【技术实现步骤摘要】
衬底处理设备
[0001]相关专利申请的交叉引用
[0002]本申请基于、并且根据35 U.S.C.
§
119要求于2021年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0194466号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
[0003]本公开涉及衬底处理设备。
技术介绍
[0004]残留在衬底表面上的诸如颗粒、有机残留物、和金属残留物之类污染物极大地影响半导体器件的特性和生产良率。去除衬底表面上的污染物的工艺称为清洁工艺。所述清洁工艺是半导体制造工艺中的关键因素，并且在用于制造半导体器件的每个单元工艺之前和之后执行所述清洁工艺。
[0005]所述清洁工艺包括将各种处理溶液施加到半导体衬底上的工艺，并且所述清洁工艺中使用的处理溶液通过与清洁设备的回收容器连接的管道被回收。
技术实现思路
[0006]提供了具有改善的可靠性的衬底处理设备。
[0007]将在下面的描述中部分地阐述另外的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：衬底支撑件，所述衬底支撑件包括被配置成支撑衬底的支撑板和被配置成旋转所述支撑板的旋转致动器；处理溶液供给器，所述处理溶液供给器被配置成向所述衬底供给处理溶液；第一回收容器，所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液；提升致动器，所述提升致动器被配置成相对于所述衬底支撑件上下移动所述第一回收容器；第一管道，所述第一管道连接至所述第一回收容器并且包括绝缘材料；第一静电消除器，所述第一静电消除器与所述第一管道接触；和第一导线，所述第一导线连接至所述第一静电消除器。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第一静电消除器包括导电材料并且覆盖所述第一管道的弯曲部分。3.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第一导线提供用于释放由所述第一管道产生的静电荷的路径。4.根据权利要求1所述的衬底处理设备，还包括被配置成接收接地电位的第一接地条，其中，所述第一静电消除器经由所述第一导线连接到所述第一接地条。5.根据权利要求4所述的衬底处理设备，还包括第二接地条，所述第二接地条被连接到所述旋转致动器和所述提升致动器并且被配置成向所述旋转驱动器和所述提升致动器提供接地电位。6.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中，所述第一接地条和所述第二接地条彼此间隔开。7.根据权利要求5所述的衬底处理设备，还包括将所述旋转致动器和所述提升致动器连接到所述第二接地条的第二导线。8.根据权利要求7所述的衬底处理设备，还包括：第三接地条；第三导线，所述第三导线将所述第三接地条连接到所述第一接地条；第四导线，所述第四导线将所述第三接地条连接到所述第二接地条；和第五导线，所述第五导线将所述第三接地条连接到接地线。9.根据权利要求8所述的衬底处理设备，其中，所述第三导线的每单位长度的电阻小于所述第一导线的每单位长度的电阻，并且所述第四导线的每单位长度的电阻小于所述第二导线中的每一根导线的每单位长度的电阻。10.根据权利要求8所述的衬底处理设备，其中，所述第五导线的每单位长度的电阻小于所述第三导线的每单位长度的电阻，并且所述第五导线的每单位长度的电阻小于所述第四导线的每单位长度的电阻。11.根据权利要求8所述的衬底处理设备，其中，所述第一接地条经由所述第三导线、所述第三接地条和所述第四导线间接地连接到所述第二接地条。12.一种衬底处理设备，包括：
衬底支撑件，所述衬底支撑件支撑衬底；处理溶液供给器，所述处理溶液供给器包括喷嘴，所述喷嘴被配置成向所述衬底供给处理溶液；第一回收容器，所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液；第二回收容器，所述第二回收容器围绕所述第一回收容器并且被配置成从所述衬底回收所述被散开的处理溶液；第一管道，所述第一管道连接到所述第一回收容器并且包括绝缘材料；第二管道，所述第二管道连接到所述第二回收容器并且包括绝缘材料；和第一静电消除器，所述第一静电消除器被配置成去除由所述第一管道产生的静电荷，其中，所述第一静电消除器包括导电材料，围绕所述第一管道的弯曲部分，并且与所述第一管...
【专利技术属性】
技术研发人员：李精哲，闵明根，金敬模，南晸钦，郑雨珍，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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