，以便可以将对应的存储器胞辨别为一正常存储器胞或是一冗余存储器胞。随着技术的发展，多个存储器元件的尺寸减小，并且由于制程变化，使得该熔丝的电阻有时可能无法满足期望的数值。结果，可能无法正确辨别该熔丝的状态。
[0004]在目前的实施中，无法满足期望熔丝电阻值的问题可以借由修改在该等存储器元件的一参考电阻器来解决。然而，修改该等存储器元件中的一参考电阻器会导致整个制造过程重新开始，而整个制造过程的重新开始则需要额外的光罩，这不可避免地会增加时间与成本的要求。
[0005]上文之“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一实施例提供一种半导体元件，用以确定一存储器元件的一熔丝元件的状态。该半导体电路包括一可经配置的参考电阻器单元，具有一第一端子以及一第二端子，该第一端子接收一第一电源信号，该第二端子经配置以电性耦接该熔丝元件。此外，该半导体电路亦包括一第一闩锁电路，经配置以读取一第一节点的一第一状态信号，而该第一节点位在该可经配置的参考电阻器单元与该熔丝元件之间。该可经配置的参考电阻器单元包括一第一电阻器；一第一晶体管，与该第一电阻器并联；以及一第一可经配置的单元，连接到该第一晶体管的一栅极。该第一可经配置的单元经配置以产生一第一可经配置的信号，进而提供到该第一晶体管的该栅极。
[0007]本公开的另一实施例提供一种半导体元件，用以确定一存储器元件的一熔丝元件的状态。该半导体元件包括一可经配置的参考电阻器单元，具有一第一端子以及一第二端子，该第一端子接收一第一电源信号，该第二端子经配置以与该熔丝元件电性耦接。该可经配置的参考电阻器单元包括一第一电阻器；一第一晶体管，与该第一电阻器串联；以及一第一可经配置的单元，连接到该第一晶体管的一栅极。该第一可经配置的单元经配置以产生一第一可经配置的信号，进而提供到该第一晶体管的该栅极。
[0008]本公开的另一实施例提供一种确定一存储器元件的一熔丝元件状态的方法。该方
法包括提供该存储器元件，该存储器元件具有一第一端子以及一第二端子；以及施加一第一电源信号在该存储器元件的该第一端子上。该存储器元件包括一可经配置的参考电阻器单元，电性耦接到该熔丝元件。该方法亦包括在该存储器元件的该第二端子处获得响应该第一电源信号的一评估信号；以及辨别该评估信号以确定该存储器元件否为冗余(redundant)。该可经配置的参考电阻器单元包括一第一电阻器；一第一晶体管，与该第一电阻器并联；以及一第一可经配置的单元，连接到该第一晶体管的一栅极。该第一可经配置的单元经配置以产一第一可经配置的信号，进而导通该第一晶体管。
[0009]该可经配置的电阻器单元以一可变电阻呈现。该可变电阻可依据该等制程变化所引起的该熔丝元件的电阻变化而进行调整。依据相对应的该熔丝元件的实际电阻值，该可经配置的参考电阻器的该电阻值可在该元件制造完成后进行修改。因此，增加本公开的灵活性。此外，该可经配置的参考电阻器单元是借由程序化该OTP元件(例如反熔丝)来进行调整，这样可以减少程序化期间对相邻区域的影响。具有该灵活性电阻器的该元件则无需为该参考电阻器添加额外的光罩，以缩短了生产时间。
[0010]上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
[0011]参阅实施方式与权利要求合并考量图式时，可得以更全面了解本申请案的揭示内容，图式中相同的元件符号指相同的元件。
[0012]图1是结构示意图，例示本公开一些实施例的用于测试多个半导体元件的系统。
[0013]图2是结构示意图，例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0014]图2A是结构示意图，例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0015]图2B是结构示意图，例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0016]图2C是等效电路示意图，例示本公开一些实施的如图2B所示的半导体元件的一部分。
[0017]图3是方框示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0018]图3A是方框示意图，例示本公开一些实施例的如图3所示的状态设定电路。
[0019]图3B是等效电路示意图，例示本公开一些实施的如图3所示的可经配置的参考电阻器单元的一部分。
[0020]图4是方框示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0021]图4A是例示架构示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0022]图4B是例示架构示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0023]图4C是例示架构示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0024]图5是方框示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0025]图6是方框示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0026]图6A是例示架构示意图，例示本公开一些实施例的可经配置的参考电阻器单元。
[0027]图7是流程示意图，例示本公开一些实施例用于确定熔丝元件的状态的方法。
[0028]其中，附图标记说明如下：
[0029]10：系统
[0030]11：半导体元件
[0031]12：信号产生器
[0032]13：监视器
[0033]14：耦合器
[0034]15：探针
[0035]100：半导体元件
[0036]100C：等效电路
[0037]101：熔丝元件
[0038]105：可经配置的参考电阻器单元
[0039]105A：可经配置的参考电阻器单元
[0040]105A
’
：等效电路
[0041]105B：可经配置的参考电阻器单元
[0042]105
‑
1：端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定存储器元件的熔丝元件状态的方法，包括：提供该存储器元件，该存储器元件具有一第一端子以及一第二端子；施加一第一电源信号在该存储器元件的该第一端子上，其中该存储器元件包括一可经配置的参考电阻器单元，电性耦接到该熔丝元件；在该存储器元件的该第二端子处获得响应该第一电源信号的一评估信号；以及辨别该评估信号以确定该存储器元件否为冗余；其中该可经配置的参考电阻器单元包括：一第一电阻器；一第一晶体管，与该第一电阻器并联；以及一第一可经配置的单元，连接到该第一晶体管的一栅极，其中该第一可经配置的单元经配置以产一第一可经配置的信号，进而导通该第一晶体管。2.如权利要求1所述的方法，还包括：响应该第一电源信号而在一第一节点处产生一状态信号，该第一节点位在该可经配置的参考电阻器单元与该熔丝元件之间；以及借由电性耦接到该第一节点的一第一闩锁电路而将该状态信号转换成该评估信号。3.如权利要求2所述的方法，其中将该状态信号转换成该评估信号包括：比较该状态信号与一预定信号；以及依据该状态信号与该预定信号之间的比较而输出该评估信号。4.如权利要求1所述的方法，其中该第一可经配置的单元还包括：一单次可编程元件，经配置以接收一第二电源信号；一参考电阻器，与该单次可编程元件串联；以及一第二闩锁电路，经配置以读取在一第二节点处的一第一模式信号，而该第二节点位在该单次可编程元件与该参考电阻器之间；其中借由该第二闩锁电路而将该第一模式信号转换成该第一可经配置的信号。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：